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N沟道(dao)(dao)耗(hao)尽(jin)型(xing)MOS管(guan)和(he)N沟道(dao)(dao)增(zeng)强型(xing)MOS管(guan)的(de)(de)结构基本相同(tong)。差别在于(yu)耗(hao)尽(jin)型(xing)MOS管(guan)的(de)(de)Si02绝缘层中(zhong)掺(chan)有大量的(de)(de)正(zheng)离子(zi)Na+或K+（制造P沟道(dao)(dao)耗(hao)尽(jin)型(xing)MOS管(guan)时掺(chan)人负离子(zi)），故在UCs=0时，这些正(zheng)离子(zi)产生(sheng)的(de)(de)电(dian)场作(zuo)用下，漏(lou)极一(yi)源(yuan)极间的(de)(de)P型(xing)衬底表(biao)面也能感应天(tian)生(sheng)N沟道(dao)(dao)（称为初始沟道(dao)(dao)），只要(yao)加(jia)上正(zheng)向(xiang)电(dian)压UDS，就(jiu)有电(dian)流。假如加(jia)上正(zheng)的(de)(de)UCs，栅极与N沟道(dao)(dao)间的(de)(de)电(dian)场将在沟道(dao)(dao)中(zhong)吸引来(lai)更(geng)多的(de)(de).

N沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS管(guan)的结构基本相同。差别在于耗尽型MOS管的Si02绝缘层中掺有大量的正离子Na+或K+（制造P沟道耗尽型MOS管时掺人负离子），故在UCs=0时，这些正离子(zi)产生的(de)电(dian)(dian)(dian)场(chang)作(zuo)用(yong)下，漏极(ji)一源极(ji)间的(de)P型衬(chen)底表面也能(neng)感应天生N沟(gou)(gou)(gou)道(dao)（称(cheng)为初始(shi)沟(gou)(gou)(gou)道(dao)），只要加上正向电(dian)(dian)(dian)压(ya)UDS，就(jiu)有(you)电(dian)(dian)(dian)流。假如加上正的(de)UCs，栅极(ji)与N沟(gou)(gou)(gou)道(dao)间的(de)电(dian)(dian)(dian)场(chang)将在沟(gou)(gou)(gou)道(dao)中吸(xi)引(yin)来更多的(de)电(dian)(dian)(dian)子(zi)，沟(gou)(gou)(gou)道(dao)加宽，沟(gou)(gou)(gou)道(dao)电(dian)(dian)(dian)阻变小。增(zeng)大(da)。反之UCs为负时，沟(gou)(gou)(gou)道(dao)中感应的(de)电(dian)(dian)(dian)子(zi)减(jian)少(shao)，沟(gou)(gou)(gou)道(dao)变窄(zhai)，沟(gou)(gou)(gou)道(dao)电(dian)(dian)(dian)阻变大(da)。减(jian)少(shao)。当UCS负向增(zeng)加到(dao)某一数值时，导电(dian)(dian)(dian)沟(gou)(gou)(gou)道(dao)消(xiao)失。趋于零，管子(zi)截止，故称(cheng)为耗尽型。

N沟道耗尽型MOSFET的结构与增强型MOSFET结构类似，只有一点不同，就是N沟道耗尽型MOSFET在栅极电压uGS=0时，沟道已经存在。该N沟道是在制造过程中应用离子注入法预先在衬底的表面，在D、S之间制造的，称之为初始沟道。N沟道耗尽型MOSFET的结构和符号如图1.（a）所示，它是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子。所以当VGS＝0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。于是，只要有漏源电压，就有漏极电流存在。当VGS＞0时，将使ID进一步增加。VGS＜0时，跟着VGS的减小漏极电流逐渐减小，直至ID＝0。对应ID＝0的VGS称为夹断电压，用符(fu)号VGS(off)表(biao)示，有时也(ye)用VP表(biao)示。N沟(gou)道耗(hao)尽型MOSFET的(de)转移特性.

耗尽型MOS场效(xiao)应(ying)管，是在制(zhi)造(zao)过程中，预先在SiO2绝(jue)缘层(ceng)中掺入大(da)量的(de)(de)正离(li)子，因此，在UGS=0时，这些正离(li)子产生的(de)(de)电场也(ye)能在P型衬底中“感(gan)应(ying)”出足够的(de)(de)电子，形成(cheng)N型导电沟(gou)道。

当UDS>0时，将产生较大的漏极电流ID。假如使UGS<0，则它将削弱正离子所形成的电场，使N沟道变窄，从而使ID减小。当UGS更负，达到某一数值时沟道消失，ID=0。使ID=0的UGS我们也称为夹断电压，仍用UP表示。UGS

据导电方式的不同，MOSFET又分(fen)增强(qiang)型(xing)、耗尽(jin)型(xing)。耗尽(jin)型(xing)是指，当(dang)VGS=0时即形成沟道(dao)(dao)，加上准确的VGS时，能使多数(shu)载(zai)流子流出沟道(dao)(dao)，因而(er)“耗尽(jin)”了载(zai)流子，使管子转向截止。

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