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功(gong)(gong)率(lv)(lv)(lv)(lv)场效应(ying)晶体(ti)管（P-MOSFET）简称功(gong)(gong)率(lv)(lv)(lv)(lv)MOSFET，是使(shi)用大都载(zai)(zai)流(liu)(liu)子(zi)导(dao)(dao)电(dian)的半导(dao)(dao)体(ti)器材，且导(dao)(dao)通时只要一种(zhong)极性的载(zai)(zai)流(liu)(liu)子(zi)参加(jia)导(dao)(dao)电(dian)，是单(dan)极型晶体(ti)管。与使(shi)用少数载(zai)(zai)流(liu)(liu)子(zi)导(dao)(dao)电(dian)的双极型功(gong)(gong)率(lv)(lv)(lv)(lv)晶体(ti)管比较，功(gong)(gong)率(lv)(lv)(lv)(lv) MOSFET 只靠(kao)单(dan)一载(zai)(zai)流(liu)(liu)子(zi)导(dao)(dao)电(dian) ，不存在(zai)存储效应(ying) ，因而其(qi)关(guan)断进程十分敏捷 ，其(qi)开(kai)关(guan)时间在(zai) 10 - 100ns 之间 ，作业(ye)频(pin)率(lv)(lv)(lv)(lv)可达(da)(da) 100kHz以上(shang)，最高能(neng)够(gou)到达(da)(da)500kHz。功(gong)(gong)卒MOSFET、开(kai)关(guan)速度快(kuai)，作业(ye)频(pin)率(lv)(lv)(lv)(lv)高，能(neng)够(gou)使(shi)高频(pin)率(lv)(lv)(lv)(lv)开(kai)关(guan)电(dian)源(yuan)在(zai)设计(ji)时体(ti)积(ji)更(geng)小、质量更(geng)轻(qing)，习惯开(kai)关(guan)电(dian)源(yuan)小型化、高效率(lv)(lv)(lv)(lv)化和高可靠(kao)性的开(kai)展请求 。

功率 MOSFET 按导电沟道分为N 沟道和IP 沟道两种 ，N沟迫的载梳子为空穴 ，P 沟道的载流子为电子 。其电气符号如图 5-16 所示 ，图中的MOS管三个极分(fen)别为 栅极 G、漏极 D、源极 S。

常(chang)(chang)用(yong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)功(gong)(gong)率(lv)(lv)(lv) MOSFET  主要是 N 沟道增强型 。与(yu)通(tong)常(chang)(chang)小(xiao)功(gong)(gong)率(lv)(lv)(lv) MOSFET 的(de)(de)(de)(de)(de)(de)横向导(dao)电(dian)(dian)(dian)(dian)构造(zao)不间 ，功(gong)(gong)率(lv)(lv)(lv) MOSFET 大多选(xuan)用(yong)笔直(zhi)导(dao)电(dian)(dian)(dian)(dian)构造(zao) ，然后提高(gao)(gao)了(le)耐(nai)压和(he)(he)耐(nai)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)才能 ，因(yin)而它(ta)又名VMOSFET。功(gong)(gong)率(lv)(lv)(lv) MOSFET 是电(dian)(dian)(dian)(dian)压控制型器材 ，在(zai)(zai)它(ta)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)栅极和(he)(he)源(yuan)极间加一(yi)个 图5-16 功(gong)(gong)率(lv)(lv)(lv) MOSFET 的(de)(de)(de)(de)(de)(de) 受控的(de)(de)(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)压 ，在(zai)(zai)漏(lou)极可获得较(jiao)大的(de)(de)(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu) 。功(gong)(gong)率(lv)(lv)(lv) MOSFET 的(de)(de)(de)(de)(de)(de)栅极与(yu)源(yuan) 极在(zai)(zai)电(dian)(dian)(dian)(dian)气上是靠硅氧(yang)化(hua)层彼此阻(zu)隔的(de)(de)(de)(de)(de)(de) ，具有很(hen)高(gao)(gao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)输入(ru)阻(zu)抗 ，因(yin)而其(qi)驱(qu)动电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)很(hen)小(xiao) ，为 100nA 数量(liang)级 ，而输山电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)可达数安培至十几(ji)安培 。功(gong)(gong)率(lv)(lv)(lv) MOSFET 所需(xu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)驱(qu)动功(gong)(gong)率(lv)(lv)(lv)很(hen)小(xiao)，因(yin) 此其(qi)对(dui)驱(qu)动电(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)请求较(jiao)低。功(gong)(gong)率(lv)(lv)(lv) MOSFET 静态(tai)时简直(zhi)不需(xu)输入(ru)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu) ，但在(zai)(zai)开关过科(ke)中帘对(dui)输 入(ru)电(dian)(dian)(dian)(dian)容充 、放电(dian)(dian)(dian)(dian)，因(yin)而它(ta)仍需(xu)定的(de)(de)(de)(de)(de)(de)驱(qu)动功(gong)(gong)率(lv)(lv)(lv)，且(qie)开关频率(lv)(lv)(lv)越高(gao)(gao) ，所需(xu)求的(de)(de)(de)(de)(de)(de)驱(qu)动功(gong)(gong)率(lv)(lv)(lv)越大 。

由于功(gong)率(lv) MOSFET 具有正的温度系数，所以(yi)当有限个管子直接并联时 ，能够自动(dong)均衡 电(dian)流，不会发生(sheng)过(guo)热点 ，热稳定(ding)性好。

功率 MOSF'ET 具有驱动功率小 、作业频率高 、安全作业以宽 、元二次击穿等特点 。功 率 MOSFET 的导通压阵稍大 ，电流容量小，耐压低 （ 小于 1仪>OV ） ，通常只适用于中小功率开关管电(dian)源(yuan)，在中低斥、小电(dian)流、高频率范畴占用优势。现(xian)在，功率 MOSFET 的容量水平为 50A/500 V ，作业频率为 100kHz。

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