无线充MOS管,KNE4603A2,7A/30V

无线充MOS管

无线充(chong)电技术，源于无线电能传(chuan)输技术，可分为(wei)小功(gong)率无线充(chong)电和大功(gong)率无线充(chong)电两种方式。

小(xiao)功(gong)率(lv)(lv)无(wu)线充(chong)电(dian)(dian)常采(cai)用(yong)电(dian)(dian)磁(ci)感应式(shi)(shi)(shi)，如对(dui)手(shou)机充(chong)电(dian)(dian)的Qi方式(shi)(shi)(shi)，但(dan)中兴的电(dian)(dian)动(dong)汽(qi)车无(wu)线充(chong)电(dian)(dian)方式(shi)(shi)(shi)采(cai)用(yong)感应式(shi)(shi)(shi)。大(da)功(gong)率(lv)(lv)无(wu)线充(chong)电(dian)(dian)常采(cai)用(yong)谐振式(shi)(shi)(shi)（大(da)部分电(dian)(dian)动(dong)汽(qi)车充(chong)电(dian)(dian)采(cai)用(yong)此方式(shi)(shi)(shi)）由供(gong)电(dian)(dian)设备(bei)（充(chong)电(dian)(dian)器）将能(neng)量传送至用(yong)电(dian)(dian)的装置，该装置使(shi)用(yong)接收到的能(neng)量对(dui)电(dian)(dian)池充(chong)电(dian)(dian)，并同时供(gong)其本身(shen)运作之用(yong)。

由于充电(dian)器与用电(dian)装置(zhi)(zhi)之(zhi)间以(yi)磁场传送能量，两者之(zhi)间不用电(dian)线连接，因此充电(dian)器及用电(dian)的装置(zhi)(zhi)都(dou)可(ke)以(yi)做到无导电(dian)接点外露。

KIA半导体无线充MOS管 KNE4603A2产品概述

该KNE4603A2是高密度沟(gou)槽(cao)双N沟(gou)道MOSFET，提供(gong)优良(liang)的RDSON和(he)栅极充电为大多数同步降压转换器应用KNE4603A2符合环保(bao)和(he)绿色(se)产品的要求。

无线充MOS管 KNE4603A2产品特点

RDS(on)=14.5mΩ(typ)@VGS=10V

超低(di)栅电荷

绿(lv)色设备可用

先进的高单元密度沟槽(cao)技术

无线充MOS管 KNE4603A2封装

KIA半导(dao)体采(cai)用N沟道(dao)双MOS管，封装图如下：

无线充MOS管 KNE4603A2 7A/30V参数

型(xing)号：KNE4603A2

工作方(fang)式：7A/30V

漏极电压(ya)：30V

栅极电压：±20V

脉冲漏电流：35A

单(dan)脉(mai)冲雪崩能量：20NJ

雪崩电(dian)流：20A

总功(gong)耗：1.5W

漏源击穿(chuan)电(dian)压：30V

无线充MOS管 KNE4603A2电路特征

无线充MOS管 KNE4603A2 7A/30V附件规格书

查看规格书，请点击下(xia)图。

联系方式(shi)：邹先生

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