MOS管(guan)KPE4403A2 -5.0A/-30V中文资(zi)料-MOS管(guan)专业制造商-KIA MOS管(guan)
信息来(lai)源：本站 日期：2019-03-14
该(gai)KPE4403A2是高密度沟槽(cao)双P沟道MOSFET，提供了(le)优异的(de)(de)性能。大多数同(tong)步(bu)降压(ya)转换器应用(yong)中的(de)(de)RDSON和(he)栅极充电。KNE4403A2符合环保和(he)绿(lv)色产(chan)品(pin)要(yao)求(qiu)。
RDS(on)=42mΩ(typ)@VGS=10V
可用的(de)绿(lv)色设备
超低栅(zha)电荷
先进的高单元(yuan)密度(du)沟槽技术
型号(hao)：KPE4403A2
工作方式：-5.0A/-30V
漏极电压：-30V
栅极(ji)电压：±20V
脉冲漏电流：-25A
单脉冲雪崩(beng)能量:18.1MJ
总功耗:1.5W
连(lian)接和储存温度范围:-55to150℃
查看规格书PDF，请点击下图(tu)。
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