MOS管 10N65 10A/650V参数 原(yuan)厂供货 性价比高 质量好-KIA MOS管
信息来源(yuan)：本(ben)站 日期：2019-12-04
这款KIA10N65H是(shi)N沟道增强型硅栅功率(lv)MOSFET，用(yong)于(yu)高(gao)压、高(gao)速电源开关应用(yong)，如高(gao)效率(lv)开关电源电源，有源功率(lv)因数校正，基于(yu)半桥的(de)电子灯镇流(liu)器等。
RDS(on)=0.65Ω@VGS=10V
低栅极充电(dian)（典(dian)型48nC）
快速切(qie)换(huan)能力
改进的dv/dt能力
型号：KIA10N65H
工作方(fang)式：10A/650V
漏源电压(ya)：650V
栅(zha)源电(dian)压(ya)：±30V
漏电流脉冲：40.0*A
峰(feng)值二极管恢复dv/dt：4.5V/ns
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