50A/ 30V 50N03 低(di)内(nei)阻 3-4串保护板专用MOS管 封装类型多-KIA MOS管
信息来源(yuan):本站 日(ri)期(qi):2019-08-26
VDSS =30V,R DS(on) =6.5mΩ,I D =50A
Vds=30V
RDS(ON) =6.5mΩ(Max.),VGS@10V,Ids@30A
RDS(ON) =9.5mΩ(Max.),VGS@4.5V,Ids@30A
产品型(xing)号:KIA50N03
工作方(fang)式:50A/30V
漏源(yuan)电压:30V
栅源电压:±20A
漏电(dian)流连续:50A
脉冲漏极电流(liu):200A
耗散功率TA=25℃:60W
耗(hao)散(san)功率TA=25℃:23W
热电阻:50℃/W
漏(lou)源(yuan)击(ji)穿电压:30V
零栅(zha)极(ji)电压漏极(ji)电流:1μA
输入电容(rong):1300pF
输(shu)出(chu)电容:270pF
反向(xiang)转移电容:145pF
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