高德娱乐-可靠平台,注册畅享文化之梦!MOS管开关电路详解

开关电路及原理详解

信息来源：本(ben)站　日(ri)期：2017-05-06　

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开关电(dian)源的(de)电(dian)路组(zu)成如下：

开关电(dian)源的(de)主要(yao)电(dian)路是由输(shu)入电(dian)磁(ci)干扰滤(lv)(lv)波器(qi)（EMI）、整流(liu)滤(lv)(lv)波电(dian)路、功率变换电(dian)路、PWM控制器(qi)电(dian)路、输(shu)出整流(liu)滤(lv)(lv)波电(dian)路组(zu)成(cheng)。

IC根据(ju)输(shu)出电压(ya)和(he)(he)电流(liu)时刻调整着⑥脚锯形波(bo)占空(kong)比的大小，从(cong)而(er)不(bu)乱了整机的输(shu)出电流(liu)和(he)(he)电压(ya)。从(cong)R3测得(de)的电流(liu)峰值信号(hao)介入当(dang)(dang)前工作(zuo)周(zhou)波(bo)的占空(kong)比控制，因此(ci)是当(dang)(dang)前工作(zuo)周(zhou)波(bo)的电流(liu)限制。

Q1的栅极受控电压为锯形波，当其占空比越大时，Q1导通时间越长，变压器所储存的能量也就越多；当Q1截止时，变压器通过D1、D2、R5、R4、C3开释能量，同时也达到了磁场复位的目的，为变压器的下一次存储、传递能量做好了预备。在开关管Q1关断时，变压器(qi)的(de)原边线圈易产生尖(jian)峰电(dian)(dian)(dian)压和尖(jian)峰电(dian)(dian)(dian)流(liu)，这些(xie)元件组合一起，能很(hen)好地吸收尖(jian)峰电(dian)(dian)(dian)压和电(dian)(dian)(dian)流(liu)。

①输(shu)入滤波电(dian)路：C1、L1、C2组(zu)成的双π型(xing)滤波网络主要(yao)是(shi)对(dui)输(shu)入电(dian)源的电(dian)磁噪声及杂波信号进行按捺，防(fang)止(zhi)(zhi)对(dui)电(dian)源干扰，同时也(ye)防(fang)止(zhi)(zhi)电(dian)源本身(shen)产生的高频(pin)杂波对(dui)电(dian)网干扰。

Z1通(tong)常将MOS管的GS电(dian)压限(xian)制在(zai)18V以下，从而保护(hu)了MOS管。因瞬时(shi)(shi)能量全消耗在(zai)RT1电(dian)阻(zu)上，一定时(shi)(shi)间后温度升高后RT1阻(zu)值减(jian)小（RT1是负(fu)温系数元件），这时(shi)(shi)它消耗的能量非常小，后级(ji)电(dian)路(lu)可正常工作(zuo)。

C3、C4 为安规电容(rong)，L2、L3为差模电感。

②输(shu)入(ru)滤波(bo)电(dian)(dian)(dian)路：C1、L1、C2、C3组成的(de)双(shuang)π型滤波(bo)网(wang)络(luo)主要是对(dui)输(shu)入(ru)电(dian)(dian)(dian)源(yuan)的(de)电(dian)(dian)(dian)磁噪声及杂波(bo)信号进行按捺，防止(zhi)对(dui)电(dian)(dian)(dian)源(yuan)干(gan)扰，同(tong)时也防止(zhi)电(dian)(dian)(dian)源(yuan)本身产(chan)生的(de)高(gao)频杂波(bo)对(dui)电(dian)(dian)(dian)网(wang)干(gan)扰。

3、工作原理：R4、C3、R5、R6、C4、D1、D2组成缓冲器，和开关MOS管并接，使开关管电(dian)压应力减(jian)(jian)少，EMI减(jian)(jian)少，不发生二次击穿。辅(fu)助电(dian)路有输(shu)(shu)入过(guo)欠(qian)压保(bao)护电(dian)路、输(shu)(shu)出过(guo)欠(qian)压保(bao)护电(dian)路、输(shu)(shu)出过(guo)流保(bao)护电(dian)路、输(shu)(shu)出短(duan)路保(bao)护电(dian)路等。

2、 DC 输入滤波电路原理：

③ 整(zheng)(zheng)流滤(lv)(lv)波电路：交(jiao)流电压经BRG1整(zheng)(zheng)流后(hou)，经C5滤(lv)(lv)波后(hou)得到较(jiao)为纯净的直流电压。

R1过(guo)小(xiao)(xiao)，易引起振荡，电(dian)(dian)(dian)磁干扰也(ye)会很大；R1过(guo)大，会降(jiang)低开关(guan)管的开关(guan)速(su)度。因为它的栅极(ji)处于(yu)不导电(dian)(dian)(dian)状态(tai)，所以(yi)输入电(dian)(dian)(dian)阻(zu)可(ke)以(yi)大大进(jin)步，最(zui)高可(ke)达105欧姆(mu)，MOS管是利用栅源(yuan)电(dian)(dian)(dian)压(ya)的大小(xiao)(xiao)，来改变(bian)半导体表面感生(sheng)电(dian)(dian)(dian)荷的多少，从而控制漏极(ji)电(dian)(dian)(dian)流的大小(xiao)(xiao)。也(ye)称为表面场效应器件。当(dang)加在(zai)压(ya)敏电(dian)(dian)(dian)阻(zu)两真个电(dian)(dian)(dian)压(ya)超(chao)过(guo)其工作电(dian)(dian)(dian)压(ya)时，其阻(zu)值降(jiang)低，使(shi)高压(ya)能量(liang)消耗在(zai)压(ya)敏电(dian)(dian)(dian)阻(zu)上，若电(dian)(dian)(dian)流过(guo)大，F1、F2、F3

会烧毁保护(hu)后(hou)级电路。

。

1、MOS管的工作原理：目前应用最广泛的绝缘栅场效应管是MOSFET（MOS管），是利用半导体表面(mian)的电声效应进行(xing)工作的。当电源开(kai)启瞬间(jian)，要对

C5充电(dian)，因(yin)为(wei)瞬间电(dian)流(liu)(liu)大，加RT1（热敏电(dian)阻）就能(neng)有效的防止浪涌(yong)电(dian)流(liu)(liu)。在(zai)起(qi)机的瞬间，因(yin)为(wei) C6的存在(zai)Q2不(bu)导通(tong)，电(dian)流(liu)(liu)经RT1构成回路。

C4和R6为(wei)尖峰(feng)电压吸收回路。

三、功率变换电路(lu)

②

R1、R2、R3、Z1、C6、Q1、Z2、R4、R5、Q2、RT1、C7组成抗浪涌电路。当C6上(shang)的(de)电压(ya)充(chong)至Z1的(de)稳(wen)压(ya)值(zhi)时Q2导通。当R5上(shang)的(de)电压(ya)达到(dao)1V时，UC3842休止(zhi)工作(zuo)，开关管Q1立(li)刻关断

。

① 防雷(lei)电路：当有雷(lei)击，产生高(gao)压经(jing)电网导入电源(yuan)时，由MOV1、MOV2、MOV3：F1、F2、F3、FDG1 组(zu)成的电路进行保护。

R1和Q1中的(de)(de)结电(dian)(dian)容CGS、CGD一起组(zu)成RC网络，电(dian)(dian)容的(de)(de)充放(fang)电(dian)(dian)直接(jie)影响着开关管的(de)(de)开关速度(du)。若C5容量变小，输出的(de)(de)交流纹波将(jiang)增(zeng)大(da)。假如C8漏电(dian)(dian)或后(hou)级电(dian)(dian)路短(duan)路现(xian)象，在起机的(de)(de)瞬间电(dian)(dian)流在RT1上(shang)产生(sheng)的(de)(de)压降增(zeng)大(da)，Q1导通使

Q2没有栅(zha)极电压不导(dao)通(tong)，RT1将会在很短的时间(jian)烧毁，以保护后级电路。