KIA6N70H规格书 MOS管原厂供应(ying) 免费送样 5.8A/700V-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2019-04-19
这(zhei)种(zhong)功率(lv)MOSFET是KIA半导体使(shi)用(yong)先(xian)进的(de)(de)平面条纹DMOS技术生(sheng)产的(de)(de)，这(zhei)个先(xian)进的(de)(de)技术是KIA特(te)别定制，以减少对状态的(de)(de)抵抗，提供优越的(de)(de)开(kai)关(guan)性能(neng)好(hao)，能(neng)承受(shou)雪崩和切换(huan)模(mo)式下的(de)(de)高能(neng)量脉(mai)冲。该(gai)装置非常(chang)适合(he)于高效率(lv)开(kai)关(guan)电源、有源功率(lv)因数校(xiao)正，基(ji)于半桥拓扑。
RDS(on)typ =1.8Ω@VGS=10V
低栅电荷(he)
高(gao)耐用性
快速切换
雪崩测试100%
提高了dv/dt能力
型号：KIA6N70H
工作方式(shi)：5.8A/700V
漏源电(dian)压(ya)：700V
栅源电压:±30V
单脉(mai)冲(chong)雪(xue)崩(beng)能量(liang):150MJ
雪崩电流:4.8A
重(zhong)复雪(xue)崩能量(liang):9.5MJ
峰(feng)值二极(ji)管(guan)恢复dv/dt:4.5V/ns
漏源击穿电压:700V
输(shu)入电容：650pF
输出(chu)电容：95pF
反向转移电容：10pF
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