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场效(xiao)应(ying)管怎么测量(liang)好坏的(de)方法与步骤-场效(xiao)应(ying)管管脚的(de)判定解析-KIA MOS管

信(xin)息来源:本站 日期:2019-02-22 

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场效应管怎么测量好坏

场效应管的极、分类、特性

1、场效应管分三个电极

D极(ji)(ji)(ji)(ji)为漏极(ji)(ji)(ji)(ji)(供(gong)电极(ji)(ji)(ji)(ji));S极(ji)(ji)(ji)(ji)为源极(ji)(ji)(ji)(ji)(输出极(ji)(ji)(ji)(ji));G为栅极(ji)(ji)(ji)(ji)(控制极(ji)(ji)(ji)(ji));D极(ji)(ji)(ji)(ji)和(he)S极(ji)(ji)(ji)(ji)可互换使用(yong)。


2、场(chang)效(xiao)应管的分(fen)类

按沟(gou)道分(fen)(fen)可(ke)分(fen)(fen)为N沟(gou)道和(he)P沟(gou)道;按材料(liao)分(fen)(fen)可(ke)分(fen)(fen)为结(jie)型(xing)(xing)管(guan)和(he)绝(jue)(jue)缘(yuan)(yuan)栅(zha)(zha)型(xing)(xing)管(guan);绝(jue)(jue)缘(yuan)(yuan)栅(zha)(zha)型(xing)(xing)又分(fen)(fen)为耗(hao)尽型(xing)(xing)和(he)增(zeng)强(qiang)(qiang)(qiang)型(xing)(xing),一般主板(ban)上大(da)多(duo)是(shi)绝(jue)(jue)缘(yuan)(yuan)栅(zha)(zha)型(xing)(xing)管(guan)简称MOS管(guan),并且(qie)大(da)多(duo)采用增(zeng)强(qiang)(qiang)(qiang)型(xing)(xing)的N沟(gou)道,其次是(shi)增(zeng)强(qiang)(qiang)(qiang)型(xing)(xing)的P沟(gou)道,结(jie)型(xing)(xing)管(guan)和(he)耗(hao)尽型(xing)(xing)管(guan)几乎不用。


3、场效应管的(de)特(te)性

1)工作条件:D极(ji)要有(you)供(gong)电(dian),G极(ji)要有(you)控制(zhi)电(dian)压;


2)主板上(shang)的场管N沟道多(duo),G极(ji)电压越高(gao),S极(ji)输出(chu)电压越高(gao);


3)主板(ban)上的场管G极电压达到12V时,DS完全导(dao)通(tong),个别主板(ban)上5V导(dao)通(tong);


4)场(chang)管的D、S功能可互(hu)换。


场效应管怎么测量好坏-管脚判定

①栅极G的测定:用(yong)万用(yong)表R×100 档,测任意两(liang)(liang)脚(jiao)之间正反(fan)向电阻(zu),若(ruo)其中某(mou)次测得(de)电阻(zu)为(wei)数百(bai)Ω),该(gai)两(liang)(liang)脚(jiao)是D、S,第三脚(jiao)为(wei)G。


②漏(lou)极D、源极S及类型判定(ding):用万用表 R ×10kΩ档(dang)测 D、S问正反(fan)向(xiang)电(dian)(dian)阻,正向(xiang)电(dian)(dian)阻约为0.2 ×10kΩ,反(fan)向(xiang)电(dian)(dian)阻(5一(yi)(yi)∞)X100kΩ。在测反(fan)向(xiang)电(dian)(dian)阻时,红表笔不动,黑表笔脱(tuo)离引(yin)脚后(hou),与(yu)G碰一(yi)(yi)下,然后(hou)回去再接(jie)原引(yin)脚,出现两种情(qing)况:

a.若读数由原来较大(da)值(zhi)变(bian)为(wei)0(0×10kΩ),则红表笔(bi)所接为(wei)S,黑表笔(bi)为(wei)D。用(yong)黑表笔(bi)接触G有效,使(shi)MOS管D、S间正(zheng)反向电阻值(zhi)均为(wei)0Ω,还可证明(ming)该管为(wei)N沟道。

b.若(ruo)读数仍为(wei)较大值,黑表(biao)笔(bi)不动,改用(yong)红表(biao)笔(bi)接(jie)触G,碰(peng)一(yi)下之后(hou)立(li)即回到原脚,此时若(ruo)读数为(wei)0Ω,则(ze)黑表(biao)笔(bi)接(jie)的是S极、红表(biao)笔(bi)为(wei)D极,用(yong)红表(biao)笔(bi)接(jie)触G极有效,该MOS管为(wei)P沟道(dao)。

场效应管怎么测量好坏


场效应管怎么测量好坏的方法与步骤

(1)用(yong)测电阻法判别结型场效应(ying)管的电极(ji)

依(yi)据场(chang)效应管(guan)的(de)(de)PN结正(zheng)、反向(xiang)电(dian)(dian)阻值(zhi)不一样的(de)(de)现象,能(neng)够(gou)判(pan)别(bie)出(chu)结型场(chang)效应管(guan)的(de)(de)三(san)个(ge)电(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)。详细办法:将万用表(biao)拨在(zai)R×1k档(dang)上,任(ren)选(xuan)两个(ge)电(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji),分别(bie)测出(chu)其(qi)(qi)正(zheng)、反向(xiang)电(dian)(dian)阻值(zhi)。当某两个(ge)电(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)正(zheng)、反向(xiang)电(dian)(dian)阻值(zhi)相等,且(qie)为(wei)几千欧姆时,则该两个(ge)电(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)分别(bie)是(shi)(shi)(shi)(shi)漏(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)D和源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)S。由于对结型场(chang)效应管(guan)而言,漏(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)和源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)可互(hu)换,剩下(xia)的(de)(de)电(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)肯定(ding)是(shi)(shi)(shi)(shi)栅极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)G。也能(neng)够(gou)将万用表(biao)的(de)(de)黑(hei)表(biao)笔(bi)(红表(biao)笔(bi)也行)任(ren)意接(jie)触(chu)一个(ge)电(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji),另一只表(biao)笔(bi)依(yi)次(ci)去接(jie)触(chu)其(qi)(qi)他的(de)(de)两个(ge)电(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji),测其(qi)(qi)电(dian)(dian)阻值(zhi)。当呈现两次(ci)测得的(de)(de)电(dian)(dian)阻值(zhi)近似(si)相等时,则黑(hei)表(biao)笔(bi)所接(jie)触(chu)的(de)(de)电(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)为(wei)栅极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji),其(qi)(qi)他两电(dian)(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)分别(bie)为(wei)漏(lou)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)和源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)。若(ruo)(ruo)两次(ci)测出(chu)的(de)(de)电(dian)(dian)阻值(zhi)均很大,阐明是(shi)(shi)(shi)(shi)PN结的(de)(de)反向(xiang),即都是(shi)(shi)(shi)(shi)反向(xiang)电(dian)(dian)阻,能(neng)够(gou)断(duan)定(ding)是(shi)(shi)(shi)(shi)N沟道(dao)场(chang)效应管(guan),且(qie)黑(hei)表(biao)笔(bi)接(jie)的(de)(de)是(shi)(shi)(shi)(shi)栅极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji);若(ruo)(ruo)两次(ci)测出(chu)的(de)(de)电(dian)(dian)阻值(zhi)均很小(xiao),阐明是(shi)(shi)(shi)(shi)正(zheng)向(xiang)PN结,即是(shi)(shi)(shi)(shi)正(zheng)向(xiang)电(dian)(dian)阻,断(duan)定(ding)为(wei)P沟道(dao)场(chang)效应管(guan),黑(hei)表(biao)笔(bi)接(jie)的(de)(de)也是(shi)(shi)(shi)(shi)栅极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)。若(ruo)(ruo)不呈现上述(shu)状况(kuang),能(neng)够(gou)互(hu)换黑(hei)、红表(biao)笔(bi)按上述(shu)办法停止测试(shi),直(zhi)到判(pan)别(bie)出(chu)栅极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)为(wei)止。


(2)用测电阻法判(pan)别场(chang)效应管的(de)好坏

测(ce)(ce)电(dian)阻(zu)(zu)(zu)法是(shi)用(yong)(yong)万(wan)用(yong)(yong)表(biao)测(ce)(ce)量场效应(ying)管(guan)的(de)(de)(de)源极(ji)(ji)与(yu)漏(lou)极(ji)(ji)、栅(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)与(yu)源极(ji)(ji)、栅(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)与(yu)漏(lou)极(ji)(ji)、栅(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)G1与(yu)栅(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)G2之间的(de)(de)(de)电(dian)阻(zu)(zu)(zu)值(zhi)同(tong)场效应(ying)管(guan)手册标明的(de)(de)(de)电(dian)阻(zu)(zu)(zu)值(zhi)能(neng)否相符去判别管(guan)的(de)(de)(de)好坏。详细办法:首先将万(wan)用(yong)(yong)表(biao)置(zhi)于(yu)R×10或(huo)R×100档,丈量源极(ji)(ji)S与(yu)漏(lou)极(ji)(ji)D之间的(de)(de)(de)电(dian)阻(zu)(zu)(zu),通常(chang)在几十欧到几千欧范(fan)围(在手册中可知(zhi),各(ge)种(zhong)不(bu)(bu)同(tong)型号的(de)(de)(de)管(guan),其电(dian)阻(zu)(zu)(zu)值(zhi)是(shi)各(ge)不(bu)(bu)相同(tong)的(de)(de)(de)),假(jia)如测(ce)(ce)得(de)阻(zu)(zu)(zu)值(zhi)大(da)(da)于(yu)正常(chang)值(zhi),可能(neng)是(shi)由(you)于(yu)内(nei)部接触不(bu)(bu)良;假(jia)如测(ce)(ce)得(de)阻(zu)(zu)(zu)值(zhi)是(shi)无量大(da)(da),可能(neng)是(shi)内(nei)部断极(ji)(ji)。然后把(ba)万(wan)用(yong)(yong)表(biao)置(zhi)于(yu)R×10k档,再测(ce)(ce)栅(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)G1与(yu)G2之间、栅(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)与(yu)源极(ji)(ji)、栅(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)与(yu)漏(lou)极(ji)(ji)之间的(de)(de)(de)电(dian)阻(zu)(zu)(zu)值(zhi),当测(ce)(ce)得(de)其各(ge)项电(dian)阻(zu)(zu)(zu)值(zhi)均为无量大(da)(da),则(ze)阐(chan)明管(guan)是(shi)正常(chang)的(de)(de)(de);若测(ce)(ce)得(de)上(shang)述各(ge)阻(zu)(zu)(zu)值(zhi)太小或(huo)为通路(lu),则(ze)阐(chan)明管(guan)是(shi)坏的(de)(de)(de)。要留意,若两个栅(zha)(zha)(zha)极(ji)(ji)在管(guan)内(nei)断极(ji)(ji),可用(yong)(yong)元件代换法进行检(jian)测(ce)(ce)。


(3)用感(gan)应信(xin)号输人法(fa)估测场效应管的放大能力

详细办(ban)法:用万(wan)用表电(dian)阻(zu)(zu)的(de)(de)(de)(de)R×100档,红表笔接源(yuan)(yuan)极(ji)S,黑表笔接漏(lou)极(ji)D,给场效应管(guan)(guan)(guan)加上1。5V的(de)(de)(de)(de)电(dian)源(yuan)(yuan)电(dian)压(ya),此时表针(zhen)指示(shi)出的(de)(de)(de)(de)漏(lou)源(yuan)(yuan)极(ji)间的(de)(de)(de)(de)电(dian)阻(zu)(zu)值。然后用手(shou)捏住结型场效应管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)(de)(de)栅(zha)极(ji)G,将(jiang)人体(ti)的(de)(de)(de)(de)感应电(dian)压(ya)信号(hao)加到栅(zha)极(ji)上。这样,由(you)于管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)(de)(de)放大(da)(da)(da)作用,漏(lou)源(yuan)(yuan)电(dian)压(ya)VDS和漏(lou)极(ji)电(dian)流Ib都要发(fa)作变化,也就是漏(lou)源(yuan)(yuan)极(ji)间电(dian)阻(zu)(zu)发(fa)作了(le)变化,由(you)此能(neng)够察看到表针(zhen)有较(jiao)大(da)(da)(da)幅(fu)度的(de)(de)(de)(de)摆动。假如手(shou)捏栅(zha)极(ji)表针(zhen)摆动较(jiao)小(xiao),阐明(ming)(ming)管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)(de)(de)放大(da)(da)(da)才能(neng)较(jiao)差;表针(zhen)摆动较(jiao)大(da)(da)(da),标(biao)明(ming)(ming)管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)(de)(de)放大(da)(da)(da)才能(neng)大(da)(da)(da);若表针(zhen)不动,阐明(ming)(ming)管(guan)(guan)(guan)是坏的(de)(de)(de)(de)。

依据上述办法,我们用(yong)万用(yong)表的(de)R×100档(dang),测(ce)结型场(chang)效应管(guan)3DJ2F。先将管(guan)的(de)G极开路,测(ce)得漏源(yuan)电(dian)阻RDS为(wei)600Ω,用(yong)手(shou)捏住(zhu)G极后,表针向左摆动(dong),指示(shi)的(de)电(dian)阻RDS为(wei)12kΩ,表针摆动(dong)的(de)幅度较大(da)(da),阐明该管(guan)是好(hao)的(de),并有较大(da)(da)的(de)放(fang)大(da)(da)才能。


运用(yong)(yong)(yong)这种办法时要(yao)(yao)阐(chan)明几点(dian):首先,在测试场(chang)效应管用(yong)(yong)(yong)手捏住栅(zha)(zha)极(ji)(ji)时,万用(yong)(yong)(yong)表(biao)针(zhen)可(ke)(ke)能(neng)(neng)向(xiang)右摆动(dong)(dong)(电(dian)(dian)阻值减小(xiao)),也(ye)可(ke)(ke)能(neng)(neng)向(xiang)左摆动(dong)(dong)(电(dian)(dian)阻值增加)。这是(shi)由(you)于人体感(gan)应的(de)(de)(de)交流(liu)电(dian)(dian)压(ya)较高(gao),而不同的(de)(de)(de)场(chang)效应管用(yong)(yong)(yong)电(dian)(dian)阻档(dang)丈量时的(de)(de)(de)工(gong)作点(dian)可(ke)(ke)能(neng)(neng)不同(或者工(gong)作在饱(bao)和区(qu)或者在不饱(bao)和区(qu))所致(zhi),实验标明,多数管的(de)(de)(de)RDS增大,即(ji)表(biao)针(zhen)向(xiang)左摆动(dong)(dong);少数管的(de)(de)(de)RDS减小(xiao),使表(biao)针(zhen)向(xiang)右摆动(dong)(dong)。但(dan)无(wu)论表(biao)针(zhen)摆动(dong)(dong)方(fang)向(xiang)如何,只需(xu)表(biao)针(zhen)摆动(dong)(dong)幅度较大,就(jiu)阐(chan)明管有较大的(de)(de)(de)放大才(cai)能(neng)(neng)。第二,此办法对MOS场(chang)效应管也(ye)适用(yong)(yong)(yong)。但(dan)要(yao)(yao)留意,MOS场(chang)效应管的(de)(de)(de)输(shu)人电(dian)(dian)阻高(gao),栅(zha)(zha)极(ji)(ji)G允许的(de)(de)(de)感(gan)应电(dian)(dian)压(ya)不应过(guo)高(gao),所以不要(yao)(yao)直接(jie)用(yong)(yong)(yong)手去捏栅(zha)(zha)极(ji)(ji),必(bi)需(xu)用(yong)(yong)(yong)于握螺丝刀(dao)的(de)(de)(de)绝缘柄,用(yong)(yong)(yong)金(jin)属杆去碰触栅(zha)(zha)极(ji)(ji),以避免人体感(gan)应电(dian)(dian)荷(he)直接(jie)加到栅(zha)(zha)极(ji)(ji),引起栅(zha)(zha)极(ji)(ji)击穿。第三,每次测量完毕,应当G-S极(ji)(ji)间短路一下。这是(shi)由(you)于G-S结电(dian)(dian)容(rong)上会充有少量电(dian)(dian)荷(he),树立起VGS电(dian)(dian)压(ya),形成再(zai)停止测量时表(biao)针(zhen)可(ke)(ke)能(neng)(neng)不动(dong)(dong),只要(yao)(yao)将G-S极(ji)(ji)间电(dian)(dian)荷(he)短路放掉才(cai)行。


(4)用测(ce)电(dian)阻法判别无标(biao)志的场(chang)效应管

首(shou)先用(yong)测量(liang)电(dian)阻(zu)的(de)(de)(de)办(ban)法(fa)找出两(liang)(liang)(liang)个(ge)有电(dian)阻(zu)值的(de)(de)(de)管脚,也就(jiu)是源(yuan)极(ji)(ji)S和(he)漏极(ji)(ji)D,余下(xia)两(liang)(liang)(liang)个(ge)脚为第一(yi)栅(zha)极(ji)(ji)G1和(he)第二栅(zha)极(ji)(ji)G2。把先用(yong)两(liang)(liang)(liang)表(biao)笔(bi)测的(de)(de)(de)源(yuan)极(ji)(ji)S与漏极(ji)(ji)D之(zhi)间的(de)(de)(de)电(dian)阻(zu)值记下(xia)来,对调表(biao)笔(bi)再测量(liang)一(yi)次,把其(qi)测得电(dian)阻(zu)值记下(xia)来,两(liang)(liang)(liang)次测得阻(zu)值较大的(de)(de)(de)一(yi)次,黑表(biao)笔(bi)所接的(de)(de)(de)电(dian)极(ji)(ji)为漏极(ji)(ji)D;红(hong)表(biao)笔(bi)所接的(de)(de)(de)为源(yuan)极(ji)(ji)S。用(yong)这种(zhong)办(ban)法(fa)判别出来的(de)(de)(de)S、D极(ji)(ji),还能够用(yong)估测其(qi)管的(de)(de)(de)放大才(cai)能的(de)(de)(de)办(ban)法(fa)停止(zhi)考证(zheng),即放大才(cai)能大的(de)(de)(de)黑表(biao)笔(bi)所接的(de)(de)(de)是D极(ji)(ji);红(hong)表(biao)笔(bi)所接地是8极(ji)(ji),两(liang)(liang)(liang)种(zhong)办(ban)法(fa)检测结果均应一(yi)样(yang)。当(dang)肯定了(le)漏极(ji)(ji)D、源(yuan)极(ji)(ji)S的(de)(de)(de)位(wei)置(zhi)后,按D、S的(de)(de)(de)对应位(wei)置(zhi)装人电(dian)路(lu),普(pu)通G1、G2也会依次对准位(wei)置(zhi),这就(jiu)肯定了(le)两(liang)(liang)(liang)个(ge)栅(zha)极(ji)(ji)G1、G2的(de)(de)(de)位(wei)置(zhi),从而(er)就(jiu)肯定了(le)D、S、G1、G2管脚的(de)(de)(de)顺序(xu)。


(5)用(yong)测反向电阻值(zhi)的(de)变化判别跨导的(de)大小

对VMOS N沟道加强型场效应管丈量(liang)跨(kua)导(dao)性(xing)能时(shi),可(ke)用(yong)红(hong)表(biao)笔接源(yuan)极(ji)(ji)S、黑表(biao)笔接漏极(ji)(ji)D,这就(jiu)相当于在(zai)(zai)源(yuan)、漏极(ji)(ji)之间加了一个(ge)反(fan)向(xiang)(xiang)电压(ya)。此(ci)时(shi)栅极(ji)(ji)是(shi)开(kai)路的(de)(de)(de)(de)(de),管的(de)(de)(de)(de)(de)反(fan)向(xiang)(xiang)电阻(zu)值(zhi)是(shi)很不稳(wen)定的(de)(de)(de)(de)(de)。将万用(yong)表(biao)的(de)(de)(de)(de)(de)欧姆档选(xuan)在(zai)(zai)R×10kΩ的(de)(de)(de)(de)(de)高(gao)阻(zu)档,此(ci)时(shi)表(biao)内电压(ya)较高(gao)。当用(yong)手接触栅极(ji)(ji)G时(shi),会发现管的(de)(de)(de)(de)(de)反(fan)向(xiang)(xiang)电阻(zu)值(zhi)有明(ming)显地变(bian)(bian)化,其变(bian)(bian)化越(yue)大,阐明(ming)管的(de)(de)(de)(de)(de)跨(kua)导(dao)值(zhi)越(yue)高(gao);假如被测管的(de)(de)(de)(de)(de)跨(kua)导(dao)很小(xiao),用(yong)此(ci)法测时(shi),反(fan)向(xiang)(xiang)阻(zu)值(zhi)变(bian)(bian)化不大。


场效应管怎么测量好坏时注意事项

(1)VMOS管亦分N沟(gou)道管与(yu)P沟(gou)道管,但绝大多数产品属于N沟(gou)道管.对于P沟(gou)道管,测量(liang)时应交换(huan)表笔的位置.


(2)有(you)少数VMOS管(guan)在G-S之间并(bing)有(you)保(bao)护二极管(guan),本(ben)检测方法中的1、2项不再适(shi)用.


(3)目前市(shi)场(chang)上还有(you)(you)一种VMOS管功率模(mo)块,专(zhuan)供交(jiao)流电(dian)机调速器(qi)、逆变器(qi)使用.例如美国IR公(gong)司生产的(de)IRFT001型模(mo)块,内部有(you)(you)N沟(gou)道(dao)、P沟(gou)道(dao)管各三只,构(gou)(gou)成(cheng)三相桥式结构(gou)(gou).


(4)现在市售VNF系列(N沟道)产品,是美国Supertex公司生产的超(chao)高频功率场(chang)效(xiao)应管,其最高工作频率FP=120MHz,IDSM=1A,PDM=30W,共源小(xiao)信(xin)号低频跨导gm=2000μS.适用于高速开关电路和广播(bo)、通信(xin)设备中.


(5)使用(yong)VMOS管时必(bi)须(xu)加(jia)合适的(de)(de)散热器后(hou).以(yi)VNF306为例,该管子(zi)加(jia)装140×140×4(mm)的(de)(de)散热器后(hou),最大功(gong)率才能达到30W.


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