MOS管大(da)功(gong)率驱动电源

信息(xi)来源：本站　日期：2017-04-26　

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MOS管大功率驱动(dong)电源

MOS管功率放具有(you)(you)鼓(gu)励功率(lv)小，输(shu)出功率(lv)大(da)，输(shu)出漏极电(dian)流具有(you)(you)负温度(du)系数，安全可靠，且(qie)有(you)(you)工作频率(lv)高，偏置简略等长处。

mos管(guan)作用：

MOS管(guan)主驱动(dong)电路(lu)的输出(chu)端与(yu)MOS管(guan)的栅(zha)极电衔接(jie)，输入(ru)端接(jie)单(dan)片机脉宽调制输入(ru)信号。以(yi)运(yun)放的输出(chu)作为OCL的输入(ru)，到达(da)克制零点漂(piao)移的作用。

mos管(guan)电路：

MOS管(guan)驱(qu)(qu)动电(dian)路(lu)(lu)，驱(qu)(qu)动电(dian)路(lu)(lu)包(bao)含MOS管(guan)主(zhu)驱(qu)(qu)动电(dian)路(lu)(lu)和欠(qian)压(ya)(ya)维护电(dian)路(lu)(lu)。欠(qian)压(ya)(ya)维护电(dian)路(lu)(lu)衔接在MOS管(guan)主(zhu)驱(qu)(qu)动电(dian)路(lu)(lu)的输入端，包(bao)含对比器、电(dian)阻R1、R2和稳压二(er)极(ji)管D2；电(dian)阻R2和对比器的输入端(duan)并(bing)联再(zai)与电(dian)阻R1串联在MOS管(guan)主驱动电(dian)路的驱动电(dian)源(yuan)和电(dian)源(yuan)地之间(jian)；对比器的输出(chu)端(duan)串联稳压(ya)二极管(guan)D2。

本实用新(xin)型的欠压(ya)维护(hu)电(dian)(dian)路将驱(qu)动(dong)电(dian)(dian)源电(dian)(dian)压(ya)经电(dian)(dian)阻分压(ya)后的电(dian)(dian)压(ya)与设定的基准电(dian)(dian)压(ya)对比，假如低(di)于(yu)基准电(dian)(dian)压(ya)，欠压(ya)维护(hu)驱(qu)动(dong)电(dian)(dian)路当(dang)即堵截(jie)MOS管驱动电(dian)路，有用(yong)避免(mian)MOS管进入线性区(qu)所形成的(de)功(gong)率(lv)器材(cai)功(gong)率(lv)低及易损(sun)坏(huai)等不良后果(guo)。

mos开(kai)关管(guan)：

开(kai)关(guan)损耗与功(gong)(gong)率MOS管(guan)(guan)的(de)(de)(de)cgd和cgs以(yi)(yi)及芯(xin)片(pian)的(de)(de)(de)驱动能力和工作频率有(you)关(guan)，所以(yi)(yi)要(yao)解(jie)决(jue)功(gong)(gong)率管(guan)(guan)的(de)(de)(de)发烧可(ke)(ke)以(yi)(yi)从(cong)以(yi)(yi)下几个方面(mian)解(jie)决(jue)：A、不能片(pian)面(mian)根据导通电阻(zu)大小来(lai)选(xuan)择(ze)MOS功(gong)(gong)率管(guan)(guan)，由于(yu)内阻(zu)越(yue)小，cgs和cgd电容越(yue)大。如1N60的(de)(de)(de)cgs为(wei)250pF左右(you)(you)，2N60的(de)(de)(de)cgs为(wei)350pF左右(you)(you)，5N60的(de)(de)(de)cgs为(wei)1200pF左右(you)(you)，差别太大了(le)，选(xuan)择(ze)功(gong)(gong)率管(guan)(guan)时，够用就可(ke)(ke)以(yi)(yi)了(le)。对(dui)于(yu)前者，留意(yi)不要(yao)将负(fu)载电压设置(zhi)的(de)(de)(de)太高，固然负(fu)载电压高，效(xiao)率会(hui)高点。如果芯(xin)片(pian)消耗的(de)(de)(de)电流为(wei)2mA，300V的(de)(de)(de)电压加在芯(xin)片(pian)上面(mian)，芯(xin)片(pian)的(de)(de)(de)功(gong)(gong)耗为(wei)0.6W，当然会(hui)引(yin)起(qi)芯(xin)片(pian)的(de)(de)(de)发烧。有(you)的(de)(de)(de)工程(cheng)师没(mei)有(you)留意(yi)到这个现象，直接调节(jie)sense电阻(zu)或者工作频率达到需要(yao)的(de)(de)(de)电流，这样做可(ke)(ke)能会(hui)严峻影响LED的(de)(de)(de)使(shi)用寿命。在均匀电流不变的(de)(de)(de)条件下，只(zhi)能看(kan)着光衰了(le)。不管(guan)(guan)如何降频没(mei)有(you)好处，只(zhi)有(you)坏处，所以(yi)(yi)一定要(yao)解(jie)决(jue)。

mos管电路(lu)特征：

1，用低(di)端电压(ya)和PWM驱动高端MOS管。

2，用小幅(fu)度的PWM信号驱动高gate电压需要的MOS管。

3，gate电压的峰值束缚

4，输入(ru)和输出的电流束缚

5，通过运用(yong)适合的电阻，可以抵达很低的功耗(hao)。

6，PWM信号反相(xiang)。NMOS并不需要这个(ge)特(te)性，可以通(tong)过前置一个(ge)反相(xiang)器(qi)来(lai)处(chu)理(li)。

mos管(guan)参数:

ards---漏源电阻温度(du)系数

aID---漏极电流温度(du)系数

Vn---噪(zao)声电压

η---漏极(ji)效率（射频功率管(guan)）

Zo---驱动源内阻

VGu---栅衬底电压（直流）

VDu---漏(lou)衬底电(dian)压（直流）

Vsu---源衬底电压(ya)（直流）

VGD---栅漏电(dian)压(ya)（直(zhi)流）

VDS(sat)---漏(lou)源饱满电压

VDS(on)---漏(lou)源(yuan)通态电压(ya)

V（BR）GSS---漏源(yuan)短路时栅源(yuan)击穿电压

Vss---源(yuan)极（直(zhi)流）电源(yuan)电压（外(wai)电路参数）

VGG---栅极（直流）电源电压（外(wai)电路参数）

VDD---漏极（直流(liu)）电(dian)(dian)源电(dian)(dian)压（外电(dian)(dian)路(lu)参(can)数）

VGSR---反向栅源电压（直流）

VGSF--正向栅源电(dian)压（直流）

Tstg---贮(zhu)成温度(du)

Tc---管壳温(wen)度

Ta---环(huan)境温度

Tjm---最大容许结温

Tj---结温

PPK---脉冲功率峰(feng)值（外电路(lu)参数）

POUT---输出功率

PIN--输入功(gong)率(lv)

PDM---漏极最大容许耗散功率

PD---漏极耗散(san)功率

R(th)ja---结环热(re)阻(zu)

R(th)jc---结壳热(re)阻

RL---负载电阻(zu)（外电路参数(shu)）

Rg---栅极外(wai)接电阻（外(wai)电路参数）

rGS---栅源电阻(zu)

rGD---栅漏电阻

rDS(of)---漏源(yuan)断态电(dian)阻(zu)

rDS(on)---漏源通态电阻

rDS---漏源电阻

Ls---源极电感(gan)

LD---漏极电感

L---负(fu)载电(dian)感(gan)（外电(dian)路参数）

Ku---传输(shu)系(xi)数(shu)

K---失调电压(ya)温度系数(shu)

gds---漏(lou)源电导

ggd---栅漏电(dian)导

GPD---共漏极中和高(gao)频功率增益

GpG---共栅(zha)极(ji)中和高频功率增益

Gps---共源极中和(he)高(gao)频功率增(zeng)益(yi)

Gp---功率增益

gfs---正向跨(kua)导

Ipr---电流脉冲峰值(zhi)（外电路参数）

Iu---衬(chen)底电流

IDSS2---对(dui)管(guan)(guan)第二管(guan)(guan)漏源饱满(man)电流(liu)

IDSS1---对管第一管漏源饱满(man)电流

IGSS---漏极短路(lu)时截止栅电流

IF---二极(ji)管正向(xiang)电流(liu)

IGP---栅(zha)极峰值电流

IGM---栅极脉(mai)冲电(dian)流

IGSO---漏极开路(lu)时，截止栅(zha)电流

IGDO---源极开(kai)路时，截止(zhi)栅电流

IGR---反向(xiang)栅(zha)电流

IGF---正向栅(zha)电(dian)流

IG---栅极电流（直(zhi)流）

IDS(sat)---沟道(dao)饱(bao)满电流（漏(lou)源饱(bao)满电流）

IDSS---栅-源短路时，漏极(ji)电流

IDSM---最大漏源电(dian)流

IDS---漏源电流(liu)

IDQ---静态漏极电(dian)流（射频功率(lv)管）

ID(on)---通态漏极电(dian)流(liu)

dv/dt---电(dian)压上升率（外电(dian)路参数）

di/dt---电流上(shang)升率(lv)（外电路参数）

Eas:单次脉冲雪崩击穿(chuan)能量

Ear:重(zhong)复雪崩击穿能(neng)量

Iar:雪崩(beng)电(dian)流(liu)

Ton:正导游通(tong)时刻.(根本(ben)能够忽略不计).

Qrr :反向恢复充(chong)电(dian)电(dian)量(liang).

Trr :反向(xiang)恢复时(shi)刻.

VSD :正导(dao)游通压降(jiang).

ISM:脉冲最大续流电流(从源(yuan)极(ji)).

IS :接连最(zui)大续流(liu)电(dian)流(liu)(从(cong)源极).

EAR:重(zhong)复(fu)雪崩击(ji)穿能量.

IAR :雪崩电(dian)流.

EAS :单次(ci)脉冲雪(xue)(xue)崩(beng)击(ji)穿能量.这是个极(ji)限参数,阐明 MOSFET 所能接受的(de)最大雪(xue)(xue)崩(beng)击(ji)穿能量.

mos管器件检测：

1、把连接栅极和(he)源极的(de)电阻(zu)(zu)移开，万用(yong)表(biao)红黑(hei)笔不(bu)变(bian)，假如移开电阻(zu)(zu)后(hou)表(biao)针慢慢逐步退回到(dao)高(gao)阻(zu)(zu)或无(wu)限大，则MOS管漏电，不(bu)变(bian)则完好

2、然(ran)后一根导线把MOS管(guan)的栅极(ji)和源极(ji)连接起来(lai)，假如指(zhi)针立(li)刻返回无限(xian)大，则MOS完好(hao)。

3、把(ba)红笔接到MOS的源(yuan)极S上，黑(hei)笔接到MOS管的漏极上，好的表针(zhen)指示应该是(shi)无限大。

4、用(yong)一(yi)只100KΩ－200KΩ的(de)电(dian)阻连在(zai)栅(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)和(he)漏(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)上(shang)(shang)，然后把红笔(bi)接(jie)到(dao)MOS的(de)源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)S上(shang)(shang)，黑(hei)笔(bi)接(jie)到(dao)MOS管(guan)的(de)漏(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)上(shang)(shang)，这时表(biao)针指(zhi)示的(de)值一(yi)般是0，这时是下电(dian)荷通(tong)过这个电(dian)阻对MOS管(guan)的(de)栅(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)充电(dian)，产生栅(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)电(dian)场，因为(wei)电(dian)场产生导(dao)致(zhi)导(dao)电(dian)沟(gou)道致(zhi)使漏(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)和(he)源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)导(dao)通(tong)，故万用(yong)表(biao)指(zhi)针偏转，偏转的(de)角(jiao)度(du)大，放电(dian)性越(yue)好。

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