什么叫mos管

mos管概述

mos管(guan)是(shi)(shi)(shi)金(jin)(jin)属(shu)(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管(guan)，或者称(cheng)是(shi)(shi)(shi)金(jin)(jin)属(shu)—绝缘体(insulator)、半导体。MOS管(guan)的(de)(de)source和drain是(shi)(shi)(shi)可以对(dui)调的(de)(de)，他们都是(shi)(shi)(shi)在P型(xing)backgate中形成的(de)(de)N型(xing)区(qu)。在多数情(qing)况下，这(zhei)个两个区(qu)是(shi)(shi)(shi)一样的(de)(de)，即使两端对(dui)调也不会影响器件(jian)的(de)(de)性(xing)能。这(zhei)样的(de)(de)器件(jian)被(bei)认为是(shi)(shi)(shi)对(dui)称(cheng)的(de)(de)。

场(chang)效应管(guan)（FET），把输入电(dian)压(ya)(ya)的(de)(de)(de)变(bian)化(hua)(hua)转化(hua)(hua)为(wei)(wei)输出电(dian)流的(de)(de)(de)变(bian)化(hua)(hua)。FET的(de)(de)(de)增益(yi)等于(yu)它的(de)(de)(de)跨导(dao)， 定义为(wei)(wei)输出电(dian)流的(de)(de)(de)变(bian)化(hua)(hua)和输入电(dian)压(ya)(ya)变(bian)化(hua)(hua)之比。市面(mian)上常(chang)有的(de)(de)(de)一般为(wei)(wei)N沟道(dao)和P沟道(dao)，详(xiang)情参考右侧图片（P沟道(dao)耗尽型MOS管(guan)）。而(er)P沟道(dao)常(chang)见的(de)(de)(de)为(wei)(wei)低(di)压(ya)(ya)mos管(guan)。

场效应管(guan)通过投影一个电场在一个绝缘层(ceng)上来影响流过晶体管(guan)的(de)电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以(yi)FET管(guan)的(de)GATE电流非常小。最普通的(de)FET用一薄(bo)层(ceng)二氧(yang)化(hua)硅来作(zuo)为(wei)GATE极下的(de)绝缘体。这种晶体管(guan)称为(wei)金属氧(yang)化(hua)物(wu)半(ban)导体(MOS)晶体管(guan)，或,金属氧(yang)化(hua)物(wu)半(ban)导体场效应管(guan)（MOSFET）。因为(wei)MOS管(guan)更小更省(sheng)电，所以(yi)他(ta)们已(yi)经(jing)在很多应用场合取(qu)代了双极型晶体管(guan)。

什么叫mos管-mos管结构

mos管结构示意(yi)图

解释(shi)1：沟道(dao)

上(shang)面图中，下边的p型中间一(yi)个窄长(zhang)条(tiao)就是(shi)沟道，使得左右两块P型极连在(zai)一(yi)起，因(yin)(yin)此mos管导(dao)通后是(shi)电阻特(te)性，因(yin)(yin)此它的一(yi)个重要(yao)参数就是(shi)导(dao)通电阻，选用(yong)mos管必须清(qing)楚这个参数是(shi)否符合需求(qiu)。

解释2：n型

上图表示的(de)是(shi)(shi)p型(xing)mos管，读者可(ke)以依(yi)据此(ci)图理(li)(li)解n型(xing)的(de)，都是(shi)(shi)反过来即可(ke)。因此(ci)，不难理(li)(li)解，n型(xing)的(de)如(ru)图在栅极加正压会(hui)导(dao)致导(dao)通，而(er)p型(xing)的(de)相反。

解释3：增强型

相对(dui)于(yu)耗尽型(xing)(xing)，增强(qiang)型(xing)(xing)是(shi)(shi)(shi)通(tong)(tong)过(guo)“加(jia)厚”导(dao)电(dian)沟(gou)道的(de)厚度来(lai)(lai)导(dao)通(tong)(tong)，如(ru)图。栅(zha)极(ji)电(dian)压(ya)越(yue)(yue)(yue)低(di)(di)，则p型(xing)(xing)源、漏极(ji)的(de)正离(li)(li)子(zi)就(jiu)越(yue)(yue)(yue)靠近中(zhong)间，n衬底(di)的(de)负(fu)离(li)(li)子(zi)就(jiu)越(yue)(yue)(yue)远离(li)(li)栅(zha)极(ji)，栅(zha)极(ji)电(dian)压(ya)达到一个值，叫阀值或(huo)坎压(ya)时，由p型(xing)(xing)游离(li)(li)出(chu)来(lai)(lai)的(de)正离(li)(li)子(zi)连在(zai)一起，形成通(tong)(tong)道，就(jiu)是(shi)(shi)(shi)图示效果。因(yin)此，容易理解，栅(zha)极(ji)电(dian)压(ya)必须低(di)(di)到一定(ding)程(cheng)度才能(neng)导(dao)通(tong)(tong)，电(dian)压(ya)越(yue)(yue)(yue)低(di)(di)，通(tong)(tong)道越(yue)(yue)(yue)厚，导(dao)通(tong)(tong)电(dian)阻越(yue)(yue)(yue)小。由于(yu)电(dian)场(chang)的(de)强(qiang)度与距离(li)(li)平方成正比，因(yin)此，电(dian)场(chang)强(qiang)到一定(ding)程(cheng)度之后，电(dian)压(ya)下(xia)降引起的(de)沟(gou)道加(jia)厚就(jiu)不(bu)明显(xian)了，也是(shi)(shi)(shi)因(yin)为(wei)n型(xing)(xing)负(fu)离(li)(li)子(zi)的(de)“退让”是(shi)(shi)(shi)越(yue)(yue)(yue)来(lai)(lai)越(yue)(yue)(yue)难(nan)的(de)。耗尽型(xing)(xing)的(de)是(shi)(shi)(shi)事(shi)先做(zuo)出(chu)一个导(dao)通(tong)(tong)层，用栅(zha)极(ji)来(lai)(lai)加(jia)厚或(huo)者减薄来(lai)(lai)控制源漏的(de)导(dao)通(tong)(tong)。但这种管子(zi)一般不(bu)生(sheng)产，在(zai)市面基本见不(bu)到。所以，大家平时说mos管，就(jiu)默认(ren)是(shi)(shi)(shi)增强(qiang)型(xing)(xing)的(de)。

解释(shi)4：左右(you)对称

图示左右是(shi)(shi)对(dui)称(cheng)的(de)，难免(mian)会有人问怎(zen)么区分(fen)源(yuan)(yuan)极(ji)(ji)和(he)漏(lou)极(ji)(ji)呢？其(qi)实原理(li)上，源(yuan)(yuan)极(ji)(ji)和(he)漏(lou)极(ji)(ji)确实是(shi)(shi)对(dui)称(cheng)的(de)，是(shi)(shi)不区分(fen)的(de)。但(dan)在(zai)实际应用(yong)中，厂(chang)家一(yi)般在(zai)源(yuan)(yuan)极(ji)(ji)和(he)漏(lou)极(ji)(ji)之间连接(jie)一(yi)个二极(ji)(ji)管(guan)(guan)，起保护作用(yong)，正(zheng)是(shi)(shi)这个二极(ji)(ji)管(guan)(guan)决定了(le)(le)源(yuan)(yuan)极(ji)(ji)和(he)漏(lou)极(ji)(ji)，这样，封装(zhuang)也就(jiu)固定了(le)(le)，便于实用(yong)。我的(de)老师年轻时(shi)用(yong)过不带二极(ji)(ji)管(guan)(guan)的(de)mos管(guan)(guan)。非常容易被(bei)静电击穿，平(ping)时(shi)要放在(zai)铁质罐子里，它的(de)源(yuan)(yuan)极(ji)(ji)和(he)漏(lou)极(ji)(ji)就(jiu)是(shi)(shi)随便接(jie)。

解释5：金属氧化物膜

图(tu)中有指示，这个膜(mo)是(shi)(shi)绝(jue)缘(yuan)的，用(yong)来电(dian)气隔离，使得栅(zha)极(ji)只能(neng)形成电(dian)场，不能(neng)通(tong)过(guo)直流(liu)电(dian)，因此是(shi)(shi)用(yong)电(dian)压(ya)(ya)控(kong)制的。在直流(liu)电(dian)气上(shang)，栅(zha)极(ji)和源漏极(ji)是(shi)(shi)断路。不难(nan)理解，这个膜(mo)越(yue)(yue)薄：电(dian)场作用(yong)越(yue)(yue)好(hao)、坎压(ya)(ya)越(yue)(yue)小、相同(tong)栅(zha)极(ji)电(dian)压(ya)(ya)时导(dao)通(tong)能(neng)力越(yue)(yue)强。坏处是(shi)(shi)：越(yue)(yue)容易击穿、工艺制作难(nan)度越(yue)(yue)大(da)而(er)价格越(yue)(yue)贵。例如导(dao)通(tong)电(dian)阻在欧姆级(ji)的，1角(jiao)人民(min)币左右(you)买一个，而(er)2402等(deng)在十毫欧级(ji)的，要(yao)2元(yuan)多（批量买。零售是(shi)(shi)4元(yuan)左右(you)）。

解释(shi)6：与(yu)实物的区别

上图仅仅是原理性的(de)(de)(de)，实(shi)际的(de)(de)(de)元件(jian)(jian)增(zeng)加了(le)源(yuan)-漏之间跨接的(de)(de)(de)保护二极(ji)(ji)管，从(cong)而区分了(le)源(yuan)极(ji)(ji)和漏极(ji)(ji)。实(shi)际的(de)(de)(de)元件(jian)(jian)，p型的(de)(de)(de)，衬底是接正(zheng)电(dian)(dian)源(yuan)的(de)(de)(de)，使(shi)得(de)栅极(ji)(ji)预先成为相对(dui)负电(dian)(dian)压，因此(ci)p型的(de)(de)(de)管子，栅极(ji)(ji)不用(yong)加负电(dian)(dian)压了(le)，接地就(jiu)能保证导(dao)通(tong)(tong)。相当(dang)于预先形成了(le)不能导(dao)通(tong)(tong)的(de)(de)(de)沟道(dao)，严(yan)格讲(jiang)应该是耗尽(jin)型了(le)。好处是明(ming)显的(de)(de)(de)，应用(yong)时抛开了(le)负电(dian)(dian)压。

解释7：寄(ji)生电(dian)容

上(shang)(shang)图的(de)栅(zha)(zha)极通(tong)(tong)过(guo)金属(shu)氧化(hua)物(wu)与衬底形(xing)成(cheng)一(yi)个电(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)，越(yue)是高品质的(de)mos，膜越(yue)薄，寄生(sheng)(sheng)电(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)越(yue)大(da)，经(jing)常(chang)mos管的(de)寄生(sheng)(sheng)电(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)达到(dao)nF级(ji)。这(zhei)个参数是mos管选择(ze)时至(zhi)关(guan)重(zhong)要(yao)(yao)的(de)参数之一(yi)，必须考虑(lv)清(qing)楚。Mos管用于控制(zhi)大(da)电(dian)(dian)流(liu)(liu)通(tong)(tong)断，经(jing)常(chang)被要(yao)(yao)求数十K乃(nai)至(zhi)数M的(de)开(kai)关(guan)频(pin)率(lv)，在(zai)这(zhei)种(zhong)用途中，栅(zha)(zha)极信(xin)号具有交(jiao)流(liu)(liu)特征，频(pin)率(lv)越(yue)高，交(jiao)流(liu)(liu)成(cheng)分越(yue)大(da)，寄生(sheng)(sheng)电(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)就(jiu)能通(tong)(tong)过(guo)交(jiao)流(liu)(liu)电(dian)(dian)流(liu)(liu)的(de)形(xing)式通(tong)(tong)过(guo)电(dian)(dian)流(liu)(liu)，形(xing)成(cheng)栅(zha)(zha)极电(dian)(dian)流(liu)(liu)。消耗的(de)电(dian)(dian)能、产生(sheng)(sheng)的(de)热量不(bu)可忽视，甚至(zhi)成(cheng)为(wei)(wei)主要(yao)(yao)问题。为(wei)(wei)了(le)追求高速，需要(yao)(yao)强大(da)的(de)栅(zha)(zha)极驱(qu)动，也是这(zhei)个道(dao)理。试想，弱驱(qu)动信(xin)号瞬(shun)间(jian)变(bian)为(wei)(wei)高电(dian)(dian)平，但是为(wei)(wei)了(le)“灌(guan)满”寄生(sheng)(sheng)电(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)需要(yao)(yao)时间(jian)，就(jiu)会产生(sheng)(sheng)上(shang)(shang)升沿(yan)变(bian)缓，对开(kai)关(guan)频(pin)率(lv)形(xing)成(cheng)重(zhong)大(da)威(wei)胁直(zhi)至(zhi)不(bu)能工作。

解释8：如何工(gong)作在放大区

Mos管(guan)也能工(gong)作(zuo)(zuo)在(zai)放(fang)(fang)大区，而(er)且很常(chang)见。做镜(jing)像电(dian)流源(yuan)、运(yun)(yun)放(fang)(fang)、反馈控制等，都是(shi)利用(yong)mos管(guan)工(gong)作(zuo)(zuo)在(zai)放(fang)(fang)大区，由于mos管(guan)的特(te)性(xing)，当沟道(dao)处于似(si)通(tong)非通(tong)时，栅(zha)极(ji)电(dian)压直接影响沟道(dao)的导(dao)电(dian)能力，呈现一定的线性(xing)关系。由于栅(zha)极(ji)与(yu)源(yuan)漏隔离，因此其(qi)输入(ru)阻(zu)抗(kang)可视(shi)为无穷(qiong)大，当然，随频(pin)率增加阻(zu)抗(kang)就(jiu)越来越小，一定频(pin)率时，就(jiu)变得不可忽视(shi)。这(zhei)个高阻(zu)抗(kang)特(te)点(dian)被(bei)广泛用(yong)于运(yun)(yun)放(fang)(fang)，运(yun)(yun)放(fang)(fang)分析的虚(xu)连、虚(xu)断(duan)两个重(zhong)要原则就(jiu)是(shi)基于这(zhei)个特(te)点(dian)。这(zhei)是(shi)三极(ji)管(guan)不可比拟的。

解释9：发(fa)热原(yuan)因

Mos管发(fa)(fa)(fa)(fa)热(re)(re)，主要(yao)原因(yin)之一(yi)(yi)是(shi)(shi)寄(ji)生电(dian)(dian)(dian)(dian)容在频繁开(kai)启关闭时，显现交流(liu)特性而(er)具有(you)(you)(you)阻(zu)(zu)抗，形成(cheng)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)。有(you)(you)(you)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)就有(you)(you)(you)发(fa)(fa)(fa)(fa)热(re)(re)，并(bing)非(fei)电(dian)(dian)(dian)(dian)场型(xing)的(de)就没有(you)(you)(you)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)。另一(yi)(yi)个(ge)(ge)(ge)原因(yin)是(shi)(shi)当栅极电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)爬升缓慢时，导(dao)通状态(tai)要(yao)“路过”一(yi)(yi)个(ge)(ge)(ge)由关闭到导(dao)通的(de)临界点，这(zhei)时，导(dao)通电(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)很大，发(fa)(fa)(fa)(fa)热(re)(re)比较厉害。第三个(ge)(ge)(ge)原因(yin)是(shi)(shi)导(dao)通后，沟(gou)道有(you)(you)(you)电(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)，过主电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)，形成(cheng)发(fa)(fa)(fa)(fa)热(re)(re)。主要(yao)考虑(lv)的(de)发(fa)(fa)(fa)(fa)热(re)(re)是(shi)(shi)第1和第3点。许多mos管具有(you)(you)(you)结(jie)温(wen)(wen)过高(gao)保(bao)护(hu)，所谓结(jie)温(wen)(wen)就是(shi)(shi)金属(shu)氧化膜(mo)下(xia)面(mian)的(de)沟(gou)道区域(yu)温(wen)(wen)度(du)，一(yi)(yi)般是(shi)(shi)150摄(she)氏度(du)。超过此(ci)温(wen)(wen)度(du)，mos管不可能导(dao)通。温(wen)(wen)度(du)下(xia)降就恢复。要(yao)注意这(zhei)种(zhong)保(bao)护(hu)状态(tai)的(de)后果(guo)。

mos管工作原理

增强型MOS管的漏(lou)极(ji)D和源(yuan)极(ji)S之间有两个背靠(kao)背的pn结(jie)。当栅-源(yuan)电压VGS=0时(shi)，即使(shi)加上(shang)漏(lou)-源(yuan)电压VDS，总有一个PN结(jie)处于反(fan)偏状态(tai)，漏(lou)-源(yuan)极(ji)间没(mei)有导(dao)电沟道(没(mei)有电流流过(guo))，所以这(zhei)时(shi)漏(lou)极(ji)电流ID=0。

此时(shi)若(ruo)在栅-源极(ji)间加上正向电(dian)(dian)(dian)压(ya)，即VGS>0，则栅极(ji)和(he)硅(gui)(gui)衬底之间的SiO2绝(jue)缘层(ceng)中便产生一(yi)(yi)(yi)个栅极(ji)指向P型硅(gui)(gui)衬底的电(dian)(dian)(dian)场，由(you)于氧化(hua)(hua)物层(ceng)是(shi)绝(jue)缘的，栅极(ji)所加电(dian)(dian)(dian)压(ya)VGS无法形(xing)成(cheng)电(dian)(dian)(dian)流(liu)，氧化(hua)(hua)物层(ceng)的两边就形(xing)成(cheng)了(le)一(yi)(yi)(yi)个电(dian)(dian)(dian)容(rong)，VGS等效是(shi)对这个电(dian)(dian)(dian)容(rong)充电(dian)(dian)(dian)，并(bing)形(xing)成(cheng)一(yi)(yi)(yi)个电(dian)(dian)(dian)场，随着VGS逐渐升高，受栅极(ji)正电(dian)(dian)(dian)压(ya)的吸(xi)引，在这个电(dian)(dian)(dian)容(rong)的另(ling)一(yi)(yi)(yi)边就聚集大(da)(da)量的电(dian)(dian)(dian)子并(bing)形(xing)成(cheng)了(le)一(yi)(yi)(yi)个从漏极(ji)到(dao)源极(ji)的N型导电(dian)(dian)(dian)沟道(dao)，当VGS大(da)(da)于管子的开(kai)启电(dian)(dian)(dian)压(ya)VT(一(yi)(yi)(yi)般(ban)约为 2V)时(shi)，N沟道(dao)管开(kai)始导通，形(xing)成(cheng)漏极(ji)电(dian)(dian)(dian)流(liu)ID，我们(men)把开(kai)始形(xing)成(cheng)沟道(dao)时(shi)的栅-源极(ji)电(dian)(dian)(dian)压(ya)称为开(kai)启电(dian)(dian)(dian)压(ya)，一(yi)(yi)(yi)般(ban)用VT表示。

控(kong)(kong)制(zhi)栅(zha)极电压VGS的(de)大(da)小改(gai)变(bian)了(le)电场的(de)强弱，就(jiu)可以(yi)达到控(kong)(kong)制(zhi)漏极电流ID的(de)大(da)小的(de)目的(de)，这也(ye)是MOS管(guan)用(yong)电场来控(kong)(kong)制(zhi)电流的(de)一个重要特(te)点，所以(yi)也(ye)称(cheng)之为场效应管(guan)。

MOS管的防静电保护

MOS管(guan)是(shi)属于(yu)(yu)绝(jue)缘栅(zha)场效应管(guan)，栅(zha)极(ji)(ji)是(shi)无直流通路，输入阻抗极(ji)(ji)高，极(ji)(ji)易引(yin)起静电(dian)(dian)荷聚集，产生(sheng)较(jiao)高的(de)电(dian)(dian)压(ya)将栅(zha)极(ji)(ji)和源极(ji)(ji)之间的(de)绝(jue)缘层击穿。早期生(sheng)产的(de)MOS管(guan)大都没有防(fang)静电(dian)(dian)的(de)措(cuo)施，所(suo)以在保管(guan)及(ji)应用上(shang)要非常小(xiao)心，特别(bie)是(shi)功(gong)率(lv)较(jiao)小(xiao)的(de)MOS管(guan)，由于(yu)(yu)功(gong)率(lv)较(jiao)小(xiao)的(de)MOS管(guan)输入电(dian)(dian)容(rong)(rong)比较(jiao)小(xiao)，接(jie)触到静电(dian)(dian)时产生(sheng)的(de)电(dian)(dian)压(ya)较(jiao)高，容(rong)(rong)易引(yin)起静电(dian)(dian)击穿。

而(er)近(jin)期的(de)(de)(de)(de)(de)增强型(xing)大(da)(da)功率(lv)MOS管(guan)则有(you)(you)(you)比(bi)较(jiao)(jiao)大(da)(da)的(de)(de)(de)(de)(de)区别，首先由于(yu)功能较(jiao)(jiao)大(da)(da)输入电(dian)容也比(bi)较(jiao)(jiao)大(da)(da)，这样接触到静电(dian)就有(you)(you)(you)一(yi)个充电(dian)的(de)(de)(de)(de)(de)过程，产生的(de)(de)(de)(de)(de)电(dian)压较(jiao)(jiao)小(xiao)，引(yin)起击穿的(de)(de)(de)(de)(de)可(ke)能较(jiao)(jiao)小(xiao)，再者现在的(de)(de)(de)(de)(de)大(da)(da)功率(lv)MOS管(guan)在内部(bu)的(de)(de)(de)(de)(de)栅极(ji)(ji)和(he)源极(ji)(ji)有(you)(you)(you)一(yi)个保(bao)(bao)护的(de)(de)(de)(de)(de)稳压管(guan)DZ，如下图所示,把静电(dian)嵌(qian)位于(yu)保(bao)(bao)护稳压二极(ji)(ji)管(guan)的(de)(de)(de)(de)(de)稳压值以下，有(you)(you)(you)效的(de)(de)(de)(de)(de)保(bao)(bao)护了栅极(ji)(ji)和(he)源极(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)绝缘层(ceng)，不同功率(lv)、不同型(xing)号(hao)的(de)(de)(de)(de)(de)MOS管(guan)其保(bao)(bao)护稳压二极(ji)(ji)管(guan)的(de)(de)(de)(de)(de)稳压值是不同的(de)(de)(de)(de)(de)。虽然(ran)MOS管(guan)内部(bu)有(you)(you)(you)了保(bao)(bao)护措施，我们(men)操(cao)作时也应(ying)按照防静电(dian)的(de)(de)(de)(de)(de)操(cao)作规程进行，这是一(yi)个合格(ge)的(de)(de)(de)(de)(de)维修员(yuan)应(ying)该具备的(de)(de)(de)(de)(de)。

MOS管的检测

检测必须采(cai)用(yong)指(zhi)针式万用(yong)表(biao)（数字表(biao)是不适宜测量半(ban)导体器件的(de)(de)）。对于功率(lv)型(xing)MOSFET开(kai)关(guan)管都属N沟(gou)道增强型(xing)，各生产(chan)厂的(de)(de)产(chan)品也几乎都采(cai)用(yong)相同的(de)(de)TO-220F封(feng)装形式（指(zhi)用(yong)于开(kai)关(guan)电源中功率(lv)为50—200W的(de)(de)场效应(ying)开(kai)关(guan)管），其三个电极(ji)排列(lie)也一(yi)致，即将三只引脚向下，打印型(xing)号面向自巳，左(zuo)侧引脚为栅极(ji)，右测引脚为源极(ji)，中间引脚为漏极(ji)如图5-1所示。

1）万用表及相关(guan)的准备：

首先在(zai)(zai)(zai)(zai)测(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang)前应该会(hui)(hui)使用(yong)(yong)(yong)(yong)万(wan)用(yong)(yong)(yong)(yong)表(biao)(biao)，特别是(shi)欧(ou)(ou)姆(mu)(mu)(mu)档的(de)(de)应用(yong)(yong)(yong)(yong)，要(yao)了解欧(ou)(ou)姆(mu)(mu)(mu)挡(dang)(dang)才(cai)会(hui)(hui)正确(que)应用(yong)(yong)(yong)(yong)欧(ou)(ou)姆(mu)(mu)(mu)挡(dang)(dang)来测(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang)晶体(ti)三(san)极(ji)管(guan)(guan)及MOS管(guan)(guan)（现(xian)在(zai)(zai)(zai)(zai)很(hen)多(duo)的(de)(de)从事修理人(ren)员，不会(hui)(hui)使用(yong)(yong)(yong)(yong)万(wan)用(yong)(yong)(yong)(yong)表(biao)(biao)，特别是(shi)万(wan)用(yong)(yong)(yong)(yong)表(biao)(biao)的(de)(de)欧(ou)(ou)姆(mu)(mu)(mu)挡(dang)(dang)，这绝不是(shi)危言耸(song)听(ting)，问(wen)问(wen)他(ta)？他(ta)知道欧(ou)(ou)姆(mu)(mu)(mu)挡(dang)(dang)的(de)(de)R×1 R×10 R×100 R×1K R×10K，在(zai)(zai)(zai)(zai)表(biao)(biao)笔短路时(shi)，流过表(biao)(biao)笔的(de)(de)电(dian)流分别有多(duo)大吗？这个电(dian)流就(jiu)(jiu)是(shi)流过被测(ce)(ce)元(yuan)件的(de)(de)电(dian)流。他(ta)知道欧(ou)(ou)姆(mu)(mu)(mu)挡(dang)(dang)在(zai)(zai)(zai)(zai)表(biao)(biao)笔开路时(shi)表(biao)(biao)笔两端的(de)(de)电(dian)压有多(duo)大吗？这就(jiu)(jiu)是(shi)在(zai)(zai)(zai)(zai)测(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang)时(shi)被测(ce)(ce)元(yuan)件在(zai)(zai)(zai)(zai)测(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang)时(shi)所承受(shou)的(de)(de)电(dian)压）关于正确(que)使用(yong)(yong)(yong)(yong)万(wan)用(yong)(yong)(yong)(yong)表(biao)(biao)欧(ou)(ou)姆(mu)(mu)(mu)挡(dang)(dang)的(de)(de)问(wen)题，可以(yi)参(can)阅(yue)可以(yi)参(can)阅(yue)“您会(hui)(hui)用(yong)(yong)(yong)(yong)万(wan)用(yong)(yong)(yong)(yong)表(biao)(biao)的(de)(de)欧(ou)(ou)姆(mu)(mu)(mu)挡(dang)(dang)测(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang)二极(ji)管(guan)(guan)、三(san)极(ji)管(guan)(guan)吗？”“可以(yi)参(can)阅(yue)本博客(ke)“您会(hui)(hui)用(yong)(yong)(yong)(yong)万(wan)用(yong)(yong)(yong)(yong)表(biao)(biao)的(de)(de)欧(ou)(ou)姆(mu)(mu)(mu)挡(dang)(dang)测(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang)二极(ji)管(guan)(guan)、三(san)极(ji)管(guan)(guan)吗？”一文，因篇(pian)幅问(wen)题这里不再赘(zhui)述。

用万用表(biao)(biao)的欧姆挡的欧姆中(zhong)心刻(ke)度不能太大(da)，最好小于(yu)12Ω（500型表(biao)(biao)为12Ω），这样在R×1挡可(ke)以有较大(da)的电流，对于(yu)PN结的正向(xiang)特(te)性(xing)判(pan)断比较准确。万用表(biao)(biao)R×10K挡

现在由(you)于生产工艺的进步(bu)，出厂的筛选(xuan)、检(jian)测都很(hen)严格，我们一般判断(duan)只要判断(duan)MOS管(guan)不(bu)漏(lou)电、不(bu)击(ji)穿短路、内部不(bu)断(duan)路、能放大就可以(yi)了，方(fang)法极为简(jian)单：

采用万用表(biao)的(de)(de)R×10K挡(dang)；R×10K挡(dang)内部(bu)的(de)(de)电(dian)(dian)池(chi)一般是(shi)9V加(jia)1.5V达到10.5V这(zhei)个电(dian)(dian)压一般判断PN结(jie)点(dian)反相漏电(dian)(dian)是(shi)够了，万用表(biao)的(de)(de)红表(biao)笔(bi)是(shi)负(fu)(fu)电(dian)(dian)位(wei)（接内部(bu)电(dian)(dian)池(chi)的(de)(de)负(fu)(fu)极），万用表(biao)的(de)(de)黑表(biao)笔(bi)是(shi)正电(dian)(dian)位(wei)（接内部(bu)电(dian)(dian)池(chi)的(de)(de)正极），图5-2所示。

测试步骤

把红(hong)表(biao)笔(bi)接到MOS管(guan)的(de)源极S；把黑表(biao)笔(bi)接到MOS管(guan)的(de)漏(lou)极D，此时表(biao)针指(zhi)(zhi)示应(ying)该(gai)为(wei)无穷大，如(ru)图5-3所示。如(ru)果(guo)有(you)欧姆指(zhi)(zhi)数，说(shuo)明被(bei)测管(guan)有(you)漏(lou)电现(xian)象，此管(guan)不能(neng)用(yong)。

保持上述状态；此(ci)时用一(yi)只100K～200K电(dian)(dian)(dian)(dian)阻连接于栅极(ji)(ji)和漏(lou)极(ji)(ji)，如图5-4所(suo)示(shi)；这时表针指示(shi)欧姆数(shu)应该越小越好，一(yi)般能(neng)指示(shi)到0欧姆，这时是正(zheng)电(dian)(dian)(dian)(dian)荷(he)通(tong)过100K电(dian)(dian)(dian)(dian)阻对MOS管的栅极(ji)(ji)充电(dian)(dian)(dian)(dian)，产生(sheng)栅极(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)场(chang)，由于电(dian)(dian)(dian)(dian)场(chang)产生(sheng)导致导电(dian)(dian)(dian)(dian)沟道致使(shi)漏(lou)极(ji)(ji)和源极(ji)(ji)导通(tong)，所(suo)以万(wan)用表指针偏转，偏转的角度大（欧姆指数(shu)小）证(zheng)明(ming)放电(dian)(dian)(dian)(dian)性能(neng)好。

此时在图5-4的(de)(de)(de)(de)状态；再把(ba)连接(jie)的(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)阻(zu)移开，这时万用(yong)表的(de)(de)(de)(de)指针仍(reng)然应该是(shi)MOS管(guan)(guan)导(dao)通(tong)的(de)(de)(de)(de)指数不变，如图5-5所示。虽然电(dian)(dian)阻(zu)拿开，但是(shi)因为电(dian)(dian)阻(zu)对(dui)栅(zha)极(ji)所充的(de)(de)(de)(de)电(dian)(dian)荷并没(mei)有消失，栅(zha)极(ji)电(dian)(dian)场继续(xu)维(wei)持(chi)，内部(bu)导(dao)电(dian)(dian)沟道(dao)仍(reng)然保持(chi)，这就是(shi)绝缘栅(zha)型MOS管(guan)(guan)的(de)(de)(de)(de)特点。如果电(dian)(dian)阻(zu)拿开表针会慢慢的(de)(de)(de)(de)逐步的(de)(de)(de)(de)退回到高(gao)阻(zu)甚至退回到无穷(qiong)大，要考虑该被测管(guan)(guan)栅(zha)极(ji)漏电(dian)(dian)。

这时用一根(gen)导线，连接被测管的栅极(ji)和源极(ji)，万用表的指针立即返回到无(wu)穷大，如图(tu)5-6所示(shi)。导线的连接使(shi)被测MOS管，栅极(ji)电荷(he)释放，内部(bu)电场消失；导电沟道也消失，所以(yi)漏极(ji)和源极(ji)之间电阻又变(bian)成无(wu)穷大。

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