利盈娱乐(中国)创新平台有限公司

在过去的十几年中，大功率场效应管引发了电源工业的反动，而且大大地促进了电子工业的(de)展开(kai)。由于MOSFET管具有更快的(de)开(kai)关(guan)速度，电源开(kai)关(guan)频率可以(yi)做得(de)更高，可以(yi)从50kHz进步到(dao)200kHz以(yi)致(zhi)400kHz。同(tong)时也使(shi)得(de)开(kai)关(guan)电源的(de)体积变得(de)更小(xiao)，由此产生了大量运用(yong)小(xiao)型电源的(de)新产品。个(ge)(ge)人计算机的(de)不时小(xiao)型化(hua)就是一个(ge)(ge)典型的(de)例子 。

开关电源工作频率的不时进步促使电子元件工业发作了普遍的改造。半导体工业首当其冲，更多的研讨经费投入于MOSFET管的研讨。MOS管的额定电压和额定电流得到了 显著进步 ，本钱却逐渐降落 ，使它可以应用于大量新的场所 。目前己经开发出在高频率、高磁通密度条件下有更低损耗的磁性元件 ，并且推出了能工 作在更高频率的 PWM 芯片。工作频率的进步和变压器、滤波电容体积的减小，恳求其他器件的尺寸也要减小，从而对制造工艺提出了更高的恳求（比如表面安装技术 SMT ） 。谐振电源半桥是一(yi)个新的工业和研讨范畴(chou)。频(pin)率为2030kHz，运用(yong)(yong)可控硅整(zheng)流器的谐振电源曾(ceng)经运用(yong)(yong)了多年。

MOS目T管的呈现使电路可以工作在更高的频率，大量研讨人员正着手开发各种频(pin)(pin)率为0.35MHz的(de)新型谐(xie)振电路拓扑(pu)。在(zai)频(pin)(pin)率高(gao)于lOOkHz的(de)设(she)计(ji)中(zhong)，设(she)计(ji)者必(bi)需认真(zhen)思(si)索(suo)原本在(zai)频(pin)(pin)率低于lOOkHz时可(ke)以忽略(lve)的(de)现象。比(bi)如集(ji)肤效应，特别(bie)是变压器(qi)线(xian)圈的(de)临近效应损(sun)耗(hao) ，由于高(gao)频(pin)(pin)时这(zhei)些损(sun)耗(hao)在(zai)整个变 压器(qi)损(sun)耗(hao)中(zhong)所占 的(de)比(bi)重增大(da)。快恢复二极管由于电(dian)流波形具(ju)有更快的(de)(de)上升时间，地(di)(di)线和供电(dian)回路上的(de)(de) Ldildt 尖峰变得愈加复杂棘手 ，所以需求设(she)计者愈加留意线路规划 ，如具(ju)有低(di)电(dian)感特性的(de)(de)地(di)(di)线和供 电(dian)回路及关(guan)键节点的(de)(de)稿合电(dian)容等 。固然存在这些(xie)不(bu)肯定的(de)(de)要(yao)素(su)和问题 ，但是电(dian)源(yuan)设(she)计者只 要(yao)熟习(xi)双极型晶体超(chao)结场效应(ying)管(guan)(guan)的(de)(de)设(she)计 ，掌握关(guan)于 MOSFET 管(guan)(guan)特性的(de)(de)基本信息 ，就可以很快学会运用 MOS田T 管(guan)(guan)中止开关电路设计(ji) 。

对电(dian)路设计者来说(shuo) ，决议MOSFET 管特性的(de)(de)制造材料和固(gu)态物(wu)理结构并不(bu)太重要 ，这(zhei)里不(bu)予(yu)讨论。 在电(dian)路设计中 ，MOS四T管的(de)(de)直流伏安特性 、极间电(dian)容 、温度(du)特性和开关(guan)速度(du)等是需求(qiu)思(si)索(suo) 的(de)(de)，本文只对这(zhei)些方面中止讨论 。在很(hen)大程度(du)上 ，用 MOS阳T管设计电(dian)源比用双极型晶体管更简单。

MOSFET管输入端（栅极）的驱动电路要比双极型晶体管的基极驱动电路简单得多。而且MOSFET 管没有存储时间，就避免了复杂的Baker钳位电路和比例基极驱动电路。另外，双极型晶体场效应管管卢值在制造过程中可能相差达4倍所惹起的问题在MOSFET管的(de)运用中(zhong)也己不存在 。在关断过程中(zhong) ，由于MOSFET 管电(dian)流(liu)(liu)降落(luo)速度很快 ，输出(chu)端的(de)降落(luo)电(dian)流(liu)(liu)和上升电(dian)压在较 低的(de)电(dian)流(liu)(liu)下会发(fa)作堆叠 ，从而减小了堆叠损耗即交流(liu)(liu)开关损耗 （ 1.3.4 节）。这样(yang)就(jiu)可以(yi)简化 以(yi)致不需求缓冲(chong)器了 .

联(lian)系方式：邹先生

手机：18123972950

QQ：2880195519

联系(xi)地(di)址：深圳市福田区车公庙天(tian)(tian)安(an)数码城天(tian)(tian)吉(ji)大厦CD座5C1

关(guan)注(zhu)KIA半导(dao)体工程(cheng)专辑请搜(sou)微信号:“KIA半导(dao)体”或点击本文下方图片扫(sao)一(yi)扫(sao)进(jin)入官方微信“关(guan)注(zhu)”

长按二维码识别关注