KIA品牌 MOS管原厂 KNX6165A 10A/650V规(gui)格书/封装(zhuang)-KIA MOS管
信息来源:本站 日(ri)期:2019-03-25
KNX6165A通道增(zeng)强型硅(gui)栅功(gong)率MOSFET是(shi)为高(gao)(gao)压(ya)设计的。高(gao)(gao)速(su)功(gong)率开关(guan)应用(yong),如高(gao)(gao)效率开关(guan)电(dian)(dian)源(yuan),有源(yuan),开关(guan)电(dian)(dian)源(yuan)等。基于半(ban)桥(qiao)拓扑的功(gong)率因(yin)数校正电(dian)(dian)子灯镇流器。
1、RDS(ON),typ=0.6Ω@VGS=10V
2、符合(he)ROHS标(biao)准(zhun)
3、低(di)栅电(dian)荷最(zui)小(xiao)开关损耗
4、快速(su)恢复体二极管
产品型号:KNX6165A
工作方式:10A/650V
漏源电压:650V
栅源电压:±20V
漏电流连续:10A
脉冲漏极(ji)电流(liu):40A
雪(xue)崩能量:800mJ
耗散功率:216W
热电阻:62℃/W
漏源击(ji)穿电压(ya):650V
栅(zha)极阈值(zhi)电压:2.0V
输(shu)入电容:1554PF
输出电容(rong):153PF
上升(sheng)时(shi)间:31ns
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