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KIA品牌 MOS管原厂 KNX6165A 10A/650V规(gui)格书/封装(zhuang)-KIA MOS管

信息来源:本站 日(ri)期:2019-03-25 

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MOS管,KNX6165A,10A/650V

MOS管 KNX6165A 10A/650V产品简介

KNX6165A通道增(zeng)强型硅(gui)栅功(gong)率MOSFET是(shi)为高(gao)(gao)压(ya)设计的。高(gao)(gao)速(su)功(gong)率开关(guan)应用(yong),如高(gao)(gao)效率开关(guan)电(dian)(dian)源(yuan),有源(yuan),开关(guan)电(dian)(dian)源(yuan)等。基于半(ban)桥(qiao)拓扑的功(gong)率因(yin)数校正电(dian)(dian)子灯镇流器。


MOS管 KNX6165A产品特点

1、RDS(ON),typ=0.6Ω@VGS=10V

2、符合(he)ROHS标(biao)准(zhun)

3、低(di)栅电(dian)荷最(zui)小(xiao)开关损耗

4、快速(su)恢复体二极管


MOS管 KNX6165A 10A/650V参数详情

产品型号:KNX6165A

工作方式:10A/650V

漏源电压:650V

栅源电压:±20V

漏电流连续:10A

脉冲漏极(ji)电流(liu):40A

雪(xue)崩能量:800mJ

耗散功率:216W

热电阻:62℃/W

漏源击(ji)穿电压(ya):650V

栅(zha)极阈值(zhi)电压:2.0V

输(shu)入电容:1554PF

输出电容(rong):153PF

上升(sheng)时(shi)间:31ns


MOS管 KNX6165A封装

MOS管,KNX6165A,10A/650V


MOS管,KNX6165A,10A/650V



MOS管 KNX6165A规格书

查看规格书(shu),请点击下图


MOS管,KNX6165A,10A/650V



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