KCY3303S 95A/30V 规格书参数详情 N沟道MOS管(guan) SGT工艺-KIA MOS管(guan)
信息来源:本站 日期:2019-07-16
RDS(on) =1.8mΩ@VGS=10V
先进的沟槽技术
低栅电荷(he)
大电流能力
查看(kan)及下载规(gui)格书,请(qing)点击下图。
联系方(fang)式:邹先生
联系电(dian)话:0755-83888366-8022
手(shou)机:18123972950
QQ:2880195519
联系地址:深圳市福田区车公庙天(tian)安数(shu)码城天(tian)吉大厦CD座5C1
请(qing)搜微信(xin)(xin)公众号(hao):“KIA半导体”或扫一扫下图(tu)“关注”官(guan)方微信(xin)(xin)公众号(hao)
请“关注”官方微信公(gong)众号:提供 MOS管 技术帮助