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场(chang)效应管MOS管生(sheng)产(chan)(chan)(chan)厂家KIA电(dian)子，专业生(sheng)产(chan)(chan)(chan)从事各种(zhong)大功(gong)率(lv)半(ban)导体器件与功(gong)率(lv)集成器件的设计，生(sheng)产(chan)(chan)(chan)和销售(shou)。是中国大功(gong)率(lv)半(ban)导体器件的销售(shou)企(qi)业。且本公司产(chan)(chan)(chan)品广泛应用于遥控飞(fei)机，开关电(dian)源(yuan)，移动数码，电(dian)动车，逆变器，节能灯，汽车消费类(lei)，LCD，HID，LED等。

MOS管种类和结构

MOSFET管(guan)(guan)是(shi)FET的(de)一种(zhong)（另一种(zhong)是(shi)JFET），可以(yi)被制(zhi)造成增(zeng)强(qiang)型(xing)或(huo)(huo)耗尽(jin)型(xing)，P沟道或(huo)(huo)N沟道共4种(zhong)类型(xing)，但实(shi)际应用(yong)的(de)只有增(zeng)强(qiang)型(xing)的(de)N沟道MOS管(guan)(guan)和(he)增(zeng)强(qiang)型(xing)的(de)P沟道MOS管(guan)(guan)，所以(yi)通常(chang)提到NMOS，或(huo)(huo)者PMOS指的(de)就是(shi)这(zhei)两(liang)种(zhong)。对于这(zhei)两(liang)种(zhong)增(zeng)强(qiang)型(xing)MOS管(guan)(guan)，比较常(chang)用(yong)的(de)是(shi)NMOS。原因(yin)是(shi)导通电阻小，且容易制(zhi)造。所以(yi)开关电源和(he)驱动的(de)应用(yong)中，一般都用(yong)NMOS。

MOS管(guan)的(de)三个(ge)(ge)管(guan)脚之间(jian)有寄(ji)生(sheng)(sheng)电容存在(zai)(zai)，由(you)于制造工艺限制产生(sheng)(sheng)的(de)。寄(ji)生(sheng)(sheng)电容的(de)存在(zai)(zai)使得在(zai)(zai)设计或选择驱(qu)动电路(lu)的(de)时候要(yao)麻烦一些，但没有办法(fa)避免，在(zai)(zai)MOS管(guan)原理图可以看到，漏(lou)极(ji)和源极(ji)之间(jian)有一个(ge)(ge)寄(ji)生(sheng)(sheng)二(er)极(ji)管(guan)。这个(ge)(ge)叫体(ti)二(er)极(ji)管(guan)，在(zai)(zai)驱(qu)动感性负载，这个(ge)(ge)二(er)极(ji)管(guan)很重要(yao)。顺便说一句，体(ti)二(er)极(ji)管(guan)只在(zai)(zai)单个(ge)(ge)的(de)MOS管(guan)中存在(zai)(zai)，在(zai)(zai)集成电路(lu)芯片内部(bu)通常是(shi)没有的(de)。

品(pin)质(zhi)承诺：

KIA不断前进发展的核心基础，在专业于MOSFET器件领域的(de)(de)发展，KIA率(lv)(lv)先成功研最新型MOSFET系列产(chan)品。大幅度降低了产(chan)品的(de)(de)RDS（ON），在(zai)高温可靠性和稳(wen)定性方向有突破性表现(xian)——产(chan)品的(de)(de)相关测试数据标(biao)准等(deng)同(tong)欧美(mei)同(tong)类产(chan)品的(de)(de)转换效率(lv)(lv)，并率(lv)(lv)限将该类型产(chan)品在(zai)中国市场推出，强(qiang)势引高端功率(lv)(lv)半导体技术抢占高端服务主体。

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