小电流MOS管

小电流

小(xiao)电(dian)流是(shi)一个专业(ye)名词(ci)，比较有(you)行业(ye)性(xing)(xing)。小(xiao)电(dian)流在行业(ye)内是(shi)小(xiao)电(dian)流接(jie)(jie)地(di)(di)(di)(di)选线装置的简称，该设备适用于(yu)3KV－66KV中性(xing)(xing)点不接(jie)(jie)地(di)(di)(di)(di)或(huo)中性(xing)(xing)点经电(dian)阻、消弧线圈(quan)接(jie)(jie)地(di)(di)(di)(di)系(xi)统(tong)(tong)的单相接(jie)(jie)地(di)(di)(di)(di)选线，用于(yu)电(dian)力系(xi)统(tong)(tong)的变电(dian)站、发(fa)电(dian)厂、水电(dian)站及化工、采油(you)、冶金、煤(mei)炭、铁(tie)路等大型(xing)厂矿(kuang)企业(ye)的供(gong)电(dian)系(xi)统(tong)(tong)，能够迅速可靠地(di)(di)(di)(di)指示(shi)出发(fa)生单相接(jie)(jie)地(di)(di)(di)(di)故(gu)障的线路。

小电流MOS管型号

小电流mos管发热分析

小电流mos管发热(re)分析如(ru)下：

mos管，做电源(yuan)设计，或(huo)者(zhe)做驱动(dong)方面(mian)的(de)电路，难免(mian)要用(yong)到MOS管。MOS管有很(hen)多种类(lei)，也有很(hen)多作(zuo)用(yong)。做电源(yuan)或(huo)者(zhe)驱动(dong)的(de)使(shi)用(yong)，当然就是用(yong)它的(de)开关作(zuo)用(yong)。

无(wu)论N型(xing)或者P型(xing)MOS管(guan)，其工作原(yuan)理本质是一样的(de)(de)(de)。MOS管(guan)是由加在(zai)(zai)输入端栅极(ji)的(de)(de)(de)电(dian)压来控制输出端漏极(ji)的(de)(de)(de)电(dian)流。MOS管(guan)是压控器(qi)件它通(tong)过加在(zai)(zai)栅极(ji)上(shang)的(de)(de)(de)电(dian)压控制器(qi)件的(de)(de)(de)特性，不会发(fa)生像三极(ji)管(guan)做开(kai)关时的(de)(de)(de)因基(ji)极(ji)电(dian)流引起的(de)(de)(de)电(dian)荷存储效应(ying)，因此(ci)在(zai)(zai)开(kai)关应(ying)用中，MOS管(guan)的(de)(de)(de)开(kai)关速度应(ying)该比(bi)三极(ji)管(guan)快。其主要原(yuan)理如(ru)图：

场(chang)效(xiao)应mos管工作原(yuan)理

在(zai)开(kai)关(guan)电(dian)源中常用MOS管的(de)(de)漏极开(kai)路(lu)电(dian)路(lu)，如图2漏极原(yuan)封不(bu)动(dong)地接(jie)负(fu)(fu)载，叫开(kai)路(lu)漏极，开(kai)路(lu)漏极电(dian)路(lu)中不(bu)管负(fu)(fu)载接(jie)多(duo)高的(de)(de)电(dian)压，都能(neng)够接(jie)通和关(guan)断负(fu)(fu)载电(dian)流。是理(li)想的(de)(de)模拟开(kai)关(guan)器件。这就是MOS管做(zuo)开(kai)关(guan)器件的(de)(de)原(yuan)理(li)。当然MOS管做(zuo)开(kai)关(guan)使用的(de)(de)电(dian)路(lu)形式比较多(duo)了。

NMOS管的开路漏极电(dian)路

在(zai)开关(guan)(guan)电源(yuan)应用方面，这种应用需要MOS管(guan)定期导通和关(guan)(guan)断。比(bi)如，DC-DC电源(yuan)中(zhong)常用的基本降压转换器依赖两个MOS管(guan)来执行(xing)开关(guan)(guan)功(gong)能(neng)，这些开关(guan)(guan)交替在(zai)电感里存储(chu)能(neng)量(liang)，然后(hou)把能(neng)量(liang)释放给负载。我们(men)常选择数百(bai)kHz乃(nai)至(zhi)1MHz以上(shang)的频率，因为频率越高，磁性元件可(ke)以更小更轻。在(zai)正常工作期间(jian)，MOS管(guan)只(zhi)相(xiang)当于一(yi)个导体。因此，我们(men)电路(lu)或者电源(yuan)设计人员最(zui)关(guan)(guan)心的是MOS的最(zui)小传(chuan)导损耗。

我们经(jing)常看MOS管(guan)的(de)(de)(de)PDF参数(shu)(shu)(shu)，MOS管(guan)制造商采用RDS(ON)参数(shu)(shu)(shu)来定(ding)(ding)义(yi)导(dao)通阻(zu)抗(kang)(kang)，对(dui)开关应用来说，RDS(ON)也(ye)是(shi)最重要(yao)的(de)(de)(de)器件特性。数(shu)(shu)(shu)据(ju)手册定(ding)(ding)义(yi)RDS(ON)与栅(zha)极(或驱动(dong))电(dian)压VGS以及流经(jing)开关的(de)(de)(de)电(dian)流有关，但对(dui)于充分的(de)(de)(de)栅(zha)极驱动(dong)，RDS(ON)是(shi)一(yi)个相对(dui)静态参数(shu)(shu)(shu)。一(yi)直处(chu)于导(dao)通的(de)(de)(de)MOS管(guan)很(hen)容易发热。另(ling)外，慢慢升高的(de)(de)(de)结温也(ye)会导(dao)致RDS(ON)的(de)(de)(de)增加。MOS管(guan)数(shu)(shu)(shu)据(ju)手册规(gui)定(ding)(ding)了热阻(zu)抗(kang)(kang)参数(shu)(shu)(shu)，其定(ding)(ding)义(yi)为MOS管(guan)封装的(de)(de)(de)半导(dao)体结散热能(neng)力。RθJC的(de)(de)(de)最简单的(de)(de)(de)定(ding)(ding)义(yi)是(shi)结到(dao)管(guan)壳的(de)(de)(de)热阻(zu)抗(kang)(kang)。

发热情况如下

1.电(dian)(dian)路设计的问题，就(jiu)是(shi)让MOS管工作在线性的工作状态，而不是(shi)在开(kai)关状态。这也是(shi)导致MOS管发(fa)(fa)热的一个(ge)原(yuan)因。如果N-MOS做开(kai)关，G级电(dian)(dian)压(ya)要比电(dian)(dian)源高几V，才能完(wan)全导通，P-MOS则相反。没有(you)完(wan)全打开(kai)而压(ya)降(jiang)过(guo)大造成功率(lv)消耗(hao)，等效直(zhi)流阻(zu)抗比较大，压(ya)降(jiang)增大，所以U*I也增大，损耗(hao)就(jiu)意(yi)味着发(fa)(fa)热。这是(shi)设计电(dian)(dian)路的最(zui)忌(ji)讳的错误。

2.频(pin)率(lv)太高(gao)，主要是有(you)时过分追求体积，导致频(pin)率(lv)提高(gao)，MOS管上的损耗增大了，所以发(fa)热(re)也加大了。

3.没有做好足(zu)够的散(san)热(re)(re)设计，电流太高，MOS管(guan)标称(cheng)的电流值，一(yi)般需要(yao)良好的散(san)热(re)(re)才能达到。所以(yi)ID小于最大电流，也可能发热(re)(re)严重(zhong)，需要(yao)足(zu)够的辅助散(san)热(re)(re)片。

4.MOS管(guan)(guan)的选型有误，对功率判断(duan)有误，MOS管(guan)(guan)内(nei)阻没(mei)有充分考虑，导致开关阻抗增大。

小电流MOS管厂家

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