漏极(ji)电(dian)流和漏源(yuan)极(ji)间电(dian)压
信息来(lai)源(yuan)：本(ben)站 日期(qi)：2017-05-12
90%满载状况下 ，输入电压为其最小值 、最大值及额定值时漏极 电流和漏源极间电压的波形这些波形如图 14.19 所示 。MOS管开关电源管导(dao)通(tong)时 ，初级电流波形(xing)是线性增加(jia)的斜坡外形(xing)
关断霎时 ，上升的漏极电压上有漏感尖峰 。尖峰的数值由 RCD 缓冲器的电容 C2 控制。这个电容器件应选得足够大 ，既能限制漏感尖峰以保证开关管平安 ，又不 会使缓冲器电阻 RI 上的损耗 
过大。
从图(tu) 14.19 中(zhong)的(de)波形可见，飞c 增加时，为坚持主输(shu)出电(dian)压(ya)恒定脉宽(kuan)变窄了 （ 反应环起作 用）。从波形还能够看出 ，输(shu)出功率恒定时斜坡电(dian)流峰值在一切输(shu)入(ru)电(dian)压(ya) F都相等 。
如图 14.19 所示，漏(lou)感尖峰过(guo)后 ，漏(lou)源极间电压降落 （ 除了尖峰后有一小段的平台(tai)） 到(dao)
。而(er) 且 保 持 该 值(zhi) 直 到 复 位(wei) 伏 秒 数 等(deng) 于 置 位(wei) 伏 秒 数
，然(ran)后再降落至几 。
图(tu) 14.20 所(suo)示为更低(di)(di)的总输(shu)出(chu)功率 （ 17W） 下，不同输(shu)入(ru)(ru)电压时测得(de)的披形(xing) 。能够看(kan)到 ， 一(yi)切导通(tong)脉宽(kuan)都很(hen)窄 ，一(yi)切初级(ji)电流(liu)(liu)峰值 C di= Vprimary ton IL ） 都很(hen)低(di)(di) 。这是由于从输(shu)入(ru)(ru)母线 吸收的功率［ 只(zhi)（］P )2 IT ］ 变小了 。导通(tong)完毕时初级(ji)电流(liu)(liu)峰值变低(di)(di)使漏感尖峰也降低(di)(di)了 。
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