新宝GG-创意平台,注册畅享文化之梦!MOS管引脚定义-如何快速判断与好坏及引脚性能-KIA MOS管

MOS管(guan)引脚(jiao)定义(yi)-如何快速判断(duan)与(yu)好坏及引脚(jiao)性能-KIA MOS管(guan)

信息来源(yuan)：本(ben)站　日期：2017-04-25　

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MOS管(guan)是(shi)金(jin)属（metal）-氧化物(wu)（oxid）-半导(dao)体(ti)（semiconductor）场效应(ying)晶体(ti)管(guan)，或者称(cheng)(cheng)是(shi)金(jin)属-绝缘体(ti)（insulator）-半导(dao)体(ti)。MOS管(guan)的source和drain是(shi)可以(yi)对调的，他(ta)们都是(shi)在P型(xing)backgate中形成的N型(xing)区。在多数情况下，这个两个区是(shi)一样的，即(ji)使两端(duan)对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是(shi)对称(cheng)(cheng)的。

MOS管(guan)如何快速判断其好坏及引脚(jiao)功能

1 用10K档，内有15伏电池。可提供导(dao)通电压(ya)。

2 因为栅极等效于(yu)电容(rong)，与任何(he)脚不(bu)通，不(bu)论N管(guan)或P管(guan)都(dou)很(hen)容(rong)易找(zhao)出栅极来，否(fou)则是坏(huai)管(guan)。

3 利用表笔对栅源间正向或反向充电，可使漏源通或断，且由于栅极上电荷能保持，上述两步可分先后，不必同步，方便。但要放电时需短路管脚或反充。

4 大(da)都源(yuan)漏间(jian)有反并二极(ji)管，应注(zhu)意，及帮助判断。

5 大都(dou)封庄为字面(mian)对(dui)自已时(shi)，左栅中(zhong)漏右(you)源。以(yi)上前三点(dian)必(bi)需掌(zhang)握(wo)，后两点(dian)灵活(huo)运用(yong)，很快就(jiu)能判管脚，分(fen)好(hao)坏。

如(ru)果对新(xin)拿到的不明MOS管，可以通过测(ce)定来判(pan)断脚极，只有准确(que)判(pan)定脚的排列，才能正确(que)使(shi)用。

管(guan)脚测定方法：

①栅极G的(de)测定：用万用表R×100 档，测任意两脚之间(jian)正反向电阻，若其中某次测得电阻为(wei)数百Ω)，该两脚是(shi)D、S，第三(san)脚为(wei)G。

②漏极(ji)D、源极(ji)S及类型判定：用万用表 R ×10kΩ档测 D、S问正(zheng)反向电(dian)(dian)(dian)阻，正(zheng)向电(dian)(dian)(dian)阻约(yue)为0.2 ×10kΩ，反向电(dian)(dian)(dian)阻（5一∞）X100kΩ。在(zai)测反向电(dian)(dian)(dian)阻时(shi)，红表笔不动，黑表笔脱离引(yin)脚(jiao)后，与G碰(peng)一下，然后回去再(zai)接原(yuan)引(yin)脚(jiao)，出现(xian)两种情况：

a．若读数(shu)由原来较大值变为(wei)0(0×10kΩ)，则(ze)红表(biao)笔所接为(wei)S，黑表(biao)笔为(wei)D。用黑表(biao)笔接触G有效(xiao)，使(shi)MOS管D、S间正反向电阻值均为(wei)0Ω，还可证(zheng)明(ming)该管为(wei)N沟道。

b．若(ruo)(ruo)读(du)数仍为(wei)较(jiao)大值，黑表(biao)笔不动(dong)，改用红(hong)表(biao)笔接触G，碰一下之后立即回到原脚，此时(shi)若(ruo)(ruo)读(du)数为(wei)0Ω，则黑表(biao)笔接的是S极(ji)、红(hong)表(biao)笔为(wei)D极(ji)，用红(hong)表(biao)笔接触G极(ji)有(you)效，该MOS管为(wei)P沟(gou)道。

MOS管的发热情况有：

1.电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关电路(lu)状态。这也是导致MOS管发(fa)热的一(yi)个原因(yin)。如果N-MOS做(zuo)开(kai)关(guan)，G级电(dian)压要比电(dian)源高几V,才(cai)能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开(kai)而压降(jiang)过大(da)造成功率消(xiao)耗(hao)(hao)，等效直流(liu)阻抗比较大(da)，压降(jiang)增大(da)，所(suo)以U*I也增大(da)，损耗(hao)(hao)就意味着发(fa)热。这是设计电(dian)路的最忌(ji)讳的错误(wu)。

2.频(pin)率太高(gao)，主要是(shi)有时过分(fen)追(zhui)求体积，导致频(pin)率提高(gao)，MOS管上的损耗增大了，所以发热(re)也加(jia)大了。

3.没(mei)有做好足够(gou)的散(san)(san)热(re)(re)设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一(yi)般需(xu)要(yao)良好的散(san)(san)热(re)(re)才能(neng)达到。所以ID小于最(zui)大电流，也(ye)可能(neng)发(fa)热(re)(re)严重，需(xu)要(yao)足够(gou)的辅(fu)助散(san)(san)热(re)(re)片。

4.MOS管(guan)的选(xuan)型(xing)有误，对(dui)功率判断(duan)有误，MOS管(guan)内阻没有充(chong)分考(kao)虑(lv)，导致开关阻抗(kang)增大。