MOS管引脚定义-如(ru)何快速判断与(yu)好坏及引脚性能-KIA MOS管
信息来源:本站 日期:2017-04-25
MOS管是(shi)金(jin)属(shu)(metal)-氧化物(oxid)-半导(dao)体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是(shi)金(jin)属(shu)-绝缘体(insulator)-半导(dao)体。MOS管的(de)(de)source和drain是(shi)可以对(dui)(dui)调(diao)的(de)(de),他们都(dou)是(shi)在P型backgate中形成的(de)(de)N型区。在多数情况下,这(zhei)个两个区是(shi)一样(yang)的(de)(de),即使两端对(dui)(dui)调(diao)也不会(hui)影响器件的(de)(de)性能。这(zhei)样(yang)的(de)(de)器件被认为是(shi)对(dui)(dui)称的(de)(de)。
MOS管(guan)如何快速判断其好坏及引(yin)脚功能
1 用(yong)10K档,内有15伏电(dian)池。可(ke)提供导通电(dian)压。
2 因为栅(zha)极等效于电容,与(yu)任(ren)何脚不通,不论(lun)N管(guan)(guan)或P管(guan)(guan)都很容易找(zhao)出栅(zha)极来,否则是坏管(guan)(guan)。
3 利用表笔对栅源间正向或反向充电,可使漏源通或断,且由于栅极上电荷能保持,上述两步可分先后,不必同步,方便。但要放电时需短路管脚或反充。
4 大都源漏间有反(fan)并二极管,应(ying)注意,及帮助(zhu)判断。
5 大都(dou)封庄为字面对自已时(shi),左栅(zha)中漏右(you)源。以上前三点(dian)必(bi)需掌握(wo),后两点(dian)灵(ling)活运用,很快就(jiu)能判管脚,分好坏。
如果对新拿到的不明(ming)MOS管,可(ke)以通过(guo)测(ce)定(ding)来判断(duan)脚极(ji),只有准(zhun)确判定(ding)脚的排列,才能正(zheng)确使用。
管脚测定方法:
①栅极G的(de)测定(ding):用(yong)(yong)万用(yong)(yong)表(biao)R×100 档,测任意两脚(jiao)(jiao)(jiao)之(zhi)间正(zheng)反向(xiang)电阻(zu),若其中某次测得电阻(zu)为数百(bai)Ω),该两脚(jiao)(jiao)(jiao)是D、S,第三脚(jiao)(jiao)(jiao)为G。
②漏极(ji)D、源极(ji)S及类型判定:用(yong)万用(yong)表 R ×10kΩ档测(ce) D、S问正反向电(dian)(dian)阻,正向电(dian)(dian)阻约为0.2 ×10kΩ,反向电(dian)(dian)阻(5一(yi)∞)X100kΩ。在(zai)测(ce)反向电(dian)(dian)阻时(shi),红表笔(bi)不动,黑表笔(bi)脱离引脚后,与G碰一(yi)下,然后回去再(zai)接原引脚,出现(xian)两(liang)种(zhong)情况(kuang):
a.若读(du)数由原(yuan)来较(jiao)大值(zhi)(zhi)变(bian)为(wei)0(0×10kΩ),则红表笔(bi)所接(jie)为(wei)S,黑表笔(bi)为(wei)D。用黑表笔(bi)接(jie)触G有效,使(shi)MOS管(guan)D、S间正反向电阻(zu)值(zhi)(zhi)均(jun)为(wei)0Ω,还可证(zheng)明该管(guan)为(wei)N沟(gou)道。
b.若读数仍(reng)为(wei)较大值,黑表笔(bi)不动(dong),改用红表笔(bi)接(jie)(jie)触G,碰一(yi)下之后立即回到原(yuan)脚,此时(shi)若读数为(wei)0Ω,则黑表笔(bi)接(jie)(jie)的是S极、红表笔(bi)为(wei)D极,用红表笔(bi)接(jie)(jie)触G极有(you)效,该MOS管(guan)为(wei)P沟(gou)道。
MOS管的(de)发热情况有:
1.电路设计的问题,就是让MOS管工作在线性的工作状态,而不是在开关(guan)电路状态。这(zhei)也(ye)是导致(zhi)MOS管发热(re)的(de)(de)一个原因。如果N-MOS做开关,G级电压要(yao)比(bi)电源高几(ji)V,才(cai)能完全导通(tong),P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大(da)造成功率消耗,等效(xiao)直流阻(zu)抗比(bi)较大(da),压降增大(da),所以U*I也(ye)增大(da),损(sun)耗就意味着发热(re)。这(zhei)是设计电路的(de)(de)最忌讳(hui)的(de)(de)错误。
2.频率太高(gao)(gao),主要是有时过(guo)分追求体积(ji),导(dao)致(zhi)频率提高(gao)(gao),MOS管上(shang)的(de)损耗增(zeng)大了,所以(yi)发热也加大了。
3.没有做好足(zu)够的(de)(de)散(san)热(re)设计,电流太(tai)高,MOS管标称的(de)(de)电流值,一般需(xu)要(yao)良(liang)好的(de)(de)散(san)热(re)才能达到。所以ID小(xiao)于最大电流,也(ye)可能发热(re)严重,需(xu)要(yao)足(zu)够的(de)(de)辅助(zhu)散(san)热(re)片(pian)。
4.MOS管的选型有(you)误,对(dui)功(gong)率判断(duan)有(you)误,MOS管内阻没有(you)充分(fen)考虑,导致开关阻抗增大(da)。
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