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结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物(wu)-半导体场效(xiao)应管MOSFET）；此外(wai)还(hai)有(you)PMOS、NMOS和VMOS功(gong)率场效(xiao)应管，以及最近(jin)刚问世(shi)的(de)πMOS场效(xiao)应管、VMOS功(gong)率模块等。 场效(xiao)应管分结型(xing)(xing)、绝缘栅型(xing)(xing)两大(da)类。

场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和MOS管(guan)P沟道两种。一般的晶体管(guan)(guan)(guan)(guan)是(shi)由两种极(ji)(ji)(ji)(ji)性的载(zai)流子(zi),即多(duo)数(shu)载(zai)流子(zi)和反(fan)极(ji)(ji)(ji)(ji)性的少(shao)数(shu)载(zai)流子(zi)介(jie)入(ru)导(dao)电(dian),因此称为(wei)(wei)双极(ji)(ji)(ji)(ji)型(xing)晶体管(guan)(guan)(guan)(guan),而(er)FET仅是(shi)由多(duo)数(shu)载(zai)流子(zi)介(jie)入(ru)导(dao)电(dian),它与(yu)双极(ji)(ji)(ji)(ji)型(xing)相反(fan),也称为(wei)(wei)单极(ji)(ji)(ji)(ji)型(xing)晶体管(guan)(guan)(guan)(guan)。它属于电(dian)压控制(zhi)型(xing)半导(dao)体器件，具有输入(ru)电(dian)阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低(di)、动(dong)态范围大、易于集成、没(mei)有二(er)次击穿现(xian)象(xiang)、安全工作区域宽(kuan)等长处，现(xian)已成为(wei)(wei)双极(ji)(ji)(ji)(ji)型(xing)晶体管(guan)(guan)(guan)(guan)和功率晶体管(guan)(guan)(guan)(guan)的强(qiang)盛竞争者(zhe)。结型(xing)场(chang)效(xiao)应管(guan)(guan)(guan)(guan)（JFET）因有两个(ge)PN结而(er)得名，绝(jue)缘(yuan)栅(zha)型(xing)场(chang)效(xiao)应管(guan)(guan)(guan)(guan)（JGFET）则(ze)因栅(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)与(yu)其它电(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)完全绝(jue)缘(yuan)而(er)得名。若按导(dao)电(dian)方式来划分，场(chang)效(xiao)应管(guan)(guan)(guan)(guan)又可分成耗尽(jin)型(xing)与(yu)增强(qiang)型(xing)。

（1）. MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅(zha)极。

（2）.掏出的MOS器(qi)(qi)件不能在塑料板上(shang)滑(hua)动(dong)，应用(yong)金(jin)属(shu)盘来盛放待用(yong)器(qi)(qi)件。

（3）.MOS器件出厂时通(tong)常装(zhuang)在(zai)玄色的导电(dian)泡沫塑料袋中，切(qie)勿自行随便拿个塑料袋装(zhuang)。也(ye)可(ke)用(yong)细铜线把各个引脚连接在(zai)一起，或用(yong)锡纸(zhi)包装(zhuang)MOS场效应晶体管在(zai)使用(yong)时应留意(yi)分(fen)类(lei)，不能随意(yi)互(hu)换。

（4）. 焊接用的电(dian)烙铁必需良好接地。在检验电(dian)路时应留意查证原(yuan)有的保护二极管(guan)是(shi)否损坏。

（7）. MOS场效应晶体管的栅(zha)极(ji)(ji)在答应前提下，最好(hao)接入保护二(er)极(ji)(ji)管。

（5）. 在(zai)焊接(jie)前应把电路(lu)板的电源(yuan)线与地线短(duan)接(jie)，再MOS器件焊接(jie)完成后在(zai)分开。拆(chai)机(ji)时顺序(xu)相反。 

（6）.电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。

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