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次级负载、续流二极管及电感的 电流选择次级和输出电感线径 、整流 极管和续流二极管额起电流时 ，需求晓得各自输出电 流的幅值和波形 。与 1.3.2 节所述的 buck 调整器相似 ，QI 导通时，次级恒定电压加在输出电感两端 （ 其输 入端相关于输陪i端为正） 使次级电流具有阶梯斜坡的特征 ，QI 关断时，电感的输入端相关于输出端变负 ，其电流斜坡向 F。

关(guan)断(duan)时(shi)(shi) ，电(dian)(dian)感电(dian)(dian)流(liu)(liu) 转移到(dao)续(xu)(xu)(xu)流(liu)(liu)三极(ji)管 υ 因续(xu)(xu)(xu)流(liu)(liu)二极(ji)管与电(dian)(dian)感串联 ，其电(dian)(dian)流(liu)(liu)斜坡(po)也向下 ， 电(dian)(dian)感电(dian)(dian)流(liu)(liu)是 QI 导通时(shi)(shi)次级电(dian)(dian)流(liu)(liu)与 Ql 关(guan)断(duan)时(shi)(shi)续(xu)(xu)(xu)流(liu)(liu)二 极(ji)管电(dian)(dian)流(liu)(liu)之(zhi)和 。 斜坡(po)中点值均等于(yu)贾流(liu)(liu)输出电(dian)(dian)流(liu)(liu) 。初级电(dian)(dian)流(liu)(liu) 、输出功率(lv)及输入电(dian)(dian)压之(zhi)间的关(guan)系设从直流(liu)(liu)输入到(dao)一切(qie)次级总(zong)输出功率(lv)的转换效(xiao)率(lv)为80%，即=0.8nPl凡＝1.25尺。

若以最小直流输入电斥飞计算n，则输入功率为最小直流输入电压 vdc 与对应初级电流均匀值的乘积。由于各次级都告输出电感，所以次级电流被形均为阶梯斜坡。直流输入电压最小时，这些阶梯斜坡的宽度为0.8T/2。一切次级电流依据皿数比折算到初级 ，因而初级电流脉冲也是 4个宽度为 0.8T / 2 的阶梯斜坡。由于是单MOS管开关电路 ，所以每周期仪有－个这样的波形 。初级电流脉冲的 占空比为 （0.8T / 2)IT =0.40和推挽拓扑一样 ，将阶梯斜坡电流等效为同样脉宽的平顶电流 ，其幅值为阶梯斜坡中点 值 I隙 。贝IJ 电流均匀值为 0.4 /pft
因此：
而有此关系式十分有用，常用电感依据给出的最小直流输入电压和总输出功卒，即可求出等效平顶初级电流脉冲的幅值。
从而可立刻选出具有足够咆流额定值和增益的极型晶体管 ，或具有足 够低大功率MOS管导(dao)通压(ya)(ya)降的(de)(de)(de)(de) MOSFET 管。在(zai)(zai)相同输(shu)出(chu)功率和最小直(zhi)(zhi)流输(shu)入电压(ya)(ya)下(xia) ，正(zheng)激变换器(qi)(qi)的(de)(de)(de)(de)/pft  是(shi)推(tui)挽(wan)拓扑的(de)(de)(de)(de)／pft 的(de)(de)(de)(de)两倍(bei)。显然 ，这(zhei)是(shi)由于推(tui)挽(wan)拓扑每(mei)周(zhou)(zhou)期(qi)有(you)两个(ge)电流 （ 或功率〉 脉冲(chong)，而正(zheng)激变换器(qi)(qi)只(zhi)要一个(ge) 。 由式 （ 2.25 ） 可(ke)知，在(zai)(zai)正(zheng)激变换器(qi)(qi)中 ，假(jia)如次(ci)级匣(xia)数选得足够大 ，则最小直(zhi)(zhi)流输(shu)入电压(ya)(ya)下(xia)的(de)(de)(de)(de) 最大导(dao)通时间(jian)也能够不(bu)超越半周(zhou)(zhou)期(qi)的(de)(de)(de)(de) 80%。这(zhei)样，在(zai)(zai) F→周(zhou)(zhou)期(qi)开(kai)端前(qian)，面积A2总能等(deng)于Al。磁心在(zai)(zai)一个(ge)周(zhou)(zhou)期(qi)内能复位(wei)到磁滞困 线上的(de)(de)(de)(de)起始点 ，从而不(bu)会饱和 。但iE激变换器(qi)(qi)完(wan)成上述工作 的(de)(de)(de)(de)代(dai)价(jia)是(shi)，在(zai)(zai)相同的(de)(de)(de)(de)输(shu)出(chu)功率 F，初级幅(fu)值电流是(shi)推(tui)挽(wan)变换 器(qi)(qi)的(de)(de)(de)(de)两倍(bei) 。当然，推(tui)挽(wan)拓扑即便采用了 2.2.8 节所(suo)述的(de)(de)(de)(de)全部(bu)顶防(fang)措施 ，在(zai)(zai)动态负载或输(shu)入异常 的(de)(de)(de)(de)状况下(xia)，也难确保不(bu)发作磁通不(bu)均衡问题 。

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