mos管(guan)工作原理(li),详解mos管(guan)工作原理(li)文章
信息来源(yuan)：本(ben)站 日期：2017-04-24
简介：
双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输(shu)入电(dian)压的变化转(zhuan)化为输(shu)出电(dian)流的变化。分别为电(dian)流控制器件和电(dian)压控制器件。FET的增益等于它的跨导(transconductance)gm， 定义(yi)为输(shu)出电(dian)流的变化和输(shu)入电(dian)压变化之比。
mos管的工作原理（以N沟道增强型mos场效应管）它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
mos管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动，也有照明调光。现在的MOS驱动，有几个特别的需求，低压应用当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。 同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。
mos管的(de)source和(he)drain是可(ke)以(yi)对调(diao)的(de)，他(ta)们都是在(zai)P型backgate中形成的(de)N型区。在(zai)多数情况下，这个两个区是一样的(de)，即使两端对调(diao)也不(bu)会影响器(qi)(qi)件(jian)的(de)性能。这样的(de)器(qi)(qi)件(jian)被认(ren)为是对称的(de)。
目(mu)前在市场应用方面，排(pai)名第(di)一的(de)是消(xiao)(xiao)费类电子电源适配器(qi)产品(pin)。而mos管的(de)应用领域排(pai)名第(di)二的(de)是计(ji)(ji)算机(ji)主板、NB、计(ji)(ji)算机(ji)类适配器(qi)、LCD显示器(qi)等产品(pin)，随着国(guo)情的(de)发(fa)展(zhan)计(ji)(ji)算机(ji)主板、计(ji)(ji)算机(ji)类适配器(qi)、LCD显示器(qi)对mos管的(de)需求有要超过(guo)消(xiao)(xiao)费类电子电源适配器(qi)的(de)现象(xiang)了。
第三的(de)就属网络通(tong)信(xin)、工业控制(zhi)、汽(qi)车电(dian)子以及电(dian)力设备领域了(le)，这些(xie)产品对于(yu)mos管的(de)需(xu)求也是很大的(de)，特别(bie)是现在(zai)汽(qi)车电(dian)子对于(yu)mos管的(de)需(xu)求直追(zhui)消费类电(dian)子了(le)。
详(xiang)解(jie)mos管原理(li)及几种常见失效分析
1：雪(xue)崩失效（电压失效），也就是我们(men)常说的漏源间的BVdss电压超过mosFET的额定电压，并且超过达到(dao)了一定的能力从而导致mosFET失效。
2：SOA失(shi)效（电(dian)流失(shi)效），既(ji)超出(chu)mosFET安全工作区引起失(shi)效，分(fen)为Id超出(chu)器件(jian)规格失(shi)效以及Id过(guo)大，损(sun)耗过(guo)高(gao)器件(jian)长(zhang)时间热积累而导致(zhi)的失(shi)效。
3：体二极管失效：在桥式、LLC等有用到体二极管进行续流的拓扑结构中，由于体二极管遭受破坏而导致的失效。
4：谐振失效：在(zai)并(bing)联(lian)使用(yong)的过程(cheng)中，栅极及电路寄生(sheng)参数导致震荡引起的失效。
5：静电失(shi)效：在秋(qiu)冬季节，由于人体及(ji)设备(bei)静电而(er)导致的器件失(shi)效。
6：栅极电(dian)压失效(xiao)：由(you)于栅极遭(zao)受异常电(dian)压尖峰，而导(dao)致栅极栅氧层失效(xiao)。
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