八大mos管开关电路图大全（附电路图详情）

mos管开关电路图概述

MOS管(guan)开关电路是利(li)用一种电路，是利(li)用MOS管(guan)栅极(ji)（g）控制MOS管(guan)源极(ji)（s）和漏极(ji)（d）通断的原理构造(zao)的电路。MOS管(guan)分为N沟(gou)道与P沟(gou)道，所(suo)以(yi)开关电路也主要分为两种。

1、P沟道MOS管开关电路

PMOS的(de)(de)特(te)性，Vgs小(xiao)于(yu)(yu)一(yi)定的(de)(de)值就会导通(tong)，适合用(yong)于(yu)(yu)源极接VCC时的(de)(de)情况（高端驱动）。需要注意的(de)(de)是(shi)，Vgs指的(de)(de)是(shi)栅极G与源极S的(de)(de)电(dian)压，即(ji)栅极低于(yu)(yu)电(dian)源一(yi)定电(dian)压就导通(tong)，而非相对于(yu)(yu)地的(de)(de)电(dian)压。但是(shi)因为PMOS导通(tong)内阻比较大(da)，所以只(zhi)适用(yong)低功(gong)率的(de)(de)情况。大(da)功(gong)率仍然使用(yong)N沟道MOS管(guan)。

2、N沟(gou)道mos管开关电路

NMOS的特性(xing)，Vgs大于(yu)(yu)一定的值(zhi)就(jiu)会(hui)导通，适合用于(yu)(yu)源极(ji)(ji)(ji)(ji)接(jie)(jie)地时的情况（低端(duan)驱动），只要(yao)栅极(ji)(ji)(ji)(ji)电压大于(yu)(yu)参数(shu)手册中给定的Vgs就(jiu)可以了，漏极(ji)(ji)(ji)(ji)D接(jie)(jie)电源，源极(ji)(ji)(ji)(ji)S接(jie)(jie)地。需要(yao)注意的是Vgs指的是栅极(ji)(ji)(ji)(ji)G与(yu)源极(ji)(ji)(ji)(ji)S的压差(cha)，所(suo)以当NMOS作(zuo)为(wei)高端(duan)驱动时候，当漏极(ji)(ji)(ji)(ji)D与(yu)源极(ji)(ji)(ji)(ji)S导通时，漏极(ji)(ji)(ji)(ji)D与(yu)源极(ji)(ji)(ji)(ji)S电势相等，那么(me)栅极(ji)(ji)(ji)(ji)G必须高于(yu)(yu)源极(ji)(ji)(ji)(ji)S与(yu)漏极(ji)(ji)(ji)(ji)D电压，漏极(ji)(ji)(ji)(ji)D与(yu)源极(ji)(ji)(ji)(ji)S才能继续导通。

mos管开关电路图大全
mos管开关电路图（一）

图(tu)中电(dian)池的正(zheng)电(dian)通过开关(guan)S1接到(dao)场效应管Q1的2脚(jiao)源极，由于(yu)Q1是一(yi)个P沟道管，它的1脚(jiao)栅极通过R20电(dian)阻提供一(yi)个正(zheng)电(dian)位电(dian)压(ya)，所(suo)以不能(neng)通电(dian)，电(dian)压(ya)不能(neng)继(ji)续通过，3v稳压(ya)IC输入(ru)脚(jiao)得不到(dao)电(dian)压(ya)所(suo)以就不能(neng)工作不开机！

这时，如果我(wo)们按下SW1开机(ji)按键时，正(zheng)(zheng)电通(tong)过(guo)按键、R11、R23、D4加到三(san)(san)极(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)Q2的(de)(de)基(ji)极(ji)(ji)(ji)，三(san)(san)极(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)Q2的(de)(de)基(ji)极(ji)(ji)(ji)得到一个正(zheng)(zheng)电位，三(san)(san)极(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)导(dao)(dao)通(tong)（前(qian)面讲(jiang)到三(san)(san)极(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)的(de)(de)时候已(yi)经讲(jiang)过(guo)），由于三(san)(san)极(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)的(de)(de)发射极(ji)(ji)(ji)直(zhi)接(jie)接(jie)地(di)(di)，三(san)(san)极(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)Q2导(dao)(dao)通(tong)就相当于Q1的(de)(de)栅(zha)极(ji)(ji)(ji)直(zhi)接(jie)接(jie)地(di)(di)，加在它上面的(de)(de)通(tong)过(guo)R20电阻(zu)的(de)(de)电压就直(zhi)接(jie)入(ru)了地(di)(di)，Q1的(de)(de)栅(zha)极(ji)(ji)(ji)就从高电位变为低电位，Q1导(dao)(dao)通(tong)电就从Q1同过(guo)加到3v稳压IC的(de)(de)输入(ru)脚，

3v稳(wen)(wen)压IC就(jiu)是那个U1输出3v的(de)工(gong)作(zuo)电压vcc供给(ji)主控，主控通过(guo)复位清0，读取固件(jian)程序检测等(deng)一(yi)系列动作(zuo)，输处(chu)一(yi)个控制(zhi)(zhi)电压到PWR_ON再通过(guo)R24、R13分压送到Q2的(de)基(ji)极，保持(chi)Q2一(yi)直处(chu)于(yu)导通状态，即使你松开开机(ji)键断开Q1的(de)基(ji)极电压，这时候有主控送来的(de)控制(zhi)(zhi)电压保持(chi)着，Q2也就(jiu)一(yi)直能(neng)够处(chu)于(yu)导通状态，Q1就(jiu)能(neng)源(yuan)源(yuan)不(bu)断的(de)给(ji)3v稳(wen)(wen)压IC提供工(gong)作(zuo)电压！

SW1还同(tong)(tong)时通(tong)过R11、R30两个电阻(zu)的分压，给主控PLAYON脚(jiao)送(song)去时间长(zhang)短、次(ci)数不同(tong)(tong)的控制信(xin)号，主控通(tong)过固件鉴别(bie)是播放(fang)、暂停、开机(ji)、关机(ji)而输出不同(tong)(tong)的结(jie)果给相应的控制点，以(yi)达到不同(tong)(tong)的工作状态！

mos管开关电路图（二）

下图(tu)是两种(zhong)(zhong)MOS管的典型应用：其中(zhong)第一种(zhong)(zhong)NMOS管为(wei)高(gao)电(dian)(dian)平导通(tong)，低电(dian)(dian)平截(jie)断(duan)，Drain端接后(hou)面电(dian)(dian)路(lu)(lu)的接地(di)端；第二种(zhong)(zhong)为(wei)PMOS管典型开关电(dian)(dian)路(lu)(lu)，为(wei)高(gao)电(dian)(dian)平断(duan)开，低电(dian)(dian)平导通(tong)，Drain端接后(hou)面电(dian)(dian)路(lu)(lu)的VCC端。

mos管开关电路图（三）

驱动电路加(jia)速MOS管关断(duan)时间

隔离驱动(dong)

为了满(man)足如上图所示高端MOS管的(de)驱(qu)动，经常会采用变(bian)压器(qi)驱(qu)动，有时为了满(man)足安全隔(ge)离也(ye)使用变(bian)压器(qi)驱(qu)动。其中R1目的(de)是抑制PCB板(ban)上寄生的(de)电感与C1形(xing)成LC振(zhen)荡，C1的(de)目的(de)是隔(ge)开直流，通过交流，同时也(ye)能(neng)防(fang)止磁芯饱和。

mos管开关电路图（四）

下图(tu)（a）为(wei)(wei)常用(yong)(yong)的小功(gong)(gong)率驱动(dong)电(dian)路，简单可靠成本低。适用(yong)(yong)于(yu)不要(yao)求隔(ge)离的小功(gong)(gong)率开(kai)关(guan)设备。图(tu)下（b）所示驱动(dong)电(dian)路开(kai)关(guan)速度很快，驱动(dong)能(neng)力强，为(wei)(wei)防(fang)止两个MOSFET管(guan)直通，通常串接(jie)一个0.5～1Ω小电(dian)阻用(yong)(yong)于(yu)限(xian)流，该电(dian)路适用(yong)(yong)于(yu)不要(yao)求隔(ge)离的中功(gong)(gong)率开(kai)关(guan)设备。这两种电(dian)路特点是结构(gou)简单。

功率MOSFET属于电(dian)(dian)(dian)压(ya)型控制器件，只要栅极(ji)和(he)源极(ji)之间施加(jia)的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)压(ya)超过(guo)(guo)其阀值电(dian)(dian)(dian)压(ya)就(jiu)会导通。由于MOSFET存在结电(dian)(dian)(dian)容，关(guan)(guan)断(duan)时(shi)其漏源两端电(dian)(dian)(dian)压(ya)的(de)(de)突然(ran)上升(sheng)将会通过(guo)(guo)结电(dian)(dian)(dian)容在栅源两端产生干(gan)(gan)扰(rao)电(dian)(dian)(dian)压(ya)。常用的(de)(de)互补(bu)驱动(dong)电(dian)(dian)(dian)路的(de)(de)关(guan)(guan)断(duan)回路阻抗小，关(guan)(guan)断(duan)速度较快(kuai)，但它不能提(ti)供负压(ya)，故抗干(gan)(gan)扰(rao)性(xing)较差(cha)。为了提(ti)高电(dian)(dian)(dian)路的(de)(de)抗干(gan)(gan)扰(rao)性(xing)，可在此(ci)种驱动(dong)电(dian)(dian)(dian)路的(de)(de)基础上增加(jia)一(yi)级有V1、V2、R组成(cheng)的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)路，产生一(yi)个负压(ya)，电(dian)(dian)(dian)路原(yuan)理图如下图所(suo)示。

当(dang)V1导(dao)通(tong)(tong)时(shi)，V2关断，两(liang)个(ge)MOSFET中的(de)(de)(de)上(shang)管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)(de)栅、源(yuan)(yuan)极(ji)放(fang)(fang)电，下(xia)(xia)管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)(de)栅、源(yuan)(yuan)极(ji)充电，即上(shang)管(guan)(guan)(guan)关断，下(xia)(xia)管(guan)(guan)(guan)导(dao)通(tong)(tong)，则被驱动的(de)(de)(de)功率(lv)管(guan)(guan)(guan)关断;反之V1关断时(shi)，V2导(dao)通(tong)(tong)，上(shang)管(guan)(guan)(guan)导(dao)通(tong)(tong)，下(xia)(xia)管(guan)(guan)(guan)关断，使驱动的(de)(de)(de)管(guan)(guan)(guan)子导(dao)通(tong)(tong)。因为(wei)上(shang)下(xia)(xia)两(liang)个(ge)管(guan)(guan)(guan)子的(de)(de)(de)栅、源(yuan)(yuan)极(ji)通(tong)(tong)过(guo)不(bu)同(tong)的(de)(de)(de)回(hui)路(lu)充放(fang)(fang)电，包含(han)有V2的(de)(de)(de)回(hui)路(lu)，由(you)于V2会不(bu)断退出饱和(he)直至关断，所以(yi)(yi)对于S1而(er)言导(dao)通(tong)(tong)比关断要慢(man)，对于S2而(er)言导(dao)通(tong)(tong)比关断要快，所以(yi)(yi)两(liang)管(guan)(guan)(guan)发热程度也不(bu)完全一样，S1比S2发热严重(zhong)。

该驱动电路的(de)缺点(dian)是需要双电源，且(qie)由于R的(de)取值不能过大，否则会使V1深度(du)(du)饱和，影响关(guan)断速度(du)(du)，所以(yi)R上会有一定(ding)的(de)损耗。

mos管开关电路图（五）

电(dian)(dian)路原(yuan)理如下图(tu)（a）所(suo)示，N3为去磁绕组，S2为所(suo)驱动(dong)的功率管。R2为防(fang)止功率管栅(zha)极(ji)、源极(ji)端电(dian)(dian)压振(zhen)荡(dang)的一(yi)个(ge)阻尼电(dian)(dian)阻。因不(bu)(bu)要求漏(lou)感较小(xiao)，且从速度方面(mian)考(kao)虑，一(yi)般R2较小(xiao)，故在分析中忽略(lve)不(bu)(bu)计(ji)。

其等效(xiao)电(dian)(dian)(dian)(dian)路图如(ru)上图（b）所(suo)示脉冲不要求的(de)(de)(de)副边并联一(yi)电(dian)(dian)(dian)(dian)阻R1，它做为(wei)正(zheng)激变换器的(de)(de)(de)假负(fu)(fu)载，用于消(xiao)除关(guan)(guan)断(duan)期间输出电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)发生振荡而(er)误导通(tong)。同时(shi)(shi)它还可(ke)以(yi)作(zuo)为(wei)功率MOSFET关(guan)(guan)断(duan)时(shi)(shi)的(de)(de)(de)能(neng)量泄(xie)放回路。该驱(qu)动(dong)电(dian)(dian)(dian)(dian)路的(de)(de)(de)导通(tong)速度(du)主(zhu)要与被驱(qu)动(dong)的(de)(de)(de)S2栅极(ji)、源极(ji)等效(xiao)输入电(dian)(dian)(dian)(dian)容的(de)(de)(de)大(da)小(xiao)、S1的(de)(de)(de)驱(qu)动(dong)信(xin)号的(de)(de)(de)速度(du)以(yi)及S1所(suo)能(neng)提供的(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)流大(da)小(xiao)有(you)关(guan)(guan)。由仿真及分(fen)析可(ke)知，占空(kong)比(bi)D越小(xiao)、R1越大(da)、L越大(da)，磁化电(dian)(dian)(dian)(dian)流越小(xiao)，U1值越小(xiao)，关(guan)(guan)断(duan)速度(du)越慢。该电(dian)(dian)(dian)(dian)路具有(you)以(yi)下(xia)优点：①电(dian)(dian)(dian)(dian)路结(jie)构简单可(ke)靠，实(shi)现(xian)了隔离驱(qu)动(dong)。②只需(xu)单电(dian)(dian)(dian)(dian)源即可(ke)提供导通(tong)时(shi)(shi)的(de)(de)(de)正(zheng)、关(guan)(guan)断(duan)时(shi)(shi)负(fu)(fu)压(ya)。③占空(kong)比(bi)固定时(shi)(shi)，通(tong)过合理的(de)(de)(de)参数设计，此驱(qu)动(dong)电(dian)(dian)(dian)(dian)路也(ye)具有(you)较(jiao)快(kuai)的(de)(de)(de)开关(guan)(guan)速度(du)。

该电路存在(zai)的缺点：一是(shi)由于(yu)隔离变(bian)压(ya)器副(fu)边需要噎嗝假(jia)负载防振荡，故电路损耗较(jiao)大;二是(shi)当占(zhan)空比变(bian)化(hua)(hua)时(shi)关断速度(du)变(bian)化(hua)(hua)较(jiao)大。脉宽较(jiao)窄时(shi)，由于(yu)是(shi)储(chu)存的能量减少导致MOSFET栅极的关断速度(du)变(bian)慢。

mos管开关电路图（六）

如(ru)下图所(suo)示，V1、V2为(wei)互补工作，电容C起隔离直流的作用，T1为(wei)高(gao)(gao)频(pin)、高(gao)(gao)磁(ci)率的磁(ci)环或磁(ci)罐(guan)。

导(dao)(dao)通时隔(ge)离变压(ya)器上的电(dian)(dian)(dian)压(ya)为(wei)（1-D）Ui、关断时为(wei)DUi，若主功率管S可靠导(dao)(dao)通电(dian)(dian)(dian)压(ya)为(wei)12V，而隔(ge)离变压(ya)器原副边匝(za)比N1/N2为(wei)12/［（1-D）Ui］。为(wei)保(bao)证导(dao)(dao)通期(qi)间GS电(dian)(dian)(dian)压(ya)稳定C值可稍取大些。该电(dian)(dian)(dian)路具有(you)以下优点：

①电(dian)路(lu)结(jie)构简单可靠，具(ju)有电(dian)气隔离作用。当(dang)脉(mai)宽变化(hua)时，驱动的关断能力不会随着变化(hua)。

②该电(dian)路只需一个电(dian)源(yuan)，即为单电(dian)源(yuan)工作(zuo)(zuo)。隔直电(dian)容C的(de)作(zuo)(zuo)用可以在关断所驱(qu)动的(de)管(guan)子时提供一个负压，从而加速(su)了功(gong)率管(guan)的(de)关断，且有较高的(de)抗干扰能力(li)。

但该(gai)电(dian)(dian)路(lu)存在(zai)的(de)一(yi)个较(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)大(da)缺点是输出电(dian)(dian)压的(de)幅值(zhi)会随着(zhe)占空(kong)比(bi)的(de)变化(hua)而(er)变化(hua)。当D较(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)小(xiao)(xiao)(xiao)时(shi)，负向(xiang)电(dian)(dian)压小(xiao)(xiao)(xiao)，该(gai)电(dian)(dian)路(lu)的(de)抗干扰性变差，且正向(xiang)电(dian)(dian)压较(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)高，应该(gai)注意使其幅值(zhi)不(bu)超过MOSFET栅极(ji)的(de)允许(xu)电(dian)(dian)压。当D大(da)于(yu)0.5时(shi)驱(qu)动电(dian)(dian)压正向(xiang)电(dian)(dian)压小(xiao)(xiao)(xiao)于(yu)其负向(xiang)电(dian)(dian)压，此时(shi)应该(gai)注意使其负电(dian)(dian)压值(zhi)不(bu)超过MOAFET栅极(ji)允许(xu)电(dian)(dian)压。所以该(gai)电(dian)(dian)路(lu)比(bi)较(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)适(shi)用于(yu)占空(kong)比(bi)固定或占空(kong)比(bi)变化(hua)范围不(bu)大(da)以及占空(kong)比(bi)小(xiao)(xiao)(xiao)于(yu)0.5的(de)场(chang)合。

mos管开关电路图（七）

电(dian)(dian)(dian)路构成如(ru)图11所(suo)示。其中UC3724用来产生高(gao)频(pin)(pin)载波(bo)(bo)信号(hao)，载波(bo)(bo)频(pin)(pin)率(lv)(lv)由电(dian)(dian)(dian)容CT和电(dian)(dian)(dian)阻RT决定。一(yi)(yi)般(ban)载波(bo)(bo)频(pin)(pin)率(lv)(lv)小(xiao)于600kHz，4脚(jiao)(jiao)和6脚(jiao)(jiao)两(liang)端产生高(gao)频(pin)(pin)调制波(bo)(bo)，经高(gao)频(pin)(pin)小(xiao)磁(ci)环变(bian)压器(qi)隔离后送到(dao)UC3725芯片7、8两(liang)脚(jiao)(jiao)经UC3725进行调制后得到(dao)驱动(dong)信号(hao)，UC3725内部有一(yi)(yi)肖特基整流桥(qiao)同(tong)时将(jiang)7、8脚(jiao)(jiao)的高(gao)频(pin)(pin)调制波(bo)(bo)整流成一(yi)(yi)直流电(dian)(dian)(dian)压供驱动(dong)所(suo)需功率(lv)(lv)。一(yi)(yi)般(ban)来说(shuo)载波(bo)(bo)频(pin)(pin)率(lv)(lv)越(yue)(yue)高(gao)驱动(dong)延时越(yue)(yue)小(xiao)，但(dan)太高(gao)抗干扰变(bian)差;隔离变(bian)压器(qi)磁(ci)化电(dian)(dian)(dian)感越(yue)(yue)大磁(ci)化电(dian)(dian)(dian)流越(yue)(yue)小(xiao)，UC3724发热越(yue)(yue)少，但(dan)太大使匝数(shu)(shu)增多导(dao)致寄生参(can)数(shu)(shu)影(ying)响变(bian)大，同(tong)样会使抗干扰能力降低(di)。

根据实验数据得(de)出(chu)：

对(dui)于(yu)开关频(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)(lv)小(xiao)于(yu)100kHz的(de)(de)信(xin)(xin)号(hao)一般(ban)取（400～500）kHz载波频(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)(lv)较(jiao)好(hao)，变压器选用(yong)较(jiao)高磁(ci)(ci)导如5K、7K等高频(pin)(pin)(pin)环形磁(ci)(ci)芯(xin)，其原边磁(ci)(ci)化(hua)电感小(xiao)于(yu)约1毫亨(heng)左(zuo)(zuo)右为好(hao)。这(zhei)种驱动(dong)电路(lu)仅(jin)适合(he)于(yu)信(xin)(xin)号(hao)频(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)(lv)小(xiao)于(yu)100kHz的(de)(de)场合(he)，因信(xin)(xin)号(hao)频(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)(lv)相对(dui)载波频(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)(lv)太高的(de)(de)话(hua)，相对(dui)延(yan)时太多(duo)，且所需驱动(dong)功率(lv)(lv)(lv)增大，UC3724和(he)UC3725芯(xin)片发热温升(sheng)较(jiao)高，故100kHz以上开关频(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)(lv)仅(jin)对(dui)较(jiao)小(xiao)极电容的(de)(de)MOSFET才(cai)可以。对(dui)于(yu)1kVA左(zuo)(zuo)右开关频(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)(lv)小(xiao)于(yu)100kHz的(de)(de)场合(he)，它是一种良(liang)好(hao)的(de)(de)驱动(dong)电路(lu)。

该电路具有以下特点：单电源(yuan)工作，控制信号(hao)与驱动实现隔离，结构(gou)简单尺寸较(jiao)小，尤其适用于(yu)占空比变(bian)化不确定或信号(hao)频率也变(bian)化的场合(he)。

mos管开关电路图（八）

第一种(zhong)应用(yong)，由(you)PMOS来(lai)进行电压(ya)的(de)(de)选(xuan)择(ze)，当V8V存在(zai)时(shi)，此时(shi)电压(ya)全部由(you)V8V提(ti)供(gong)，将PMOS关闭，VBAT不提(ti)供(gong)电压(ya)给VSIN，而当V8V为低时(shi)，VSIN由(you)8V供(gong)电。注(zhu)意(yi)(yi)R120的(de)(de)接地，该(gai)(gai)电阻能将栅极(ji)电压(ya)稳定地拉低，确保PMOS的(de)(de)正常开启，这也是前文所(suo)(suo)描(miao)述的(de)(de)栅极(ji)高阻抗所(suo)(suo)带来(lai)的(de)(de)状(zhuang)态(tai)隐(yin)患(huan)。D9和D10的(de)(de)作(zuo)用(yong)在(zai)于防止电压(ya)的(de)(de)倒灌(guan)。D9可以省略。这里要注(zhu)意(yi)(yi)到实际上该(gai)(gai)电路(lu)的(de)(de)DS接反(fan)，这样由(you)附生二(er)极(ji)管导(dao)(dao)通导(dao)(dao)致了开关管的(de)(de)功能不能达(da)到，实际应用(yong)要注(zhu)意(yi)(yi)。

控制(zhi)(zhi)信(xin)号PGC控制(zhi)(zhi)V4.2是否给P_GPRS供(gong)电(dian)(dian)。此电(dian)(dian)路中，源(yuan)漏(lou)两端没有接反，R110与R113存在的(de)意义在于(yu)R110控制(zhi)(zhi)栅极(ji)电(dian)(dian)流不(bu)(bu)至(zhi)于(yu)过大，R113控制(zhi)(zhi)栅极(ji)的(de)常态(tai)，将R113上(shang)拉为高，截至(zhi)PMOS，同时也可以(yi)(yi)看作(zuo)是对(dui)控制(zhi)(zhi)信(xin)号的(de)上(shang)拉，当MCU内部(bu)管脚(jiao)并(bing)没有上(shang)拉时，即(ji)输出为开漏(lou)时，并(bing)不(bu)(bu)能驱动PMOS关闭，此时，就需要外部(bu)电(dian)(dian)压给予的(de)上(shang)拉，所以(yi)(yi)电(dian)(dian)阻R113起(qi)到(dao)了两个作(zuo)用。R110可以(yi)(yi)更(geng)小，到(dao)100欧姆也可。

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