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buck电(dian)(dian)(dian)流(liu)馈电(dian)(dian)(dian)全(quan)桥拓扑(pu)逐个(ge)根本工作原(yuan)理这(zhei)种拓扑(pu)如(ru)图  所示。它与(yu)图所示的(de) buck 电(dian)(dian)(dian)压馈电(dian)(dian)(dian)全(quan)桥电(dian)(dian)(dian)路相似，同(tong)(tong)样没有输(shu)出电(dian)(dian)(dian)感。但(dan)还比 后电(dian)(dian)(dian)路少了(le) buck 滤波电(dian)(dian)(dian)容 Cl 。不过可以为此处仍(reng)有一个(ge)由次级输(shu)出 电(dian)(dian)(dian)容依据变(bian)压器(qi)臣比平(ping)方(fang)关系折射的(de)当量电(dian)(dian)(dian)容 CIV ，其(qi)滤波功用与(yu)同(tong)(tong)容量实(shi)践电(dian)(dian)(dian)容相同(tong)(tong) 。

脉宽调制器误差放大图5.10buck电流馈电全桥电路。这里省去了常用的buck输出滤被电容Cl。图中画有当量电容CIV，它是一切主辅输出电容折算到初级的电容值。斜对角的两个开关管同时导通。使行将关断的开关对管和行将导通的开关对管短时堆叠导通（lμs）对电路工作十分有利。行将关断的功率开关管和(he)行将(jiang)导通(tong)的开关(guan)(guan)(guan)对管(guan)同时(shi)导通(tong)时(shi)，由于LIC未接(jie)Cl）呈现高(gao)阻抗，桥路一切(qie)的输入、输出接(jie)点电(dian)(dian)(dian)压均(jun)降为(wei)零。正是这个高(gao)阻抗使桥路的供电(dian)(dian)(dian)源(yuan)成为(wei)恒流源(yuan) 。Zl和(he)D8构成高(gao)端电(dian)(dian)(dian)压钳位电(dian)(dian)(dian)路，使后关(guan)(guan)(guan)断(duan)的开关(guan)(guan)(guan)管(guan)关(guan)(guan)(guan)断(duan)电(dian)(dian)(dian)压不超越VI与所示(shi)电(dian)(dian)(dian)路一样，该电(dian)(dian)(dian)路用一个输入电(dian)(dian)(dian)感替(ti)代一切(qie)所示(shi)电(dian)(dian)(dian)路的输出电(dian)(dian)(dian)感 。

因(yin)而(er)，讨论(lun)的(de)(de)(de)一切(qie)优点 。该电路晶(jing)体(ti)管 Ql Q4  不(bu)像(xiang)图(tu) 5.8 所示电路那样(yang)运用调宽调制 。两(liang)对斜对角的(de)(de)(de)晶(jing)体(ti)管以 半个周(zhou)期轮番导通(tong) ，而(er)且两(liang)者之间不(bu)像(xiang)图(tu) 5.9 所示的(de)(de)(de) buck 电压(ya)馈电拓扑那样(yang)需留死区时间 。 图(tu) 5.10  所示电路中的(de)(de)(de)每对晶(jing)体(ti)管的(de)(de)(de)导通(tong)时间都稍(shao)大(da)于半个周(zhou)期 。通(tong)常(chang)经(jing)过晶(jing)体(ti)管的(de)(de)(de)存储时间（ 对慢速(su)管〉 或(huo)加一些廷时 （ 对快速(su)晶(jing)体(ti)管或(huo) MOSFET 管） 完(wan)成。而(er)输出电压(ya)的(de)(de)(de)调理是经(jing)过 调理 buck  电路 Q5 的(de)(de)(de)导通(tong)脉宽完(wan)成的(de)(de)(de)。

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