MOS管参数大全
信息来源：本站 日(ri)期：2017-04-27
Mosfet参数(shu)意义阐(chan)明 Features:
Pd: 最大耗散功(gong)率
Tj: 最大作业结温，通常(chang)为150度和175度
Tstg: 最大(da)存储温度(du)
Idm: 最大脉冲DS电流.会随温度的增加而下降(jiang)，表(biao)现一个抗冲击才(cai)华，跟脉冲时刻(ke)也(ye)有联络(luo)
Iar: 雪崩电(dian)流
Ear: 重(zhong)复(fu)雪崩击穿(chuan)能量
BVdss： DS击(ji)穿电压 Idss: 丰满(man)DS电流，uA级的电流 Eas: 单次(ci)脉冲雪(xue)崩击(ji)穿能量 Igss: GS驱动电流，nA级的电流.
Eas: 单(dan)次脉冲(chong)雪崩击穿(chuan)能(neng)量(liang)
gfs: 跨导 Qg: G总充(chong)电电量(liang)
Qgs: GS充(chong)电(dian)电(dian)量(liang)
Eas: 单次脉(mai)冲雪(xue)崩(beng)击穿能量
Qgd: GD充电电量
Td(on): 导通推(tui)迟(chi)时刻，从(cong)有输(shu)入电压上升到10%开始(shi)到Vds下降到其幅值90%的时刻
Ciss: ; 输入电(dian)容(rong)，Ciss=Cgd + Cgs.
Tf: 下降时刻，输出(chu)电压(ya) VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时刻
Coss: 输出电容，Coss=Cds +Cgd. Crss: 反向传输电容，Crss=Cgc.
联系方(fang)式：邹先(xian)生
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系(xi)地址：深圳(zhen)市(shi)福田区(qu)车(che)公庙天安数码城天吉(ji)大厦(sha)CD座5C1
关(guan)注KIA半导体(ti)工(gong)程专(zhuan)辑请(qing)搜微(wei)信(xin)号:“KIA半导体(ti)”或点击本文下方图片扫一扫进入官方微(wei)信(xin)“关(guan)注”
长按(an)二维码识别(bie)关注
