MOS管,KNX9130A替代IRFB4137,40A/300V

KIA半导(dao)体(ti)产(chan)品MOS管KNX9130A替代IRFB4137，KNX9130A相比IRFB4137,KIA半导(dao)体(ti)场效(xiao)应管有着雪崩冲击(ji)低(di)(di)、低(di)(di)内(nei)阻等技术(shu)优势。下文将会有KNX9130A和IRFB4137两个产(chan)品详细参(can)数、封装、规格书。

KIA半导体也一(yi)直(zhi)执行全面质(zhi)量(liang)管理体系，是(shi)(shi)将所有(you)产(chan)品(pin)质(zhi)量(liang)从(cong)芯片设(she)计开始，一(yi)直(zhi)贯彻到(dao)客(ke)户(hu)使用(yong)的全过程质(zhi)量(liang)跟(gen)踪和(he)监控。我们(men)确(que)定在这一(yi)质(zhi)量(liang)控制体系下(xia)生(sheng)产(chan)的产(chan)品(pin)，在相关环节的质(zhi)量(liang)状(zhuang)态和(he)信息都是(shi)(shi)有(you)效控制，确(que)保提(ti)供给(ji)客(ke)户(hu)的产(chan)品(pin)是(shi)(shi)安(an)全可(ke)靠的。下(xia)文将描述KNX9130A产(chan)品(pin)附件及主要参数详情。

MOS管 KNX9130A产品特征

RDS(ON),typ.=100mΩ@VGS=10V

专有的(de)新平面技术

低(di)栅(zha)电荷(he)最小开关(guan)损耗

快速恢复体二极管

KNX9130A替代IRFB4137-KNX9130A 40A/300V主要参数详情

型号：KNX9130A

工(gong)作方式：40A/300V

漏源极电压：250V

栅极(ji)到(dao)源极(ji)电压：±20V

连续漏(lou)电(dian)电(dian)流：40A

单(dan)脉冲雪(xue)崩能量(liang):1250MJ

二极管峰值恢复:5.0V/ns

漏源击穿电(dian)压:300V

二极管正(zheng)向电(dian)压:1.5V

输入(ru)电容:3100pF

输出电容(rong):250pF

反向传输(shu)电容:80pF

KNX9130A封装图

查(cha)看详情(qing)，请点击下图。

KNX9130A 40A/300V产品规格书

查看详(xiang)情，请点击下图。

IRFB4137的产品特征

MOS管(guan) KNX9130A替代IRFB4137的产品特(te)征如(ru)下：

1、改进的雪崩(beng)和动态的dV/dt坚固性

2、增强二极管dV/dt和dI/dt能力

3、无铅、符合RoHS标准

KNX9130A替代IRFB4137-MOS管 IRFB4137 38A/300V主要参数

型(xing)号：IRFB4137

参数：38A/300V

封装(zhuang)：TO-220

脉冲漏(lou)电流：152A

最大功耗(hao):341W

线性(xing)递减(jian)因子:2.3W/℃

栅极(ji)到源极(ji)电压：±20V

二(er)极管峰值恢复:8.9V/ns

漏源击(ji)穿(chuan)电(dian)压:300V

栅极电阻:1.3Ω

MOS管 IRFB4137 38A/300V产品规格书

查(cha)看规格书，请(qing)点击下图。

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手(shou)机(ji)：18123972950

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