mos引脚图说明

MOS管概念

MOS管是金(jin)属（metal）-氧化物（oxid）-半导体（semiconductor）场效应晶(jing)体管，或者称是金(jin)属-绝缘体（insulator）-半导体。MOS管的(de)(de)source和drain是可以对(dui)调的(de)(de)，他们都是在P型(xing)backgate中形成(cheng)的(de)(de)N型(xing)区(qu)。在多数情况下，这(zhei)个两个区(qu)是一样的(de)(de)，即(ji)使两端对(dui)调也(ye)不会影响器(qi)(qi)件的(de)(de)性(xing)能。这(zhei)样的(de)(de)器(qi)(qi)件被认为是对(dui)称的(de)(de)。

mos引脚图说明

下(xia)面介绍三个(ge)引脚G、S、D是(shi)什么(me)及含义：

G：gate 栅极；

S：source 源极；

D：drain 漏极(ji)；

N沟道(dao)(dao)的(de)电源一般(ban)接在(zai)D，输(shu)出S，P沟道(dao)(dao)的(de)电源一般(ban)接在(zai)S，输(shu)出D。增(zeng)强(qiang)耗尽(jin)接法基(ji)本一样。

这是MOS管热(re)释电(dian)红(hong)外传感器(qi)，那(nei)个(ge)矩形框是感应(ying)窗口(kou)，G脚为(wei)接(jie)(jie)地(di)端(duan)，D脚为(wei)内部MOS管漏极，S脚为(wei)内部MOS管源极。在(zai)电(dian)路中，G接(jie)(jie)地(di)，D接(jie)(jie)电(dian)源正，红(hong)外信号(hao)从窗口(kou)输(shu)入(ru)，电(dian)信号(hao)从S输(shu)出。

mos引脚图说明-mos管引脚顺序详解

mos管引脚顺序详解，如下：MOS管是金属(Metal)—氧化物(Oxid)—半导体(Semiconductor)场效(xiao)应晶体管。市(shi)面上常有(you)的一(yi)(yi)般为N沟(gou)道(dao)(dao)和P沟(gou)道(dao)(dao)。N沟(gou)道(dao)(dao)的电(dian)源(yuan)一(yi)(yi)般接(jie)在D，输出S，P沟(gou)道(dao)(dao)的电(dian)源(yuan)一(yi)(yi)般接(jie)在S，输出D。

管(guan)子正面正对自(zi)己(ji) ，管(guan)脚朝下从左至右依次(ci)是(shi)栅(zha)极(ji)（G）、漏极(ji)（D）、源极(ji)（S）。

mos引脚图说明-如何快速判断其好坏及引脚功能

1、用(yong)10K档，内有15伏电池。可提供导通电压。

2、因(yin)为(wei)栅极等(deng)效于电容(rong)，与任何脚不通，不论(lun)N管或P管都(dou)很容(rong)易找出栅极来，否则(ze)是坏管。

3、利用(yong)表笔对栅源间正向或(huo)反向充电(dian)，可使漏源通(tong)或(huo)断，且由于(yu)栅极上(shang)电(dian)荷能保(bao)持，上(shang)述两步可分(fen)先(xian)后(hou)，不必同步，方便(bian)。但要放(fang)电(dian)时需(xu)短路(lu)管脚或(huo)反充。

4、大都源漏间有(you)反(fan)并二极管，应注意(yi)，及(ji)帮助判断。

5、大都封庄为字面对自已(yi)时，左栅中漏右源(yuan)。以上前三点必需(xu)掌握，后两点灵活运用(yong)，很(hen)快就(jiu)能判管脚(jiao)，分好(hao)坏。

如果对(dui)新拿到的不明MOS管，可以通过测定来判断脚(jiao)(jiao)极，只有准确判定脚(jiao)(jiao)的排列，才能正确使用。

管脚测定方法

①栅极G的(de)测定：用万(wan)用表R×100 档，测任(ren)意两(liang)脚之间(jian)正反向电(dian)阻，若其中某次测得电(dian)阻为(wei)数百Ω)，该两(liang)脚是D、S，第(di)三脚为(wei)G。

②漏极D、源极S及类型(xing)判定：用万用表 R ×10kΩ档测 D、S问正反(fan)向(xiang)电(dian)(dian)阻，正向(xiang)电(dian)(dian)阻约(yue)为(wei)0.2 ×10kΩ，反(fan)向(xiang)电(dian)(dian)阻（5一∞）X100kΩ。在测反(fan)向(xiang)电(dian)(dian)阻时，红表笔(bi)不动，黑表笔(bi)脱离引(yin)脚(jiao)后，与G碰一下(xia)，然后回去再接(jie)原引(yin)脚(jiao)，出(chu)现两种情况：

a．若(ruo)读数由原来较大(da)值变为(wei)(wei)(wei)0(0×10kΩ)，则红表笔(bi)所接为(wei)(wei)(wei)S，黑(hei)表笔(bi)为(wei)(wei)(wei)D。用黑(hei)表笔(bi)接触(chu)G有效，使MOS管(guan)(guan)D、S间正反(fan)向(xiang)电阻值均为(wei)(wei)(wei)0Ω，还可证明该管(guan)(guan)为(wei)(wei)(wei)N沟道。

b．若读数(shu)仍(reng)为(wei)(wei)较大值，黑表笔(bi)(bi)不动，改用(yong)红(hong)表笔(bi)(bi)接(jie)触G，碰一(yi)下之后立即回到原(yuan)脚，此时若读数(shu)为(wei)(wei)0Ω，则黑表笔(bi)(bi)接(jie)的是S极、红(hong)表笔(bi)(bi)为(wei)(wei)D极，用(yong)红(hong)表笔(bi)(bi)接(jie)触G极有效，该MOS管为(wei)(wei)P沟道。

联系方式：邹(zou)先生

联系电话：0755-83888366-8022

手机：18123972950

QQ：2880195519

联系(xi)地(di)址：深圳市福田区(qu)车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1

请搜微信公众号:“KIA半(ban)导(dao)体”或扫一扫下(xia)图“关注”官方微信公众号

请(qing)“关注(zhu)”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助