低压MOS管 50N06B 50A/60V规格书-内阻低 雪崩(beng)冲(chong)击小 免费送样-KIA MOS管
信息来(lai)源：本站 日(ri)期：2019-01-24
1、RDS(on)=10.5mΩ@VGS=10V
2、无铅绿色装置
3、降低(di)导电损耗(hao)
4、高雪崩(beng)电(dian)流
产(chan)品型号：KIA50N06B
工作(zuo)方式：50A/60V
漏源极(ji)电压(ya)：60V
栅源电压：±25
脉(mai)冲漏电(dian)流：250A
雪崩(beng)电流：15A
雪崩能量：120MJ
最大(da)功耗：88W/44W
1、电力供(gong)应(ying)
2、UPS
3、电(dian)池管(guan)理系统
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