MOS管 KIA18N20A 18A/200V原厂专业制造 规格书(shu)/封装/价格-KIA MOS管
信息来(lai)源:本站 日(ri)期:2019-04-03
深(shen)圳(zhen)市利盈(ying)娱乐半导(dao)体科技有限(xian)公司(简(jian)称(cheng)KIA半导(dao)体).是(shi)一(yi)家专(zhuan)业从事中、大(da)、功(gong)率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开(kai)发设计(ji),集研发、生产和(he)销售为一(yi)体的国(guo)家高新(xin)技术企业。
KIA半导体,已经拥有了独立的研发中心,研发人员以来自韩国(台湾)超一(yi)流(liu)团队,可以快速根据客户应用(yong)领域的个性(xing)来设计方(fang)案(an),同时引(yin)进多台国外先进设备,业务含括功(gong)率(lv)器件的直流(liu)参数检测、雪崩能量(liang)检测、可靠性(xing)实验、系统分析(xi)、失效分析(xi)等领域。
KIA半导体的(de)产(chan)品涵盖工业、新(xin)能源、交通运输、绿色照明四大领域,不仅包(bao)括光伏逆变及无人机、充电桩、这类新(xin)兴能源,也涉及汽车配(pei)件、LED照明等(deng)家庭用品。KIA专注于产(chan)品的(de)精细化(hua)与革(ge)新(xin),力(li)求为客户提供最具行业领先、品质上乘(cheng)的科技产品。
RDS(ON)=0.12Ω@VGS=10V
符(fu)合RoHS标(biao)准
低导通(tong)电阻
低栅电荷
电(dian)视(shi)/监(jian)视(shi)器(qi)
其(qi)他应用等
型号:KIA18N20A
工作方式:18A/200V
漏源电压:200V
连续漏电流:18A
功耗:156W
25℃以上(shang)的(de)降额系数:1.25W/oC
栅源电压(ya):±30V
峰值二极管恢复(fu)dv/dt:5.0V/ns
漏源击穿电(dian)压:200V
前向传导:18S
输入电容:1140pF
输(shu)出电(dian)容:180pF
反向转移电容:25pF
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联(lian)系方式:邹先生
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