PFC电路(lu)碳化硅二极(ji)管原厂供货-KIA4953 -5.3A/-30V规格书-KIA MOS管
信息(xi)来源：本站 日期：2019-03-19
这(zhei)种双P沟(gou)道(dao)MOSFET是KIA先进的P沟(gou)道(dao)工艺的一个(ge)坚固的栅极版本(ben)。它(ta)已(yi)针对需要大范围(wei)给定驱(qu)动电压的电源管理应(ying)用进行(xing)了(le)优化。额(e)定值(zhi)（4.5 V–20 V）。
-30V/-5.3A,RDS(on)=54mΩ(typ)(Vgs=-10V)
RDS(on)=84mΩ(Vgs=-4.5V)
低压充(chong)放电（6Nctypical）
高功率和电(dian)流的(de)能(neng)力(li)
快速切换速度
KIA半导体设计生产的碳化硅二极管具有(you)较(jiao)短的恢复时间、温(wen)度(du)对于(yu)开关(guan)行为的影响较(jiao)小、标(biao)准工(gong)作温(wen)度(du)范(fan)围为-55℃到175℃，大(da)大(da)降低散热器的需求。碳化硅二极管的主(zhu)要优势在于(yu)它(ta)具有(you)超快(kuai)的开关(guan)速(su)度(du)且无反向恢复电流，与硅器件(jian)相比，它(ta)能够大(da)大(da) 降低开关(guan)损耗并(bing)实现卓越的能效。更快(kuai)的开关(guan)速(su)度(du)同时也能让制造商减小产品(pin)电磁线圈以(yi)及相关(guan)无源组件(jian)的尺寸(cun)，从而提高(gao)组装效率，减轻系(xi)统(tong)重量(liang)，并(bing)降低物料（BOM）成本。
型(xing)号：KIA4953
工(gong)作方式：-5.3A/-30V
漏源极电压：-30V
栅源电压:±20V
最大漏电流(liu)连续：-5.3A
最大(da)脉冲漏电流(liu):-20A
连(lian)接和储存温度(du)范围(wei):-55℃至150℃
漏源击穿(chuan)电压：-30V
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