mos管功率各种参数大全

mos管基本参数

Coss:输出电容 Coss = CDS +CGD .

Ciss:输(shu)入电容 Ciss= CGD + CGS ( CDS 短(duan)路(lu)).

Tf :下降时刻.输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时刻.

Td(off) :关(guan)断(duan)(duan)延迟时刻.输入电压下降到 90%开端到 VDS 上升到其关(guan)断(duan)(duan)电压时 10% 的时刻.

Tr :上升时刻.输出电压 VDS 从 90% 下(xia)降(jiang)到其幅值 10% 的时刻.

Td(on):导通延迟时刻.从有输入(ru)电压上升到 10% 开端到 VDS 下降到其幅值90%的时刻.

Qgd :栅(zha)漏充(chong)电(考(kao)虑到 Miller效应)电量.

Qgs:栅(zha)源充(chong)电(dian)电(dian)量(liang).

Qg :栅(zha)极(ji)总(zong)充(chong)电电量.

MOSFET是电压型驱动器材,驱动的进程即是栅极电压的建立进程,这是经过对栅源及栅漏之间的(de)电容充电来(lai)完成的(de),下面将有此方面的(de)详(xiang)细论述.

gfs:跨导.是指漏(lou)极(ji)输出(chu)电流的(de)改变(bian)量与栅(zha)源(yuan)电压(ya)改变(bian)量之比,是栅(zha)源(yuan)电压(ya)对漏(lou)极(ji)电流操控(kong)才能巨细的(de)测量. gfs 与 VGS 的(de)转移联系图如下图所(suo)示.

动态参数

IGSS :栅(zha)源驱动(dong)电流或反向电流.由于 MOSFET 输(shu)入阻抗(kang)很大,IGSS 通常在(zai)纳安级.

IDSS :饱(bao)满(man)漏源电流,栅极电压 VGS=0 、

VDS 为必定(ding)值(zhi)时的(de)漏源(yuan)电流.通常在微(wei)安级(ji).

VGS(th) :敞开电压(ya)(阀值(zhi)电压(ya)).当(dang)外(wai)加栅极操控电压(ya) VGS超(chao)越VGS(th)

时,漏区和(he)源区的(de)外(wai)表反(fan)型(xing)层形成(cheng)了(le)衔接(jie)的(de)沟道.应用中,常将漏极(ji)短接(jie)前提(ti)下 ID即(ji)是毫(hao)安时的(de)栅极(ji)电压称为敞开电压.此参数通常会随结温度(du)的(de)上升而(er)有所(suo)下降(jiang).

RDS(on) :在特定(ding)的(de) VGS (通(tong)常为 10V)、结(jie)温及(ji)漏极电流(liu)的(de)前提下, MOSFET 导通(tong)时漏源(yuan)间(jian)的(de)最(zui)大阻(zu)抗.它是一个非(fei)常重要的(de)参(can)数(shu),决定(ding)了MOSFET导通(tong)时的(de)消耗功率.此参(can)数(shu)通(tong)常会随结(jie)温度的(de)上升而有所增大（正温度特性）. 故应以此参(can)数(shu)在最(zui)高(gao)作业结(jie)温前提下的(de)值作为损耗及(ji)压(ya)降计算.

△V(BR)DSS/ △

Tj :漏源击穿电压的温度(du)系数(shu),通(tong)常为0.1V/ ℃.

V(BR)DSS :漏源击穿电压.是指(zhi)栅源电压 VGS 为 0

时,场(chang)效(xiao)应管(guan)正常(chang)作(zuo)业所(suo)能(neng)接受的最大漏源电压.这是一项极限参(can)数,加(jia)在(zai)场(chang)效(xiao)应管(guan)上的作(zuo)业电压必需小于V(BR)DSS .它具有正温度(du)特性(xing).故应以此参(can)数在(zai)低温前提下的值作(zuo)为安全(quan)考虑. 加(jia)负压非常(chang)好(hao)。

静态参数

TSTG :存储温(wen)度范围.

Tj:最大作(zuo)业结温(wen)(wen).通常为 150 ℃或 175 ℃ ,器(qi)材规划(hua)的作(zuo)业前(qian)提下须确应(ying)防止(zhi)超越这个(ge)温(wen)(wen)度,并留有必定裕量. （此参(can)数靠(kao)不住(zhu)）

VGS:最大栅(zha)源电压(ya).，通常为：-20V~+20V

PD:最大耗(hao)散(san)功率.是指场(chang)效应(ying)管机能不(bu)变坏时所容(rong)许的(de)最大漏源耗(hao)散(san)功率.使用时,场(chang)效应(ying)管实践功耗(hao)应(ying)小于PDSM并留(liu)有必定余量.此参数通常会随结温度的(de)上升而有所减额.（此参数靠不(bu)住）

IDM:最大(da)脉(mai)冲漏(lou)源电流.表现一个抗冲击(ji)才能，跟(gen)脉(mai)冲时刻(ke)也(ye)有(you)(you)联系，此(ci)参数会(hui)随结温度(du)的上升而有(you)(you)所减额(e).

ID:最(zui)大漏源(yuan)电(dian)流.是指场(chang)(chang)效应(ying)管正(zheng)常作(zuo)业时(shi),漏源(yuan)间(jian)所容许经过的(de)最(zui)大电(dian)流.场(chang)(chang)效应(ying)管的(de)作(zuo)业电(dian)流不(bu)应(ying)超越(yue) ID .此参数会随结温度的(de)上升而有所减额.

极限参数

ards---漏(lou)源电(dian)阻温(wen)度系数

aID---漏(lou)极电流温度系数(shu)

Vn---噪声电压

η---漏极效率（射频功率管）

Zo---驱动源内阻

VGu---栅(zha)衬底电(dian)压（直流(liu)）

VDu---漏(lou)衬底电压（直流）

Vsu---源(yuan)衬(chen)底电压（直流）

VGD---栅漏电压（直流）

VDS(sat)---漏源(yuan)饱(bao)满电压

VDS(on)---漏源通态电(dian)压

V（BR）GSS---漏源短路(lu)时栅源击穿电压

Vss---源极（直流）电(dian)源电(dian)压（外电(dian)路参数）

VGG---栅极（直(zhi)流(liu)）电(dian)源电(dian)压(ya)（外电(dian)路(lu)参数）

VDD---漏极（直流）电(dian)源电(dian)压(ya)（外电(dian)路参(can)数）

VGSR---反(fan)向栅源(yuan)电压（直(zhi)流）

VGSF--正向栅源电(dian)压（直流）

Tstg---贮成(cheng)温度(du)

Tc---管壳(qiao)温(wen)度

Ta---环(huan)境(jing)温度

Tjm---最大容许结温

Tj---结温(wen)

PPK---脉冲功率(lv)峰值（外电路参数）

POUT---输出功率

PIN--输入功率

PDM---漏极(ji)最(zui)大(da)容许耗散(san)功(gong)率

PD---漏极耗(hao)散功(gong)率(lv)

R(th)ja---结环热阻(zu)

R(th)jc---结(jie)壳热阻

RL---负载电阻（外(wai)电路参数(shu)）

Rg---栅极(ji)外(wai)接电阻（外(wai)电路参(can)数）

rGS---栅源电阻

rGD---栅漏电阻(zu)

rDS(of)---漏源断态电阻

rDS(on)---漏(lou)源通态电阻

rDS---漏源(yuan)电阻

Ls---源极(ji)电感(gan)

LD---漏极电感

L---负载电(dian)感（外(wai)电(dian)路参数）

Ku---传输系数(shu)

K---失调电压温度(du)系数

gds---漏源电导

ggd---栅漏电导

GPD---共漏(lou)极中和高(gao)频功(gong)率增益

GpG---共栅极中和(he)高频功率增(zeng)益

Gps---共源极中和高频功(gong)率增益

Gp---功率增(zeng)益

gfs---正向(xiang)跨导(dao)

Ipr---电(dian)流脉(mai)冲峰(feng)值(zhi)（外电(dian)路(lu)参数）

Iu---衬底电(dian)流

IDSS2---对管第二管漏源(yuan)饱满(man)电流

IDSS1---对管第一管漏(lou)源(yuan)饱满电流

IGSS---漏极短路时截止栅电(dian)流

IF---二极管正向电流

IGP---栅(zha)极峰(feng)值电流

IGM---栅极脉冲电流

IGSO---漏极开路时，截止栅电流(liu)

IGDO---源极开路时，截止(zhi)栅电(dian)流

IGR---反向栅(zha)电流

IGF---正向栅电流

IG---栅极电流（直流）

IDS(sat)---沟道饱满电(dian)流（漏源(yuan)饱满电(dian)流）

IDSS---栅-源短路时，漏极电流

IDSM---最大漏源电流

IDS---漏源电(dian)流

IDQ---静态(tai)漏极(ji)电流（射频功(gong)率管）

ID(on)---通态漏(lou)极电流

dv/dt---电压上(shang)升率（外(wai)电路参数）

di/dt---电流上升率（外电路(lu)参(can)数）

Eas:单(dan)次脉冲雪崩击穿(chuan)能量(liang)

Ear:重复雪崩击(ji)穿能量

Iar: 雪崩电流

一些别的的参数

Ton:正导游通时刻(ke).(根(gen)本能够忽略(lve)不计).

Qrr :反向恢复充(chong)电电量.

Trr :反向恢复时刻.

VSD :正(zheng)导游通压降.

ISM:脉冲(chong)最大续流(liu)电流(liu)(从源(yuan)极).

IS :接连(lian)最大续流(liu)电(dian)流(liu)(从源极).

体内二极管参数

结点到邻近环境(jing)的热阻,含义(yi)同上.

外壳到散热器的热阻,含义(yi)同(tong)上.

结点到外(wai)壳(qiao)的(de)(de)热阻.它标明当耗散一(yi)个(ge)给(ji)定的(de)(de)功率(lv)时,结温与外(wai)壳(qiao)温度之间(jian)的(de)(de)差值巨细.公(gong)式表(biao)达⊿ t = PD* ?.

热阻

EAR:重复雪崩击穿能量(liang).

IAR :雪崩电(dian)流.

EAS :单(dan)次脉冲雪崩击穿能量.这是个极限参(can)数,阐明 MOSFET 所能接(jie)受的最大雪崩击穿能量.

雪(xue)崩击(ji)穿(chuan)特性(xing)参(can)数:这些(xie)参(can)数是 MOSFET 在关断状(zhuang)态能接受(shou)过压才能的目标.假设电压超越漏源极限电压将致使器材处在雪(xue)崩状(zhuang)态.

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