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1.开关损耗与功率MOS管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关，所以要解决功率管的发烧可以从以下几个方面解决：A、不能片面根据导通电阻大小来选择MOS功(gong)率管(guan)，由于内阻(zu)越小，cgs和cgd电(dian)(dian)容越大。如(ru)1N60的(de)(de)cgs为250pF左右(you)，2N60的(de)(de)cgs为350pF左右(you)，5N60的(de)(de)cgs为1200pF左右(you)，差(cha)别太大了(le)，选择功(gong)率管(guan)时，够用(yong)就可(ke)以(yi)了(le)。对于前(qian)者(zhe)，留意不要(yao)将负(fu)载电(dian)(dian)压(ya)(ya)设置的(de)(de)太高(gao)(gao)，固然(ran)负(fu)载电(dian)(dian)压(ya)(ya)高(gao)(gao)，效率会(hui)高(gao)(gao)点。如(ru)果芯片(pian)(pian)(pian)消耗的(de)(de)电(dian)(dian)流为2mA，300V的(de)(de)电(dian)(dian)压(ya)(ya)加(jia)在(zai)芯片(pian)(pian)(pian)上面，芯片(pian)(pian)(pian)的(de)(de)功(gong)耗为0.6W，当然(ran)会(hui)引起芯片(pian)(pian)(pian)的(de)(de)发烧。有(you)的(de)(de)工(gong)程师没(mei)有(you)留意到(dao)(dao)这个现象，直接(jie)调节(jie)sense电(dian)(dian)阻(zu)或者(zhe)工(gong)作(zuo)频率达(da)到(dao)(dao)需要(yao)的(de)(de)电(dian)(dian)流，这样做可(ke)能(neng)会(hui)严(yan)峻影(ying)响(xiang)LED的(de)(de)使用(yong)寿命。在(zai)均(jun)匀电(dian)(dian)流不变(bian)的(de)(de)条件下(xia)，只(zhi)能(neng)看着光衰了(le)。不管(guan)如(ru)何(he)降(jiang)频没(mei)有(you)好处(chu)，只(zhi)有(you)坏处(chu)，所(suo)以(yi)一定(ding)要(yao)解决(jue)。

2.主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。对于后者(zhe)，可以尝试(shi)以下几个方面：a、将最小电流设置的(de)(de)再小点;b、布(bu)线干净(jing)点，特(te)别是sense这个枢纽路(lu)径;c、将电感(gan)选(xuan)择的(de)(de)小点或者(zhe)选(xuan)用闭合磁路(lu)的(de)(de)电感(gan);d、加RC低通滤波(bo)吧，这个影响有(you)(you)点不好，C的(de)(de)一致(zhi)性不好，偏差有(you)(you)点大，不外对于照明(ming)来说应(ying)该够了。

3、LED电流大小终于谈到重点了，我还没有入门，只能瞎说点饱和的影响了。也但愿有专家能给个详细指标，要不然影响LED的推广。 B、剩下的就是频率和驱动能力(li)了，这(zhei)里只谈频率的(de)(de)影响(xiang)。想办(ban)法降低频率吧(ba)！不外(wai)要留意，当频率降低时，为了得(de)到相同的(de)(de)负载(zai)能力(li)，峰值(zhi)电流必定要变大或者(zhe)电感也变大，这(zhei)都有可能导致电感进(jin)入饱和区(qu)域(yu)。假如散热(re)解决(jue)的(de)(de)不好的(de)(de)话，LED一定要降额使用(yong)。

4、工作频率降频功率管的功耗分成两部门，开关损耗和导通损耗。变压器饱和时，L会变小，导致传输delay引起的峰值电流增量急剧上升，那么LED的峰值电流也随着增加(jia)。要留意(yi)，大(da)多数场合特(te)别是LED市电驱动应用(yong)，开(kai)关损(sun)害要弘远(yuan)于(yu)导通损(sun)耗。

5、芯片发烧
建议仍(reng)是(shi)尽量控制(zhi)小点(dian)(dian)。再简朴一点(dian)(dian)，就是(shi)考虑(lv)更好(hao)的散热吧。

LEDripple过(guo)(guo)大的话(hua)，LED寿(shou)命会(hui)受到影响，影响有多大，也(ye)没见(jian)过(guo)(guo)哪(na)个专(zhuan)家说过(guo)(guo)。输入电(dian)压和负载电(dian)压的比例小、系(xi)统干(gan)扰大。频率与导通损耗也(ye)成正(zheng)比，所(suo)以(yi)(yi)功率管(guan)发烧时，首先要想(xiang)(xiang)想(xiang)(xiang)是(shi)(shi)不是(shi)(shi)频率选择的有点(dian)高。所(suo)以(yi)(yi)说，在设计(ji)(ji)前，公道的计(ji)(ji)算是(shi)(shi)必需的，假如理论(lun)计(ji)(ji)算的参数和调试参数差的有点(dian)远，要考虑是(shi)(shi)否(fou)降频和变压器是(shi)(shi)否(fou)饱(bao)和。以(yi)(yi)前问过(guo)(guo)LED厂(chang)这个数据，他们说30%以(yi)(yi)内都可以(yi)(yi)接受，不外后来没有经由验证(zheng)。碰到这种情况(kuang)，要看看电(dian)感电(dian)流波形。

6、电感或者(zhe)变压器的(de)选择

这个也是用户在调试过程中比较常见的现象，降频主要由两个方面导致。假如电感饱和电流够大，可以考虑将CCM（连续电流模式）改变成DCM（非连续电流模式），这样就需要增加一个负载电容了。良多用户反应，相同的驱动电路，用a出产的电感没有题目，用b出产的电感电流就变小了。驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管散热片的消耗，简朴的计算公式为I=cvf（考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的(de)(de)cgs电容，v为(wei)功(gong)(gong)率管导(dao)通时的(de)(de)gate电压(ya)，所(suo)认为(wei)了降低(di)芯片(pian)的(de)(de)功(gong)(gong)耗，必需想办法降低(di)c、v和f.假如(ru)c、v和f不能(neng)改变，那么请想办法将(jiang)芯片(pian)的(de)(de)功(gong)(gong)耗分到芯片(pian)外的(de)(de)器件(jian)，留意不要引入额外的(de)(de)功(gong)(gong)耗。

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