irf630场效应(ying)管(guan)(guan)参数规(gui)格书-原装正品场效应(ying)管(guan)(guan) 价格详(xiang)情(qing)-KIA MOS管(guan)(guan)

信息来源：本站　日期：2019-02-21　

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irf630场效应管参数

irf630场效应管简述

IR的第五代HEXFET功率(lv)(lv)场效应管(guan)IRF630采(cai)用(yong)(yong)先进的工艺(yi)技术(shu)制造，具(ju)有极(ji)低的导(dao)通阻抗(kang)。IRF630这种特性，加上快速的转换(huan)速率(lv)(lv)，和(he)以坚固(gu)耐用(yong)(yong)著(zhu)称的HEXFET设计(ji)，使得IRF630成为极(ji)其高效可(ke)靠、应用(yong)(yong)范围(wei)超广(guang)的器件(jian)。

TO-220封装(zhuang)的(de)IRF630普遍适(shi)用于(yu)功(gong)耗(hao)在50W左(zuo)右的(de)工(gong)商(shang)业(ye)应用，低(di)热阻(zu)和低(di)成(cheng)本的(de)TO-220封装(zhuang)，使(shi)IRF630得到业(ye)内的(de)普遍认可。D2Pak封装(zhuang)的(de)IRF630适(shi)用于(yu)贴片安装(zhuang)，比起现有的(de)任何其他贴片封装(zhuang)，可说是功(gong)率最高(gao)，导通阻(zu)抗最低(di)。TO-262是IRF630的(de)通孔安装(zhuang)版(ban)，适(shi)合较低(di)端的(de)应用。

irf630场效应管特性

先进(jin)的(de)工艺技术(shu)

贴片安装（IRF630NS）

低端通孔安装(zhuang)（IRF630NL）

动态dv/dt率

175℃工作温度

快速(su)转(zhuan)换速(su)率

轻松并行

仅需简(jian)单驱动

无铅环保(bao)