原厂MOS管(guan) 价格优势 KNX9130A替代FQA40N25 PDF文(wen)件下载-KIA MOS管(guan)
信息来(lai)源：本站 日(ri)期：2019-04-25
KIA半导体MOS管KNX9130A替代FQA40N25，KIA MOS管KNX9130A相比(bi)FQA40N25在价格上(shang)有很大优(you)势。
KIA半导体(ti)是(shi)一家专(zhuan)业从事中(zhong)、大、功率场(chang)效应(ying)管(MOSFET)、快速恢复(fu)二极管、三端稳(wen)压管开发设计，集研发、生产和销售为一体(ti)的国家高新技(ji)术企(qi)业。
KIA半(ban)导体(ti)(ti)从设计研发(fa)到制造再(zai)到仓储物流，KIA半(ban)导体(ti)(ti)真(zhen)正(zheng)(zheng)实现了(le)(le)一(yi)体(ti)(ti)化的(de)服务链(lian)，真(zhen)正(zheng)(zheng)做到了(le)(le)服务细节全到位的(de)品牌内(nei)涵，我(wo)们致力(li)于成为场效应管(guan)（MOSFET）功率器件领域的(de)领跑者(zhe)，为了(le)(le)这个目(mu)标，KIA半(ban)导体(ti)(ti)正(zheng)(zheng)在持续(xu)创新，永不(bu)止步！
下文将会有(you)KNX9130A和FQA40N25两个产品的详细参(can)数(shu)、封装(zhuang)以及(ji)规(gui)格书。
RDS(ON),typ.=100mΩ@VGS=10V
专有的新平面技术
低栅(zha)电(dian)荷最小开关损耗
快速恢(hui)复体(ti)二极管
型号(hao)：KNX9130A
工(gong)作方式：40A/300V
漏源极(ji)电压：250V
栅极到源极电压：±20V
连续(xu)漏电电流(liu)：40A
单脉冲雪崩能量:1250MJ
二极管峰值恢复:5.0V/ns
漏源击(ji)穿电压:300V
二极管正(zheng)向电压:1.5V
输入电(dian)容:3100pF
输出(chu)电(dian)容:250pF
反(fan)向传输(shu)电(dian)容:80pF
查看详情，请点击下图。
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