KCY3104S 110A/40V 新产品上线 原装正品保证 专业制造MOS管

KCY3104S概述

KCY3104S是KIA半导体(ti)(ti)新研(yan)发是MOS管(guan)(guan)(guan)产(chan)品、是SGT工艺。接下来简单的介绍一下KIA半导体(ti)(ti)，深圳市利(li)盈娱乐半导体(ti)(ti)科技有限公司.是一家(jia)专(zhuan)业(ye)从事(shi)中、大、功率(lv)场效应管(guan)(guan)(guan)(MOSFET)、快速(su)恢复二(er)极管(guan)(guan)(guan)、三端稳压管(guan)(guan)(guan)开发设计，集研(yan)发、生产(chan)和销(xiao)售为一体(ti)(ti)的国(guo)家(jia)高新技术企(qi)业(ye)。

KIA半(ban)导(dao)体的(de)(de)产品(pin)涵盖工业、新能源、交通(tong)运(yun)输、绿色照明(ming)四大领域，不仅(jin)包括光(guang)伏逆变及(ji)无人机、充电桩(zhuang)、这类新兴能源，也涉及(ji)汽(qi)车配件(jian)、LED照明(ming)等家庭用品(pin)。KIA专注(zhu)于产品(pin)的(de)(de)精(jing)细化与革新，力求(qiu)为客(ke)户提供最具(ju)行业领先、品(pin)质上乘的(de)(de)科(ke)技产品(pin)。

从设计研发到(dao)制造再到(dao)仓储物流，KIA半导体真(zhen)正实现了(le)(le)一体化的服务链，真(zhen)正做到(dao)了(le)(le)服务细节全(quan)到(dao)位的品牌(pai)内涵(han)，我们致力于成为(wei)场效(xiao)应(ying)管（MOSFET）功(gong)率器件(jian)领域的领跑者，为(wei)了(le)(le)这个目标(biao)，KIA半导体正在(zai)持续创新，永不止步！

KCY3104S的产品特性

RDS(on)=1.5mΩ(typ.)@VGS=10V

先进的沟槽技术(shu)

低(di)栅电荷

大电流能力(li)

符合RoHS

MOS管 KCY3104S参数详情

型(xing)号：KCY3104S

工作方式：110A/40V

漏(lou)源电压：40A

栅源电压(ya)：±20V

脉冲漏电流:400A

单脉(mai)冲雪崩能量:400mJ

总功(gong)耗:125W

漏源(yuan)击穿电(dian)压:40V

前跨端导(dao)管:50S

栅极(ji)电(dian)阻：1.0Ω

输入电(dian)容：3950pF

输出(chu)电容：1100pF

反向转移电容(rong)：80pF

MOS管 KCY3104S产品应用领域

1、同步整流

2、直(zhi)流/直(zhi)流转(zhuan)换器

3、其(qi)他

MOS管 KCY3104S封装引脚图

MOS管 KCY3104S规格书

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