九大简易mos管开关电路图解析及MOS管开关特性概述

mos管开关电路概述

MOS管开(kai)关(guan)电(dian)路(lu)是利用一种(zhong)电(dian)路(lu)，是利用MOS管栅极(ji)（g）控制MOS管源极(ji)（s）和漏极(ji)（d）通断的原理构造的电(dian)路(lu)。MOS管分为N沟道(dao)与(yu)P沟道(dao)，所(suo)以开(kai)关(guan)电(dian)路(lu)也(ye)主要分为两种(zhong)。

1、P沟道MOS管开关电路

PMOS的(de)(de)特性(xing)，Vgs小于一(yi)定(ding)的(de)(de)值就(jiu)会导(dao)通(tong)，适合用于源极接VCC时(shi)的(de)(de)情(qing)况(kuang)（高端驱动）。需要注意的(de)(de)是，Vgs指的(de)(de)是栅极G与源极S的(de)(de)电压(ya)，即栅极低(di)于电源一(yi)定(ding)电压(ya)就(jiu)导(dao)通(tong)，而(er)非相对(dui)于地的(de)(de)电压(ya)。但(dan)是因为PMOS导(dao)通(tong)内阻比较大，所以只适用低(di)功率的(de)(de)情(qing)况(kuang)。大功率仍然使用N沟道MOS管。

2、N沟道mos管开关电路

NMOS的(de)(de)(de)特性，Vgs大于(yu)一定的(de)(de)(de)值就会导通(tong)(tong)，适合用于(yu)源(yuan)极接(jie)(jie)地时(shi)的(de)(de)(de)情况（低端驱动），只要(yao)(yao)栅极电压大于(yu)参数手册中给(ji)定的(de)(de)(de)Vgs就可(ke)以了，漏(lou)(lou)(lou)极D接(jie)(jie)电源(yuan)，源(yuan)极S接(jie)(jie)地。需要(yao)(yao)注意的(de)(de)(de)是(shi)Vgs指的(de)(de)(de)是(shi)栅极G与(yu)源(yuan)极S的(de)(de)(de)压差，所(suo)以当(dang)(dang)NMOS作(zuo)为(wei)高(gao)端驱动时(shi)候，当(dang)(dang)漏(lou)(lou)(lou)极D与(yu)源(yuan)极S导通(tong)(tong)时(shi)，漏(lou)(lou)(lou)极D与(yu)源(yuan)极S电势相等，那么(me)栅极G必(bi)须高(gao)于(yu)源(yuan)极S与(yu)漏(lou)(lou)(lou)极D电压，漏(lou)(lou)(lou)极D与(yu)源(yuan)极S才能继续导通(tong)(tong)。

九种简易mos管开关电路图解析
第一种：mos管开关电路图

MOS开关管损失

不管是NMOS还是PMOS，导通(tong)后都有(you)导通(tong)电(dian)阻(zu)存(cun)在，这(zhei)样(yang)电(dian)流就会(hui)在这(zhei)个(ge)电(dian)阻(zu)上消耗能量(liang)，这(zhei)部分消耗的(de)能量(liang)叫做导通(tong)损耗。选择(ze)导通(tong)电(dian)阻(zu)小(xiao)(xiao)的(de)MOS管会(hui)减小(xiao)(xiao)导通(tong)损耗。现(xian)在的(de)小(xiao)(xiao)功率MOS管导通(tong)电(dian)阻(zu)一般在几十毫欧左(zuo)右，几毫欧的(de)也有(you)。

MOS在(zai)导通(tong)和(he)截止的(de)(de)时候，一定(ding)不是(shi)在(zai)瞬间完成的(de)(de)。MOS两端的(de)(de)电压有(you)(you)一个下降(jiang)的(de)(de)过程，流过的(de)(de)电流有(you)(you)一个上升(sheng)的(de)(de)过程，在(zai)这段时间内，MOS管的(de)(de)损(sun)失(shi)是(shi)电压和(he)电流的(de)(de)乘积(ji)，叫(jiao)做开(kai)关损(sun)失(shi)。通(tong)常开(kai)关损(sun)失(shi)比导通(tong)损(sun)失(shi)大得(de)多，而且开(kai)关频(pin)率越(yue)快，损(sun)失(shi)也(ye)越(yue)大。

导(dao)通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开(kai)关时(shi)间，可(ke)以(yi)减小(xiao)每次(ci)导(dao)通时(shi)的损失;降低开(kai)关频(pin)率，可(ke)以(yi)减小(xiao)单位时(shi)间内的开(kai)关次(ci)数。这两种办(ban)法都(dou)可(ke)以(yi)减小(xiao)开(kai)关损失。

MOS管的开关特性

静态特性

MOS管作为开关元件(jian)，同样是(shi)工(gong)(gong)作在(zai)截止(zhi)或导通两种状(zhuang)态。由于(yu)MOS管是(shi)电压(ya)控制元件(jian)，所(suo)以主要(yao)由栅源电压(ya)uGS决(jue)定其工(gong)(gong)作状(zhuang)态。

工作特性如下：

uGS《开启电(dian)压(ya)UT:MOS管工作在截止(zhi)区(qu)，漏(lou)源电(dian)流(liu)iDS基(ji)本为(wei)0，输出电(dian)压(ya)uDS≈UDD，MOS管处于(yu)“断(duan)开”状态，其等效电(dian)路如下图所示。

uGS》开启电(dian)压UT:MOS管工作在导(dao)通区，漏(lou)源(yuan)电(dian)流(liu)iDS=UDD/（RD+rDS）。其中，rDS为MOS管导(dao)通时的漏(lou)源(yuan)电(dian)阻。输出电(dian)压UDS=UDD·rDS/（RD+rDS），如(ru)(ru)果(guo)rDS《RD，则uDS≈0V，MOS管处于“接通”状(zhuang)态(tai)，其等效(xiao)电(dian)路如(ru)(ru)上图（c）所示。

动态(tai)特性

MOS管(guan)在(zai)导通与(yu)(yu)截止(zhi)两种状态(tai)(tai)发生(sheng)转换时同样存在(zai)过渡过程，但其动(dong)态(tai)(tai)特性主要取决于与(yu)(yu)电(dian)路有关的(de)杂散电(dian)容充、放电(dian)所需的(de)时间，而管(guan)子本身导通和(he)截止(zhi)时电(dian)荷积(ji)累和(he)消散的(de)时间是(shi)很小(xiao)的(de)。下图(tu) （a）和(he)（b）分(fen)别给出(chu)了(le)一个NMOS管(guan)组(zu)成的(de)电(dian)路及其动(dong)态(tai)(tai)特性示意图(tu)。

（NMOS管动态特性示意(yi)图）

当(dang)输入电(dian)(dian)(dian)压(ya)ui由(you)(you)(you)高变低，MOS管由(you)(you)(you)导通(tong)(tong)(tong)状(zhuang)(zhuang)态(tai)转换(huan)为截(jie)止状(zhuang)(zhuang)态(tai)时，电(dian)(dian)(dian)源(yuan)UDD通(tong)(tong)(tong)过(guo)(guo)RD向杂散电(dian)(dian)(dian)容CL充电(dian)(dian)(dian)，充电(dian)(dian)(dian)时间(jian)(jian)常数τ1=RDCL.所以，输出电(dian)(dian)(dian)压(ya)uo要通(tong)(tong)(tong)过(guo)(guo)一(yi)定延(yan)时才(cai)由(you)(you)(you)低电(dian)(dian)(dian)平(ping)变为高电(dian)(dian)(dian)平(ping);当(dang)输入电(dian)(dian)(dian)压(ya)ui由(you)(you)(you)低变高，MOS管由(you)(you)(you)截(jie)止状(zhuang)(zhuang)态(tai)转换(huan)为导通(tong)(tong)(tong)状(zhuang)(zhuang)态(tai)时，杂散电(dian)(dian)(dian)容CL上的(de)(de)(de)电(dian)(dian)(dian)荷(he)通(tong)(tong)(tong)过(guo)(guo)rDS进行放电(dian)(dian)(dian)，其放电(dian)(dian)(dian)时间(jian)(jian)常数τ2≈rDSCL.可(ke)见，输出电(dian)(dian)(dian)压(ya)Uo也要经过(guo)(guo)一(yi)定延(yan)时才(cai)能转变成低电(dian)(dian)(dian)平(ping)。但因为rDS比(bi)RD小得(de)多，所以，由(you)(you)(you)截(jie)止到(dao)导通(tong)(tong)(tong)的(de)(de)(de)转换(huan)时间(jian)(jian)比(bi)由(you)(you)(you)导通(tong)(tong)(tong)到(dao)截(jie)止的(de)(de)(de)转换(huan)时间(jian)(jian)要短。

由(you)于MOS管导通(tong)时的(de)(de)漏源电(dian)阻(zu)(zu)rDS比(bi)晶(jing)体(ti)三极(ji)管的(de)(de)饱和(he)电(dian)阻(zu)(zu)rCES要(yao)大得多，漏极(ji)外(wai)接电(dian)阻(zu)(zu)RD也比(bi)晶(jing)体(ti)管集电(dian)极(ji)电(dian)阻(zu)(zu)RC大，所以(yi)，MOS管的(de)(de)充(chong)、放电(dian)时间较长，使MOS管的(de)(de)开关(guan)速度比(bi)晶(jing)体(ti)三极(ji)管的(de)(de)开关(guan)速度低。不过，在CMOS电(dian)路中，由(you)于充(chong)电(dian)电(dian)路和(he)放电(dian)电(dian)路都是(shi)低阻(zu)(zu)电(dian)路，因此(ci)，其充(chong)、放电(dian)过程都比(bi)较快(kuai)，从(cong)而使CMOS电(dian)路有较高的(de)(de)开关(guan)速度。

第二种：mos管开关电路图

图中电(dian)(dian)(dian)(dian)池(chi)的(de)正(zheng)电(dian)(dian)(dian)(dian)通(tong)(tong)过(guo)(guo)开关S1接到(dao)场效应管(guan)Q1的(de)2脚源(yuan)极，由(you)于Q1是(shi)一个(ge)P沟道(dao)管(guan)，它的(de)1脚栅极通(tong)(tong)过(guo)(guo)R20电(dian)(dian)(dian)(dian)阻提供一个(ge)正(zheng)电(dian)(dian)(dian)(dian)位电(dian)(dian)(dian)(dian)压，所以不能通(tong)(tong)电(dian)(dian)(dian)(dian)，电(dian)(dian)(dian)(dian)压不能继(ji)续通(tong)(tong)过(guo)(guo)，3v稳压IC输入脚得不到(dao)电(dian)(dian)(dian)(dian)压所以就不能工(gong)作不开机！

这时，如果(guo)我(wo)们按(an)下SW1开机(ji)按(an)键时，正(zheng)电(dian)通(tong)(tong)过(guo)按(an)键、R11、R23、D4加(jia)到(dao)三(san)(san)(san)极(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)Q2的(de)(de)(de)(de)(de)基极(ji)(ji)(ji)，三(san)(san)(san)极(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)Q2的(de)(de)(de)(de)(de)基极(ji)(ji)(ji)得到(dao)一个正(zheng)电(dian)位，三(san)(san)(san)极(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)导通(tong)(tong)（前面(mian)(mian)讲到(dao)三(san)(san)(san)极(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)的(de)(de)(de)(de)(de)时候已经讲过(guo)），由于三(san)(san)(san)极(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)的(de)(de)(de)(de)(de)发射极(ji)(ji)(ji)直(zhi)接(jie)接(jie)地，三(san)(san)(san)极(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)Q2导通(tong)(tong)就相当于Q1的(de)(de)(de)(de)(de)栅极(ji)(ji)(ji)直(zhi)接(jie)接(jie)地，加(jia)在它上面(mian)(mian)的(de)(de)(de)(de)(de)通(tong)(tong)过(guo)R20电(dian)阻的(de)(de)(de)(de)(de)电(dian)压就直(zhi)接(jie)入(ru)了地，Q1的(de)(de)(de)(de)(de)栅极(ji)(ji)(ji)就从(cong)高电(dian)位变为(wei)低电(dian)位，Q1导通(tong)(tong)电(dian)就从(cong)Q1同(tong)过(guo)加(jia)到(dao)3v稳压IC的(de)(de)(de)(de)(de)输入(ru)脚，3v稳压IC就是那个U1输出3v的(de)(de)(de)(de)(de)工作电(dian)压vcc供(gong)给(ji)主控，主控通(tong)(tong)过(guo)复位清0。

读取固件(jian)程(cheng)序检测等一(yi)系列动作(zuo)，输处一(yi)个(ge)控制电(dian)(dian)压(ya)到(dao)PWR_ON再通(tong)过R24、R13分压(ya)送(song)(song)到(dao)Q2的(de)(de)(de)基极，保持Q2一(yi)直(zhi)处于导通(tong)状(zhuang)态，即(ji)使你松开(kai)(kai)(kai)开(kai)(kai)(kai)机(ji)键断(duan)开(kai)(kai)(kai)Q1的(de)(de)(de)基极电(dian)(dian)压(ya)，这时(shi)候有(you)主控送(song)(song)来(lai)的(de)(de)(de)控制电(dian)(dian)压(ya)保持着，Q2也就(jiu)一(yi)直(zhi)能(neng)够处于导通(tong)状(zhuang)态，Q1就(jiu)能(neng)源(yuan)源(yuan)不(bu)(bu)断(duan)的(de)(de)(de)给(ji)3v稳(wen)压(ya)IC提供工(gong)作(zuo)电(dian)(dian)压(ya)！SW1还同时(shi)通(tong)过R11、R30两(liang)个(ge)电(dian)(dian)阻的(de)(de)(de)分压(ya)，给(ji)主控PLAYON脚送(song)(song)去(qu)时(shi)间长短、次数不(bu)(bu)同的(de)(de)(de)控制信号(hao)，主控通(tong)过固件(jian)鉴别是播(bo)放(fang)、暂停(ting)、开(kai)(kai)(kai)机(ji)、关机(ji)而输出不(bu)(bu)同的(de)(de)(de)结果给(ji)相(xiang)应的(de)(de)(de)控制点，以达到(dao)不(bu)(bu)同的(de)(de)(de)工(gong)作(zuo)状(zhuang)态！

第三种：mos管开关电路图

下(xia)图是两(liang)种MOS管(guan)的(de)(de)(de)典型应用：其中(zhong)第一种NMOS管(guan)为高电(dian)平(ping)导通，低电(dian)平(ping)截(jie)断，Drain端接(jie)(jie)后面电(dian)路的(de)(de)(de)接(jie)(jie)地端；第二种为PMOS管(guan)典型开关电(dian)路，为高电(dian)平(ping)断开，低电(dian)平(ping)导通，Drain端接(jie)(jie)后面电(dian)路的(de)(de)(de)VCC端。

第四种：mos管开关电路图

驱动电路加速MOS管关断(duan)时(shi)间

隔离驱动

为(wei)了(le)满足如(ru)上图所示高端MOS管(guan)的(de)驱动(dong)，经常会采用变(bian)(bian)压器(qi)驱动(dong)，有时(shi)为(wei)了(le)满足安全隔离也使用变(bian)(bian)压器(qi)驱动(dong)。其中R1目(mu)的(de)是抑制PCB板(ban)上寄生的(de)电感与(yu)C1形成(cheng)LC振荡，C1的(de)目(mu)的(de)是隔开直流，通过(guo)交流，同时(shi)也能防止磁芯饱(bao)和。

第五种：mos管开关电路图

下图（a）为常用(yong)的小功率驱动电(dian)(dian)路(lu)(lu)，简单可靠成本(ben)低(di)。适(shi)用(yong)于不(bu)要求(qiu)隔离(li)的小功率开关(guan)设备(bei)。下图（b）所示驱动电(dian)(dian)路(lu)(lu)开关(guan)速度很快，驱动能力(li)强，为防(fang)止两个(ge)MOSFET管直通，通常串接一个(ge)0.5～1Ω小电(dian)(dian)阻用(yong)于限流(liu)，该电(dian)(dian)路(lu)(lu)适(shi)用(yong)于不(bu)要求(qiu)隔离(li)的中(zhong)功率开关(guan)设备(bei)。这两种电(dian)(dian)路(lu)(lu)特点是结(jie)构(gou)简单。

功率MOSFET属于电(dian)压(ya)(ya)(ya)型(xing)控(kong)制器件，只(zhi)要栅极和(he)源极之(zhi)间施加(jia)的(de)电(dian)压(ya)(ya)(ya)超过(guo)其阀(fa)值电(dian)压(ya)(ya)(ya)就会(hui)导通(tong)。由于MOSFET存在(zai)结电(dian)容，关断时其漏源两(liang)端电(dian)压(ya)(ya)(ya)的(de)突(tu)然上(shang)升将会(hui)通(tong)过(guo)结电(dian)容在(zai)栅源两(liang)端产生(sheng)(sheng)干扰(rao)电(dian)压(ya)(ya)(ya)。常用的(de)互补(bu)驱动电(dian)路(lu)的(de)关断回(hui)路(lu)阻抗(kang)(kang)小，关断速度较快，但它(ta)不能提(ti)供负压(ya)(ya)(ya)，故抗(kang)(kang)干扰(rao)性较差。为了提(ti)高(gao)电(dian)路(lu)的(de)抗(kang)(kang)干扰(rao)性，可在(zai)此种驱动电(dian)路(lu)的(de)基础上(shang)增加(jia)一级有V1、V2、R组成(cheng)的(de)电(dian)路(lu)，产生(sheng)(sheng)一个(ge)负压(ya)(ya)(ya)，电(dian)路(lu)原(yuan)理图如图所示。

当V1导通(tong)时(shi)(shi)，V2关断(duan)(duan)(duan)，两(liang)个MOSFET中的(de)上(shang)管(guan)(guan)(guan)的(de)栅(zha)、源极(ji)放电，下管(guan)(guan)(guan)的(de)栅(zha)、源极(ji)充(chong)电，即上(shang)管(guan)(guan)(guan)关断(duan)(duan)(duan)，下管(guan)(guan)(guan)导通(tong)，则被驱动的(de)功率管(guan)(guan)(guan)关断(duan)(duan)(duan);反之V1关断(duan)(duan)(duan)时(shi)(shi)，V2导通(tong)，上(shang)管(guan)(guan)(guan)导通(tong)，下管(guan)(guan)(guan)关断(duan)(duan)(duan)，使驱动的(de)管(guan)(guan)(guan)子导通(tong)。因为(wei)上(shang)下两(liang)个管(guan)(guan)(guan)子的(de)栅(zha)、源极(ji)通(tong)过(guo)不(bu)(bu)同的(de)回路(lu)充(chong)放电，包含有(you)V2的(de)回路(lu)，由于V2会不(bu)(bu)断(duan)(duan)(duan)退出饱和直至关断(duan)(duan)(duan)，所(suo)以(yi)对于S1而言导通(tong)比关断(duan)(duan)(duan)要慢，对于S2而言导通(tong)比关断(duan)(duan)(duan)要快(kuai)，所(suo)以(yi)两(liang)管(guan)(guan)(guan)发热程度也(ye)不(bu)(bu)完(wan)全一样，S1比S2发热严重。

该驱动电路的(de)缺(que)点是需(xu)要双(shuang)电源，且由(you)于R的(de)取值不(bu)能(neng)过(guo)大，否则会使V1深度饱和(he)，影(ying)响关断速(su)度，所以R上会有一定的(de)损耗。

第六种：mos管开关电路图

正(zheng)激式驱动(dong)电(dian)路

电路原理(li)如下(xia)图（a）所(suo)示，N3为去磁绕(rao)组，S2为所(suo)驱动(dong)的功率管。R2为防(fang)止功率管栅极、源(yuan)极端(duan)电压(ya)振荡的一个阻(zu)(zu)尼电阻(zu)(zu)。因不(bu)要求漏感较小，且(qie)从速度方(fang)面(mian)考虑，一般R2较小，故在分析中忽(hu)略不(bu)计。

正激式驱动电路(lu)

其等效电(dian)路(lu)图如图正(zheng)激式驱动(dong)电(dian)路(lu)（b）所示脉冲不要(yao)求的(de)(de)副边并联(lian)一电(dian)阻R1，它做为正(zheng)激变换器的(de)(de)假负载，用于消除(chu)关断(duan)期间(jian)输(shu)出电(dian)压发生振荡而误导通(tong)。同时它还可以作为功率MOSFET关断(duan)时的(de)(de)能量泄放回路(lu)。该驱动(dong)电(dian)路(lu)的(de)(de)导通(tong)速度主(zhu)要(yao)与(yu)被驱动(dong)的(de)(de)S2栅极、

源(yuan)极等效输入(ru)电容的(de)大小(xiao)、S1的(de)驱(qu)动(dong)信号的(de)速(su)度以(yi)及S1所(suo)能提供的(de)电流(liu)大小(xiao)有(you)关。由仿真及分(fen)析可知(zhi)，占(zhan)空(kong)比D越小(xiao)、R1越大、L越大，磁化电流(liu)越小(xiao)，U1值越小(xiao)，关断速(su)度越慢。该电路(lu)具(ju)有(you)以(yi)下优点(dian)：①电路(lu)结构简(jian)单可靠，实现了隔(ge)离(li)驱(qu)动(dong)。②只需单电源(yuan)即可提供导通时的(de)正、关断时负压。③占(zhan)空(kong)比固定时，通过合理的(de)参数设(she)计，此驱(qu)动(dong)电路(lu)也具(ju)有(you)较快的(de)开关速(su)度。

该电路存(cun)在的缺点：一是由于(yu)隔离变(bian)压器副边(bian)需要噎嗝假(jia)负载防振荡，故(gu)电路损(sun)耗较(jiao)(jiao)大(da);二是当占空比变(bian)化(hua)时关断速(su)度变(bian)化(hua)较(jiao)(jiao)大(da)。脉(mai)宽较(jiao)(jiao)窄(zhai)时，由于(yu)是储存(cun)的能(neng)量减(jian)少导(dao)致(zhi)MOSFET栅极的关断速(su)度变(bian)慢。

第七种：mos管开关电路图

如下(xia)图(tu)所示，V1、V2为互补工(gong)作，电容C起隔离(li)直流的作用，T1为高(gao)频(pin)、高(gao)磁率(lv)的磁环(huan)或磁罐。

有隔离变(bian)压器的互补驱动(dong)电路

导(dao)(dao)通(tong)时隔离(li)变压(ya)(ya)器(qi)上的电(dian)压(ya)(ya)为(wei)（1-D）Ui、关断(duan)时为(wei)DUi，若(ruo)主功率管S可(ke)(ke)靠导(dao)(dao)通(tong)电(dian)压(ya)(ya)为(wei)12V，而隔离(li)变压(ya)(ya)器(qi)原副边匝比N1/N2为(wei)12/［（1-D）Ui］。为(wei)保证导(dao)(dao)通(tong)期间(jian)GS电(dian)压(ya)(ya)稳定C值可(ke)(ke)稍取大些(xie)。该(gai)电(dian)路具有(you)以(yi)下优点：

①电路结构简(jian)单可靠，具有电气隔(ge)离作用。当脉宽变化(hua)时(shi)，驱动的关断能力不会随着变化(hua)。

②该电路(lu)只需一(yi)(yi)个(ge)电源(yuan)，即为单(dan)电源(yuan)工(gong)作(zuo)。隔直电容C的作(zuo)用可以在关(guan)断(duan)所驱(qu)动的管子时提供一(yi)(yi)个(ge)负压，从而加(jia)速(su)了(le)功率管的关(guan)断(duan)，且有较高的抗干扰能(neng)力。

但该电(dian)(dian)路(lu)存在的(de)(de)一个较(jiao)大缺点(dian)是输出电(dian)(dian)压(ya)(ya)的(de)(de)幅(fu)值(zhi)会随着占(zhan)空比的(de)(de)变(bian)(bian)化而变(bian)(bian)化。当D较(jiao)小时(shi)，负(fu)向电(dian)(dian)压(ya)(ya)小，该电(dian)(dian)路(lu)的(de)(de)抗干扰性变(bian)(bian)差，且正向电(dian)(dian)压(ya)(ya)较(jiao)高，应(ying)该注意使(shi)其幅(fu)值(zhi)不(bu)(bu)(bu)超(chao)过(guo)MOSFET栅(zha)极(ji)的(de)(de)允许(xu)电(dian)(dian)压(ya)(ya)。当D大于(yu)0.5时(shi)驱动(dong)电(dian)(dian)压(ya)(ya)正向电(dian)(dian)压(ya)(ya)小于(yu)其负(fu)向电(dian)(dian)压(ya)(ya)，此时(shi)应(ying)该注意使(shi)其负(fu)电(dian)(dian)压(ya)(ya)值(zhi)不(bu)(bu)(bu)超(chao)过(guo)MOAFET栅(zha)极(ji)允许(xu)电(dian)(dian)压(ya)(ya)。所以该电(dian)(dian)路(lu)比较(jiao)适用于(yu)占(zhan)空比固(gu)定或占(zhan)空比变(bian)(bian)化范围不(bu)(bu)(bu)大以及占(zhan)空比小于(yu)0.5的(de)(de)场合。

第八种：mos管开关电路图

集成芯片UC3724/3725构成的驱(qu)动电(dian)路

电(dian)路(lu)构成如下(xia)图所示。其中UC3724用来(lai)产生高(gao)(gao)频(pin)(pin)(pin)载(zai)(zai)波(bo)信号，载(zai)(zai)波(bo)频(pin)(pin)(pin)率由电(dian)容CT和电(dian)阻RT决定(ding)。一(yi)般(ban)载(zai)(zai)波(bo)频(pin)(pin)(pin)率小(xiao)(xiao)于600kHz，4脚和6脚两端(duan)产生高(gao)(gao)频(pin)(pin)(pin)调(diao)制(zhi)波(bo)，经(jing)高(gao)(gao)频(pin)(pin)(pin)小(xiao)(xiao)磁环变压器(qi)隔离(li)后(hou)送到(dao)UC3725芯(xin)片7、8两脚经(jing)UC3725进行调(diao)制(zhi)后(hou)得到(dao)驱(qu)动信号，UC3725内部有一(yi)肖特基(ji)整流(liu)(liu)桥同(tong)时(shi)(shi)将(jiang)7、8脚的高(gao)(gao)频(pin)(pin)(pin)调(diao)制(zhi)波(bo)整流(liu)(liu)成一(yi)直流(liu)(liu)电(dian)压供驱(qu)动所需功率。一(yi)般(ban)来(lai)说载(zai)(zai)波(bo)频(pin)(pin)(pin)率越高(gao)(gao)驱(qu)动延时(shi)(shi)越小(xiao)(xiao)，但太高(gao)(gao)抗干扰变差;隔离(li)变压器(qi)磁化电(dian)感越大(da)(da)磁化电(dian)流(liu)(liu)越小(xiao)(xiao)，UC3724发热越少，但太大(da)(da)使匝(za)数增多导致(zhi)寄(ji)生参(can)数影响变大(da)(da)，同(tong)样(yang)会使抗干扰能力降低。

根据实验数据得出：

对于(yu)(yu)开关频(pin)(pin)(pin)(pin)率小(xiao)于(yu)(yu)100kHz的信(xin)(xin)号一(yi)般(ban)取（400～500）kHz载(zai)波频(pin)(pin)(pin)(pin)率较(jiao)好，变压器选用(yong)较(jiao)高(gao)磁(ci)导如5K、7K等高(gao)频(pin)(pin)(pin)(pin)环形磁(ci)芯，其原边磁(ci)化电感(gan)小(xiao)于(yu)(yu)约1毫亨(heng)左右为(wei)好。这种驱动(dong)电路仅适合于(yu)(yu)信(xin)(xin)号频(pin)(pin)(pin)(pin)率小(xiao)于(yu)(yu)100kHz的场合，因(yin)信(xin)(xin)号频(pin)(pin)(pin)(pin)率相对载(zai)波频(pin)(pin)(pin)(pin)率太高(gao)的话，相对延时太多，且所(suo)需驱动(dong)功率增(zeng)大，UC3724和UC3725芯片(pian)发(fa)热温升较(jiao)高(gao)，故100kHz以(yi)上开关频(pin)(pin)(pin)(pin)率仅对较(jiao)小(xiao)极电容(rong)的MOSFET才(cai)可以(yi)。

对(dui)于1kVA左右开关(guan)频率小(xiao)于100kHz的场(chang)合，它(ta)是(shi)一种良好的驱动(dong)电路。该电路具有(you)以下特点：单电源工作，控制信号与驱动(dong)实现隔(ge)离，结(jie)构(gou)简单尺(chi)寸较(jiao)小(xiao)，尤(you)其适用(yong)于占空比变化(hua)不确定或信号频率也变化(hua)的场(chang)合。

第九种：mos管开关电路图

第一(yi)种(zhong)应用，由PMOS来进行电(dian)(dian)压(ya)(ya)的(de)(de)选择(ze)，当V8V存在时，此时电(dian)(dian)压(ya)(ya)全部由V8V提(ti)供(gong)，将PMOS关闭，VBAT不提(ti)供(gong)电(dian)(dian)压(ya)(ya)给VSIN，而当V8V为低时，VSIN由8V供(gong)电(dian)(dian)。注(zhu)(zhu)(zhu)意(yi)(yi)R120的(de)(de)接地(di)(di)，该电(dian)(dian)阻(zu)能将栅(zha)极(ji)电(dian)(dian)压(ya)(ya)稳(wen)定(ding)地(di)(di)拉(la)低，确保PMOS的(de)(de)正(zheng)常开(kai)启，这(zhei)也是前文所描述的(de)(de)栅(zha)极(ji)高(gao)阻(zu)抗所带来的(de)(de)状(zhuang)态隐患。D9和D10的(de)(de)作用在于防止电(dian)(dian)压(ya)(ya)的(de)(de)倒(dao)灌(guan)。D9可以省略。这(zhei)里要注(zhu)(zhu)(zhu)意(yi)(yi)到实际上该电(dian)(dian)路的(de)(de)DS接反，这(zhei)样由附生二极(ji)管导通(tong)导致了开(kai)关管的(de)(de)功能不能达到，实际应用要注(zhu)(zhu)(zhu)意(yi)(yi)。

来(lai)看这(zhei)个(ge)电(dian)(dian)路，控(kong)制(zhi)信(xin)号PGC控(kong)制(zhi)V4.2是否(fou)给(ji)P_GPRS供电(dian)(dian)。此电(dian)(dian)路中，源漏(lou)两端没有(you)接反，R110与R113存(cun)在(zai)的意义在(zai)于R110控(kong)制(zhi)栅极电(dian)(dian)流不至(zhi)于过大(da)，R113控(kong)制(zhi)栅极的常态，将(jiang)R113上拉(la)(la)为高，截至(zhi)PMOS，同时(shi)也可以看作是对控(kong)制(zhi)信(xin)号的上拉(la)(la)，当MCU内部管(guan)脚并没有(you)上拉(la)(la)时(shi)，即输出(chu)为开漏(lou)时(shi)，并不能驱动PMOS关(guan)闭，此时(shi)，就(jiu)需(xu)要外(wai)部电(dian)(dian)压给(ji)予(yu)的上拉(la)(la)，所以电(dian)(dian)阻R113起到(dao)了两个(ge)作用。R110可以更小，到(dao)100欧姆(mu)也可。

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