科普分享|FET、 MOSFET、 MESFET、 MODFET的区别！

今天给大家推一(yi)篇(pian)关(guan)于FET、 MOSFET、 MESFET、 MODFET的区别！

FET，场效应(ying)晶体管(guan)，Field Effect Transistor，简单(dan)理解就(jiu)是个(ge)水管(guan)阀门。

关上

打(da)开

FET，有(you)源极（Source）就是电子从源流入FET;

栅极(ji)（Gate），是个门，阀门，打开FET，电(dian)子就流动，关(guan)上阀门，电(dian)子就不(bu)流动。

漏极(ji)（Drain），电(dian)子流出FET；

电子是负电荷(he)，所以，是从GND流到(dao)Vcc的

MOSFET，Y2T149聊到MOS是个电容，MOSFET叫做金属-氧化物半导体场(chang)效应晶体管

（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。

是现在数(shu)字半导体芯片常用的结构：

MESFET金属半导体(ti)场效应(ying)晶体(ti)管Metal Epitaxial-Semiconductor Field Effect

Transistor，用在第一代(dai)模(mo)拟或(huo)者射(she)频电路上。

MODFET调制掺杂场效应晶体管Modulation Doped Field Effect  Transistor,MODFET

MOSFET、与MODFET/MESFET最大(da)的(de)区别(bie)在(zai)于栅极的(de)控制；

MOSFET是(shi)MOS金属(shu)-氧(yang)化物-半导(dao)体(ti)（电(dian)容）做栅极；

MODFET/MESFET是用(yong)金(jin)属-半(ban)导体接触（肖(xiao)特基二极(ji)(ji)管(guan)），用(yong)二极(ji)(ji)管(guan)做栅极(ji)(ji)。速度比MOS要(yao)快，可以用(yong)在高速电路上。

MOS相当(dang)于塑料阀门头(tou)，MES/MOD是铜(tong)阀门头(tou)

那(nei)MESFET和MODFET的(de)区别

MODFET有异质结，形成一个二(er)维层，叫二(er)维电子气(Two-dimensional electron gas,

2DEG)是指电子气可(ke)以自由在二维方向移动，而(er)在第三维上受(shou)到限制的现象。

小结：

FET 就是水管(guan)子阀(fa)门

MOSFET 是塑(su)料阀(fa)门

MESFET是铜阀门

MODFET不光是铜(tong)阀门，还用了陶瓷阀芯

MESFET截止频率比MOSFET高三倍

MODFET截止频率比MESFET高(gao)30%

学术解释：

所有场(chang)(chang)效应(ying)晶体管(FET)的(de)输(shu)出特(te)性均相似。低漏偏压时(shi)(shi)存在一线性区。偏压变大时(shi)(shi)，输(shu)出电流最终达到饱和；电压足够高时(shi)(shi)，漏端(duan)将发生雪崩击穿。根据(ju)阈值(zhi)电压的(de)正或负，场(chang)(chang)效应(ying)晶体管可分为增强型(常(chang)断模式)或耗尽型(常(chang)通模式)。金属?半导体接触(chu)是(shi)MESFET与(yu)MODFET器件的(de)基(ji)本结构。使(shi)用肖持基(ji)势垒(lei)作为栅极(ji)、两个欧(ou)姆(mu)接触(chu)作为源极(ji)与(yu)漏极(ji)。

MODFET器(qi)件(jian)高(gao)频(pin)性能更(geng)好。器(qi)件(jian)结(jie)(jie)构上(shang)除栅极下方的(de)异质结(jie)(jie)外，大(da)体上(shang)与MESFET相似。异质结(jie)(jie)界面上(shang)形成二维电(dian)子气(亦即(ji)可传导的(de)沟道)，具有(you)高(gao)迁移率与高(gao)平(ping)均(jun)漂(piao)移速度的(de)电(dian)子可通过沟道由源(yuan)极漂(piao)移到漏极。

截(jie)止频率fT是场效(xiao)应晶(jing)体管的(de)一个高频指标。在给定长度(du)时，Si MOSFET(n型)的(de)fT最低，GaAs MESFET的(de)fT比硅约(yue)高三倍(bei)。常用(yong)GaAs MODFET与赝晶(jing)SiGe MODFET的(de)fT 比GaAs MESFET约(yue)高30％。

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