MOS管(guan) KIA2305 -3.5A/-20V原厂 P沟道MOS 规格书及参数详情-KIA MOS管(guan)
信(xin)息来源：本(ben)站 日期：2019-12-18
深圳市(shi)利盈娱(yu)乐半导(dao)体科技有限公司.是一家专业从事中(zhong)、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三(san)端稳压管开发(fa)设计，集研发(fa)、生产和销售为一体的国家高新(xin)技术企业。
KIA半导体，已经拥有(you)了独立(li)的研发(fa)中心，研发(fa)人(ren)员以(yi)(yi)来(lai)自韩国(台湾)超一流(liu)团(tuan)队，可以(yi)(yi)快速根据客户应用领域的个性来(lai)设计(ji)方(fang)案，同时引进多(duo)台国外(wai)先进设备(bei)，业(ye)务含括功率器(qi)件的直(zhi)流(liu)参(can)数检测、雪(xue)崩能量检测、可靠性实验、系统(tong)分(fen)析、失效分(fen)析等领域。
强(qiang)大的研(yan)发平(ping)台(tai)，使得KIA在工艺制造、产品设(she)计(ji)方面拥有(you)知识产权35项，并掌(zhang)握多项场效(xiao)应管核心制造技术。自主(zhu)研(yan)发已经成(cheng)为了企业的核心竞争力。
从设(she)计研发(fa)到(dao)制造(zao)再到(dao)仓储物流，KIA半(ban)导体(ti)真正(zheng)实(shi)现了(le)一体(ti)化的服务链，真正(zheng)做到(dao)了(le)服务细节全(quan)到(dao)位(wei)的品牌内(nei)涵，我们致力于成为场效应管（MOSFET）功率器件领域的领跑者，为了(le)这(zhei)个目标，KIA半(ban)导体(ti)正(zheng)在持续创新(xin)，永不止步！
VDS=-20V,RDS(on)=0.055Ω@VGS=-4.5V,ID=-3.5A
VDS=-20V,R DS(on)=0.075Ω@VGS=-2.5V,ID=-3.0A
VDS=-20V,R DS(on)=0.095Ω@VGS=-1.8V,ID=-1.8A
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