利盈娱乐(中国)创新平台有限公司

金属-氧(yang)化物半导体场(chang)(chang)效应晶(jing)体管，简称金氧(yang)半场(chang)(chang)效晶(jing)体管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟(ni)电路与数字电路的(de)场(chang)(chang)效晶(jing)体管（field-effecttransistor）。MOSFET依(yi)照其“通(tong)(tong)道”（工作(zuo)载流子）的(de)极性不同，可分(fen)为(wei)(wei)“N型”与“P型”的(de)两(liang)种类型，通(tong)(tong)常又称为(wei)(wei)NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

（1）用测电阻法区分结型场效应管的电极对VMOSV沟道增(zeng)强(qiang)型(xing)场效应(ying)管(guan)(guan)丈(zhang)量跨(kua)(kua)导(dao)性能(neng)时(shi)，可用红(hong)表(biao)(biao)笔接源(yuan)极(ji)S、黑表(biao)(biao)笔接漏(lou)极(ji)D，这就持平(ping)于在源(yuan)、漏(lou)极(ji)之间加(jia)了(le)一个反(fan)向电(dian)压。此刻栅极(ji)是开路的(de)，管(guan)(guan)的(de)反(fan)向电(dian)阻值(zhi)是很(hen)不(bu)稳定(ding)的(de)。将万用表(biao)(biao)的(de)欧姆(mu)档选在R×10kΩ的(de)高(gao)阻档，此刻表(biao)(biao)内电(dian)压较(jiao)高(gao)。当用手触摸栅极(ji)G时(shi)，会(hui)发现管(guan)(guan)的(de)反(fan)向电(dian)阻值(zhi)有(you)明(ming)显地改变(bian)，其(qi)改变(bian)越大，阐明(ming)管(guan)(guan)的(de)跨(kua)(kua)导(dao)值(zhi)越高(gao)；假设被测管(guan)(guan)的(de)跨(kua)(kua)导(dao)很(hen)小，用此法测时(shi)，反(fan)向阻值(zhi)改变(bian)不(bu)大。

（2）用测(ce)反向电阻(zu)(zu)值(zhi)的(de)(de)改变断(duan)定(ding)跨导的(de)(de)巨细(xi)当断(duan)定(ding)了漏(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)D、源(yuan)(yuan)(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)S的(de)(de)方(fang)位后，按D、S的(de)(de)对应方(fang)位装人电路(lu)，通常G1、G2也(ye)会顺次(ci)对准方(fang)位，这(zhei)(zhei)就(jiu)断(duan)定(ding)了两(liang)个(ge)栅(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)G1、G2的(de)(de)方(fang)位，从(cong)而就(jiu)断(duan)定(ding)了D、S、G1、G2管脚的(de)(de)次(ci)序。 用这(zhei)(zhei)种(zhong)办法(fa)区分出(chu)来的(de)(de)S、D极(ji)(ji)(ji)(ji)，还能够用估(gu)测(ce)其管的(de)(de)扩大(da)才能的(de)(de)办法(fa)进行验证，即扩大(da)才能大(da)的(de)(de)黑表(biao)(biao)(biao)笔所接(jie)(jie)(jie)的(de)(de)是(shi)D极(ji)(ji)(ji)(ji)；红(hong)表(biao)(biao)(biao)笔所接(jie)(jie)(jie)地是(shi)8极(ji)(ji)(ji)(ji)，两(liang)种(zhong)办法(fa)检查结果(guo)均应相(xiang)同。 首(shou)要(yao)用丈量电阻(zu)(zu)的(de)(de)办法(fa)找(zhao)出(chu)两(liang)个(ge)有电阻(zu)(zu)值(zhi)的(de)(de)管脚，也(ye)等于源(yuan)(yuan)(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)S和(he)漏(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)D，余下(xia)(xia)两(liang)个(ge)脚为榜首(shou)栅(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)G1和(he)第二栅(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)G2。把先用两(liang)表(biao)(biao)(biao)笔测(ce)的(de)(de)源(yuan)(yuan)(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)S与漏(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)D之间的(de)(de)电阻(zu)(zu)值(zhi)记(ji)下(xia)(xia)来，对调表(biao)(biao)(biao)笔再(zai)丈量一(yi)次(ci)，把其测(ce)得(de)电阻(zu)(zu)值(zhi)记(ji)下(xia)(xia)来，两(liang)次(ci)测(ce)得(de)阻(zu)(zu)值(zhi)较大(da)的(de)(de)一(yi)次(ci)，黑表(biao)(biao)(biao)笔所接(jie)(jie)(jie)的(de)(de)电极(ji)(ji)(ji)(ji)为漏(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)D；红(hong)表(biao)(biao)(biao)笔所接(jie)(jie)(jie)的(de)(de)为源(yuan)(yuan)(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)S。

（3）用(yong)(yong)测(ce)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)法区(qu)(qu)分无象征的(de)场(chang)效应(ying)(ying)(ying)(ying)管(guan)运用(yong)(yong)这种办(ban)法时要(yao)(yao)阐(chan)明(ming)几点：首要(yao)(yao)，在(zai)测(ce)验(yan)场(chang)效应(ying)(ying)(ying)(ying)管(guan)用(yong)(yong)手捏住栅(zha)(zha)极时，万用(yong)(yong)表针(zhen)也许(xu)向(xiang)右摇(yao)(yao)摆(bai)（电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值减小(xiao)），也也许(xu)向(xiang)左摇(yao)(yao)摆(bai)（电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值添加）。这是因为(wei)人(ren)体(ti)感(gan)应(ying)(ying)(ying)(ying)的(de)沟通(tong)电(dian)(dian)(dian)压(ya)较(jiao)高，而不一样(yang)的(de)场(chang)效应(ying)(ying)(ying)(ying)管(guan)用(yong)(yong)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)档(dang)测(ce)量时的(de)作业(ye)点也许(xu)不一样(yang)（或许(xu)作业(ye)在(zai)饱(bao)和(he)区(qu)(qu)或许(xu)在(zai)不饱(bao)和(he)区(qu)(qu)）所(suo)形成(cheng)(cheng)的(de)，实验(yan)标明(ming)，大(da)都管(guan)的(de)RDS增大(da)，即表针(zhen)向(xiang)左摇(yao)(yao)摆(bai)；少数管(guan)的(de)RDS减小(xiao)，使表针(zhen)向(xiang)右摇(yao)(yao)摆(bai)。但不论表针(zhen)摇(yao)(yao)摆(bai)方向(xiang)怎么，只需(xu)表针(zhen)摇(yao)(yao)摆(bai)起(qi)(qi)伏较(jiao)大(da)，就阐(chan)明(ming)管(guan)有较(jiao)大(da)的(de)扩大(da)才能(neng)。第二，此办(ban)法对MOS场(chang)效应(ying)(ying)(ying)(ying)管(guan)也合用(yong)(yong)。但要(yao)(yao)留心，MOS场(chang)效应(ying)(ying)(ying)(ying)管(guan)的(de)输人(ren)电(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)高，栅(zha)(zha)极G容许(xu)的(de)感(gan)应(ying)(ying)(ying)(ying)电(dian)(dian)(dian)压(ya)不应(ying)(ying)(ying)(ying)过高，所(suo)以不要(yao)(yao)直(zhi)接(jie)用(yong)(yong)手去捏栅(zha)(zha)极，必需(xu)用(yong)(yong)于握螺丝刀的(de)绝缘柄，用(yong)(yong)金属(shu)杆去碰触栅(zha)(zha)极，以防(fang)止人(ren)体(ti)感(gan)应(ying)(ying)(ying)(ying)电(dian)(dian)(dian)荷直(zhi)接(jie)加到栅(zha)(zha)极，引(yin)起(qi)(qi)栅(zha)(zha)极击穿。第三，每(mei)次测(ce)量结束(shu)，应(ying)(ying)(ying)(ying)当(dang)G-S极间短路一下。这是因为(wei)G-S结电(dian)(dian)(dian)容上会(hui)充有少数电(dian)(dian)(dian)荷，建立起(qi)(qi)VGS电(dian)(dian)(dian)压(ya)，形成(cheng)(cheng)再进行测(ce)量时表针(zhen)也许(xu)不动，只要(yao)(yao)将G-S极间电(dian)(dian)(dian)荷短路放(fang)掉(diao)才行。

依(yi)据(ju)上述办法(fa)，用万用表(biao)的(de)(de)(de)R×100档，测(ce)结(jie)型(xing)场效应管(guan)3DJ2F。先将(jiang)管(guan)的(de)(de)(de)Ｇ极开路，测(ce)得漏源电阻RDS为600Ω，用手捏住G极后，表(biao)针(zhen)向左摇(yao)摆(bai)，指示的(de)(de)(de)电阻RDS为12kΩ，表(biao)针(zhen)摇(yao)摆(bai)的(de)(de)(de)起伏较大(da)，阐明该(gai)管(guan)是好的(de)(de)(de)，并有较大(da)的(de)(de)(de)扩大(da)才能(neng)。

具体办法(fa)：用万用表(biao)(biao)电(dian)阻的R×100档，红表(biao)(biao)笔(bi)接源极(ji)(ji)(ji)S，黑表(biao)(biao)笔(bi)接漏极(ji)(ji)(ji)D，给场效(xiao)(xiao)应管(guan)(guan)加上(shang)1.5Ｖ的电(dian)源电(dian)压(ya)(ya)(ya)，此刻表(biao)(biao)针(zhen)指(zhi)示(shi)出(chu)的漏源极(ji)(ji)(ji)间(jian)的电(dian)阻值。然(ran)后(hou)用手捏(nie)住结(jie)型场效(xiao)(xiao)应管(guan)(guan)的栅极(ji)(ji)(ji)G，将人体的感应电(dian)压(ya)(ya)(ya)信号加到栅极(ji)(ji)(ji)上(shang)。这样，因为管(guan)(guan)的扩大(da)(da)效(xiao)(xiao)果，漏源电(dian)压(ya)(ya)(ya)VDS和漏极(ji)(ji)(ji)电(dian)流Iｂ都要发生改(gai)(gai)变(bian)，也即(ji)是漏源极(ji)(ji)(ji)间(jian)电(dian)阻发生了(le)改(gai)(gai)变(bian)，由此能够观察到表(biao)(biao)针(zhen)有较(jiao)大(da)(da)起(qi)伏的摇摆(bai)(bai)。假(jia)设手捏(nie)栅极(ji)(ji)(ji)表(biao)(biao)针(zhen)摇摆(bai)(bai)较(jiao)小，阐明管(guan)(guan)的扩大(da)(da)才能较(jiao)差；表(biao)(biao)针(zhen)摇摆(bai)(bai)较(jiao)大(da)(da)，标明管(guan)(guan)的扩大(da)(da)才能大(da)(da)；若表(biao)(biao)针(zhen)不动，阐明管(guan)(guan)是坏的。

（4）用(yong)感应(ying)信号输人(ren)法(fa)估测(ce)(ce)(ce)场(chang)效应(ying)管(guan)的(de)(de)(de)扩大(da)才(cai)能详(xiang)细办法(fa)：首要(yao)(yao)将(jiang)万用(yong)表(biao)置于Ｒ×10或(huo)Ｒ×100档，丈量(liang)源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)S与(yu)(yu)漏(lou)(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)D之间(jian)(jian)的(de)(de)(de)电(dian)(dian)阻(zu)(zu)，通常(chang)(chang)在(zai)几(ji)十欧到几(ji)千欧规模（在(zai)手(shou)册(ce)中可知(zhi)，各种不(bu)(bu)一(yi)样型号的(de)(de)(de)管(guan)，其电(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)(zhi)是(shi)(shi)(shi)各不(bu)(bu)相同(tong)的(de)(de)(de)），假(jia)设测(ce)(ce)(ce)得(de)阻(zu)(zu)值(zhi)(zhi)大(da)于正常(chang)(chang)值(zhi)(zhi)，也(ye)许(xu)是(shi)(shi)(shi)由(you)于内部触摸不(bu)(bu)良；假(jia)设测(ce)(ce)(ce)得(de)阻(zu)(zu)值(zhi)(zhi)是(shi)(shi)(shi)无(wu)(wu)穷大(da)，也(ye)许(xu)是(shi)(shi)(shi)内部断极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)。要(yao)(yao)留心，若(ruo)两(liang)个栅(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)在(zai)管(guan)内断极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)，可用(yong)元件代换(huan)法(fa)进(jin)行检查(cha)。 测(ce)(ce)(ce)电(dian)(dian)阻(zu)(zu)法(fa)是(shi)(shi)(shi)用(yong)万用(yong)表(biao)丈量(liang)场(chang)效应(ying)管(guan)的(de)(de)(de)源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)与(yu)(yu)漏(lou)(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)、栅(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)与(yu)(yu)源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)、栅(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)与(yu)(yu)漏(lou)(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)、栅(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)G1与(yu)(yu)栅(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)G2之间(jian)(jian)的(de)(de)(de)电(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)(zhi)同(tong)场(chang)效应(ying)管(guan)手(shou)册(ce)标明的(de)(de)(de)电(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)(zhi)是(shi)(shi)(shi)不(bu)(bu)是(shi)(shi)(shi)相符去区(qu)分(fen)管(guan)的(de)(de)(de)好坏。 。然后(hou)把万用(yong)表(biao)置于R×10ｋ档，再测(ce)(ce)(ce)栅(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)G1与(yu)(yu)G2之间(jian)(jian)、栅(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)与(yu)(yu)源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)、栅(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)与(yu)(yu)漏(lou)(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)之间(jian)(jian)的(de)(de)(de)电(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)(zhi)，当测(ce)(ce)(ce)得(de)其各项电(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)(zhi)均为无(wu)(wu)穷大(da)，则阐明管(guan)是(shi)(shi)(shi)正常(chang)(chang)的(de)(de)(de)；若(ruo)测(ce)(ce)(ce)得(de)上述各阻(zu)(zu)值(zhi)(zhi)太小或(huo)为通路，则阐明管(guan)是(shi)(shi)(shi)坏的(de)(de)(de)。

（5）用测电阻法区分场效应管的好坏详细办法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。若两次测出的电阻值均很大，阐明是PN结的反向，即都是反向电阻，能够判别是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，阐明是正向PN结，即是正向电阻，判别为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。当出现两次测得的电阻值近似持平时，则黑表笔所触摸的电极为栅极，其他(ta)两电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)分别为漏(lou)极(ji)(ji)(ji)和(he)源极(ji)(ji)(ji)。若不出现(xian)上述(shu)情况，能够(gou)互(hu)换黑、红(hong)表(biao)笔(bi)按上述(shu)办(ban)法进行测验，直到区分出栅极(ji)(ji)(ji)休止。 当某两个(ge)电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)的(de)正(zheng)、反向电(dian)(dian)(dian)阻(zu)值持平，且为几千欧姆时(shi)，则该两个(ge)电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)分别是漏(lou)极(ji)(ji)(ji)D和(he)源极(ji)(ji)(ji)S。由于(yu)对结型场(chang)效(xiao)应管(guan)而言(yan)，漏(lou)极(ji)(ji)(ji)和(he)源极(ji)(ji)(ji)可(ke)交换，剩余的(de)电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)肯定是栅极(ji)(ji)(ji)Ｇ。依据场(chang)效(xiao)应管(guan)的(de)PN结正(zheng)、反向电(dian)(dian)(dian)阻(zu)值不相同的(de)景象，能够(gou)区分出结型场(chang)效(xiao)应管(guan)的(de)三(san)个(ge)电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)。也(ye)能够(gou)将(jiang)万(wan)用表(biao)的(de)黑表(biao)笔(bi)（红(hong)表(biao)笔(bi)也(ye)行）恣意触摸一个(ge)电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)，另一只表(biao)笔(bi)顺次去触摸其他(ta)的(de)两个(ge)电(dian)(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)，测其电(dian)(dian)(dian)阻(zu)值。

联系方式：邹先(xian)生(sheng)

手机：18123972950

QQ：2880195519

联系地(di)址(zhi)：深圳市福田区车公庙天安数码(ma)城(cheng)天吉(ji)大厦CD座(zuo)5C1

 关注(zhu)KIA半(ban)导体工程(cheng)专辑请搜微信号:“KIA半(ban)导体”或点(dian)击本文下(xia)方(fang)图(tu)片(pian)扫(sao)(sao)一扫(sao)(sao)进入官方(fang)微信“关注(zhu)”

长按二维码(ma)识(shi)别(bie)关注