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开关电源 功率损耗 热耗

开关(guan)(guan)模式电(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)（Switch Mode Power Supply，简称(cheng)SMPS），又(you)称(cheng)交换(huan)式电(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)、开关(guan)(guan)变换(huan)器(qi)(qi)，是一(yi)种高频化电(dian)(dian)(dian)(dian)能转换(huan)装置，是电(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)供应器(qi)(qi)的(de)一(yi)种。其功能是将一(yi)个位准的(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)，透过(guo)不(bu)同形式的(de)架(jia)构转换(huan)为用(yong)户端所需(xu)求的(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)或电(dian)(dian)(dian)(dian)流。开关(guan)(guan)电(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)的(de)输入多(duo)半是交流电(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)（例如(ru)市电(dian)(dian)(dian)(dian)）或是直流电(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)，而(er)输出多(duo)半是需(xu)要直流电(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)的(de)设备，例如(ru)个人电(dian)(dian)(dian)(dian)脑，而(er)开关(guan)(guan)电(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)就(jiu)进行(xing)两者之间(jian)电(dian)(dian)(dian)(dian)压(ya)及电(dian)(dian)(dian)(dian)流的(de)转换(huan)。

开(kai)关(guan)电(dian)源(yuan)(yuan)不同于(yu)线性(xing)电(dian)源(yuan)(yuan)，开(kai)关(guan)电(dian)源(yuan)(yuan)利用的(de)(de)(de)切换(huan)晶体管(guan)(guan)多(duo)半是(shi)在(zai)全开(kai)模式(shi)（饱和区）及全闭(bi)模式(shi)（截止区）之(zhi)间(jian)(jian)切换(huan)，这两个模式(shi)都(dou)有低耗散的(de)(de)(de)特点，切换(huan)之(zhi)间(jian)(jian)的(de)(de)(de)转换(huan)会(hui)有较(jiao)(jiao)高(gao)的(de)(de)(de)耗散，但时间(jian)(jian)很短(duan)，因此比较(jiao)(jiao)节(jie)省能(neng)源(yuan)(yuan)，产(chan)生(sheng)废热较(jiao)(jiao)少。理想(xiang)上(shang)，开(kai)关(guan)电(dian)源(yuan)(yuan)本(ben)(ben)身是(shi)不会(hui)消耗电(dian)能(neng)的(de)(de)(de)。电(dian)压稳压是(shi)透(tou)过(guo)调整(zheng)晶体管(guan)(guan)导通及断路的(de)(de)(de)时间(jian)(jian)来达到。相反的(de)(de)(de)，线性(xing)电(dian)源(yuan)(yuan)在(zai)产(chan)生(sheng)输(shu)出电(dian)压的(de)(de)(de)过(guo)程(cheng)中，晶体管(guan)(guan)工作(zuo)(zuo)在(zai)放大区，本(ben)(ben)身也会(hui)消耗电(dian)能(neng)。开(kai)关(guan)电(dian)源(yuan)(yuan)的(de)(de)(de)高(gao)转换(huan)效(xiao)率是(shi)其一(yi)大优点，而且因为开(kai)关(guan)电(dian)源(yuan)(yuan)工作(zuo)(zuo)频率高(gao)，可以使用小尺寸、轻重量的(de)(de)(de)变压器(qi)，因此开(kai)关(guan)电(dian)源(yuan)(yuan)也会(hui)比线性(xing)电(dian)源(yuan)(yuan)的(de)(de)(de)尺寸要(yao)小，重量也会(hui)比较(jiao)(jiao)轻。

若(ruo)电(dian)源(yuan)的高(gao)效率、体积及(ji)重量是(shi)考虑重点时，开(kai)关(guan)(guan)电(dian)源(yuan)比线性(xing)电(dian)源(yuan)要好。不过(guo)开(kai)关(guan)(guan)电(dian)源(yuan)比较复杂，内部晶体管会频繁(fan)切(qie)换，若(ruo)切(qie)换电(dian)流尚加以处理，可能(neng)会产生噪(zao)声(sheng)及(ji)电(dian)磁干扰影响其他(ta)设备，而(er)且若(ruo)开(kai)关(guan)(guan)电(dian)源(yuan)没有特别设计，其电(dian)源(yuan)功率因数可能(neng)不高(gao)。

电(dian)源在(zai)为负载提供能(neng)量(liang)的(de)(de)同时也在(zai)燃烧自(zi)己，在(zai)电(dian)源设计时大家会很仔细的(de)(de)去分析负载的(de)(de)需求(qiu)，但(dan)是容易忽(hu)略(lve)电(dian)源芯片(pian)或(huo)者其(qi)外围器件的(de)(de)热(re)耗(hao)(hao)，对电(dian)源热(re)耗(hao)(hao)的(de)(de)评(ping)估(gu)的(de)(de)目的(de)(de)是为了保证(zheng)电(dian)源始(shi)终工(gong)(gong)作在(zai)一个安全的(de)(de)状态（不会被(bei)热(re)保护(hu)或(huo)者烧毁）。评(ping)估(gu)热(re)耗(hao)(hao)的(de)(de)第一步工(gong)(gong)作是计算电(dian)源方案的(de)(de)耗(hao)(hao)散功率（被(bei)损耗(hao)(hao)掉的(de)(de)功率），评(ping)估(gu)耗(hao)(hao)散功率有(you)两种方法，黑盒和白盒。

一、黑盒方式评估电源的耗散功率

电源(yuan)(yuan)(yuan)芯(xin)片及外围的(de)(de)(de)器件的(de)(de)(de)热耗占电源(yuan)(yuan)(yuan)的(de)(de)(de)输入总功率(lv)(lv)的(de)(de)(de)比例就是(shi)电源(yuan)(yuan)(yuan)的(de)(de)(de)效率(lv)(lv)，所以我(wo)们可以从电源(yuan)(yuan)(yuan)的(de)(de)(de)效率(lv)(lv)反(fan)推得到电源(yuan)(yuan)(yuan)的(de)(de)(de)耗散功率(lv)(lv)，如图1.1。

图(tu) 1.1 电(dian)源的功率(lv)传输

由图1.1推导得知耗散功率的计算(suan)公式如下(xia)：

上(shang)图是从效率(lv)和输(shu)(shu)(shu)出(chu)功(gong)率(lv)Po反推得到(dao)耗(hao)散功(gong)率(lv)的(de)。为什么要选择输(shu)(shu)(shu)出(chu)功(gong)率(lv)而不是输(shu)(shu)(shu)入(ru)功(gong)率(lv)呢？因(yin)为输(shu)(shu)(shu)出(chu)功(gong)率(lv)的(de)数据比较(jiao)(jiao)容易取得，就是负载的(de)实际需求，相(xiang)比之(zhi)下输(shu)(shu)(shu)入(ru)电(dian)压(ya)的(de)范围比较(jiao)(jiao)宽泛，所以输(shu)(shu)(shu)入(ru)功(gong)率(lv)比较(jiao)(jiao)难定量得到(dao)。

那么电(dian)(dian)(dian)源效(xiao)率的(de)(de)数据(ju)如(ru)(ru)何去获取(qu)呢？很简单，如(ru)(ru)果是线性稳压(ya)(ya)器(qi)，那么效(xiao)率就是输(shu)出(chu)电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)与(yu)输(shu)入电(dian)(dian)(dian)压(ya)(ya)的(de)(de)比值(V0/Vin)，因为(wei)输(shu)出(chu)电(dian)(dian)(dian)流约等于输(shu)入电(dian)(dian)(dian)流；如(ru)(ru)果是开(kai)关电(dian)(dian)(dian)源，电(dian)(dian)(dian)源效(xiao)率可以估为(wei)85%，如(ru)(ru)需要更为(wei)精确可以查芯片规格书的(de)(de)图表，如(ru)(ru)图1.2示(shi)例(li)。

图 1.2 某电源芯(xin)片的效(xiao)率图表(biao)示意(yi)

二、白盒方式计算电源的耗散功率

线性稳压器的(de)原理单纯且(qie)多为(wei)集成模(mo)(mo)块(kuai)，所以了解如何使用黑(hei)盒方(fang)式计算耗散功率(lv)一般(ban)已经足够。相(xiang)比(bi)之(zhi)下开关电源(yuan)的(de)集成度较弱，所以有时候(hou)需要分(fen)解子模(mo)(mo)块(kuai)且(qie)单独(du)计算其耗散功率(lv)，这就是所谓的(de)白盒模(mo)(mo)式。本文(wen)均以Buck为(wei)例(li)，其它拓补形式可自行类推。

在BUCK电路的技术(shu)演变过程中出(chu)现了两(liang)个(ge)小分(fen)支，同(tong)(tong)步(bu)Buck与非同(tong)(tong)步(bu)Buck。两(liang)者的外观差(cha)异明显(xian)很好(hao)区分(fen)，有(you)上(shang)(shang)下两(liang)个(ge)MOSFET管的Buck叫同(tong)(tong)步(bu)Buck；只有(you)上(shang)(shang)管MOSFET，续流(liu)管是(shi)(shi)肖(xiao)特基二(er)极管的Buck叫做非同(tong)(tong)步(bu)Buck。同(tong)(tong)步(bu)Buck是(shi)(shi)后(hou)面发展(zhan)出(chu)来(lai)的技术(shu)，使(shi)用MOSFET来(lai)代替续流(liu)二(er)极管降低了导通压降，所以提升了电源效率，当然需要额外增(zeng)加(jia)一(yi)套MOSFET驱(qu)动电路成本有(you)所上(shang)(shang)升。

图1.3 同(tong)(tong)步与非(fei)同(tong)(tong)步Buck

开关电源损耗

开(kai)关电源的损耗(hao)主要由两大块(kuai)组成，路径(jing)损耗(hao)与开(kai)关损耗(hao)。

1、路(lu)(lu)径损(sun)(sun)耗(hao)（传导损(sun)(sun)耗(hao)）：大电流(liu)路(lu)(lu)径上(shang)的内(nei)阻上(shang)的损(sun)(sun)耗(hao)。以BUCK为例，路(lu)(lu)径损(sun)(sun)耗(hao)包括上(shang)臂MOSFET的内(nei)阻损(sun)(sun)耗(hao)，电感的寄(ji)生(sheng)阻抗(DCR)上(shang)的损(sun)(sun)耗(hao)及下臂MOSFET或者续(xu)流(liu)二极管(guan)上(shang)的损(sun)(sun)耗(hao)。

2、开(kai)(kai)关(guan)(guan)损耗(hao)：开(kai)(kai)通和关(guan)(guan)闭MOSFET过程中的损耗(hao)，与(yu)开(kai)(kai)关(guan)(guan)频率成(cheng)正比。

一、理解开关损耗

路径损(sun)耗(hao)比(bi)较(jiao)好理解(jie)，很直观，我(wo)们来着重介绍一下(xia)开(kai)(kai)(kai)关(guan)损(sun)耗(hao)的产生原因(yin)。如图1.4所示，上桥臂(bei)MOSFET的漏极连接(jie)至Vin，而源(yuan)极连接(jie)至相位节点(dian)。当上桥臂(bei)开(kai)(kai)(kai)始开(kai)(kai)(kai)启时，下(xia)桥臂(bei)MOSFET的体二极管（非同步BUCK同理）会将相位点(dian)箝位为低于地电压(ya)(ya)（负压(ya)(ya)）。这种(zhong)很大的漏-源(yuan)电压(ya)(ya)差及且(qie)上桥臂(bei)MOSFET也(ye)以开(kai)(kai)(kai)关(guan)方(fang)式传输转换(huan)器的完全负载电流，所以在开(kai)(kai)(kai)关(guan)过程中产生了开(kai)(kai)(kai)关(guan)损(sun)耗(hao)。

图1.4 Buck的(de)开关(guan)损耗示意

图1.5 MOSFET的寄生电容

图(tu)1.5是(shi)MOSFET的(de)(de)寄(ji)生电(dian)(dian)容示意，图(tu)1.6是(shi)上桥臂MOSFET的(de)(de)开关损耗(hao)图(tu)形，这是(shi)理(li)想图(tu)形并假设栅极电(dian)(dian)流是(shi)恒定的(de)(de)。开关损耗(hao)的(de)(de)产生机理(li)与MOSFET的(de)(de)寄(ji)生电(dian)(dian)容相关。

图1.6 上桥臂(bei)MOSFET的理想开关损(sun)耗图形

开关损耗产生过程详细分析：

1、在(zai)时(shi)间(jian)段t1开(kai)(kai)始(shi)时(shi)，当MOSFET驱动器开(kai)(kai)始(shi)向MOSFET的栅极提供电(dian)流时(shi)，VGS（MOSFET 的栅 - 源(yuan)电(dian)压）开(kai)(kai)始(shi)上升(sheng)。在(zai)此期(qi)间(jian)，将(jiang)对(dui)输入电(dian)容(rong) Ciss（CGS + CGD）进(jin)行充电(dian)，而 VDS（MOSFET 的漏 - 源(yuan)电(dian)压）保持(chi)恒定。此时(shi)不存(cun)在(zai)漏 - 源(yuan)电(dian)流，因此，在(zai)此期(qi)间(jian)没有开(kai)(kai)关损(sun)耗。==>VGS小于(yu)阈值，MOSFET未开(kai)(kai)启，无损(sun)耗。

2、在时间(jian)段 t2 开(kai)始时， VGS 电(dian)(dian)(dian)压(ya)超出(chu)栅 - 源(yuan)阈值电(dian)(dian)(dian)压(ya)（VGS(TH)）。电(dian)(dian)(dian)流(liu)开(kai)始从漏极(ji)流(liu)向(xiang)源(yuan)极(ji)，同时 Ciss继(ji)续充电(dian)(dian)(dian)。该(gai)电(dian)(dian)(dian)流(liu)将线(xian)性上(shang)升，直到 Ids 等(deng)(deng)于电(dian)(dian)(dian)感电(dian)(dian)(dian)流(liu) IL 为(wei)止(zhi)。由于 MOSFET 上(shang)存在等(deng)(deng)于 VIN 的(de)电(dian)(dian)(dian)压(ya)降，并且电(dian)(dian)(dian)流(liu)Ids 流(liu)过器件，所以(yi)此期间(jian)存在显著(zhu)的(de)开(kai)关损耗。==>VGS大(da)于阈值，MOSFET开(kai)闸，损耗递(di)增，顶(ding)点为(wei)输出(chu)电(dian)(dian)(dian)流(liu)正好(hao)满足负载(zai)需求处。

3、在(zai)(zai)时(shi)(shi)间段(duan) t3 期间， Ids 电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流保持恒(heng)定， Vds 电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压开始下(xia)(xia)降(jiang)。虽然漏 - 源电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压在(zai)(zai)下(xia)(xia)降(jiang)，但几(ji)乎(hu)所有的(de)(de)栅(zha)极(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流都于对(dui) CGD 进(jin)行(xing)充电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)。由于几(ji)乎(hu)没有栅(zha)极(ji)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流用于对(dui) CGS充电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)，所以栅(zha) - 源电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压在(zai)(zai)一(yi)个称为“开关(guan)点”电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压（VSP）的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压下(xia)(xia)保持相对(dui)平(ping)坦(tan)。该(gai)区域通(tong)常称为米勒平(ping)坦(tan)区（Miller Plateau）。在(zai)(zai)此时(shi)(shi)间段(duan)期间，类似于 t2，也存在(zai)(zai)漏 - 源电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)压降(jiang)，并(bing)且(qie)有显(xian)著电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流流过器件。因此，t3 是开关(guan)周期会(hui)产生损(sun)耗的(de)(de)一(yi)个时(shi)(shi)间段(duan)。==>VGS电(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)平(ping)进(jin)入僵持阶段(duan)，MOSFET通(tong)道(dao)的(de)(de)深度加强，VDS压差下(xia)(xia)降(jiang)，损(sun)耗递减，为转折点。

4、在超出(chu)时(shi)间段(duan) t3 时(shi)，MOSFET 通(tong)道(dao)增强，最(zui)高至(zhi) VGS达到其(qi)最(zui)大值的电(dian)压点。开(kai)关(guan)(guan)损(sun)耗(hao)(hao)已(yi)经(jing)停止，传导损(sun)耗(hao)(hao)开(kai)始出(chu)现，直(zhi)到上(shang)桥臂 MOSFET 关(guan)(guan)闭为(wei)止。关(guan)(guan)闭事(shi)件(jian)的情形是(shi)非常类似的，以(yi)开(kai)启事(shi)件(jian)的相反形式发生(sheng)。===>VGS电(dian)平突破僵(jiang)持继续上(shang)升，MOSFET的通(tong)道(dao)继续增强，开(kai)关(guan)(guan)损(sun)耗(hao)(hao)退出(chu)舞(wu)台，传导损(sun)耗(hao)(hao)登场(chang)。

MOSFET的关(guan)闭(bi)过(guo)程(cheng)的损(sun)(sun)耗与上(shang)述(shu)描述(shu)类(lei)似，步骤相反而已，所以开关(guan)损(sun)(sun)耗包(bao)括开启(qi)和关(guan)闭(bi)两部分，经提炼计算(suan)公式如下。

同步Buck还(hai)有(you)(you)一个下臂(bei)MOSFET，但(dan)是(shi)它是(shi)接近零电压(ya)开启的也就(jiu)是(shi)没有(you)(you)像上(shang)管那样会有(you)(you)巨大的Vds压(ya)差(cha)，所以下臂(bei)MOSFET的开关损耗是(shi)不被讨论(lun)。

（二）、传导损耗的计算

1）、MOSFET的传导(dao)损(sun)耗，上下臂(bei)MOSFET的表述一(yi)致只(zhi)是所占时间段不一(yi)样，用占空比区分。

上臂MOSFET的传导损(sun)耗:

下臂MOSFET的传导损耗（只针对同步Buck）:

2）、续流二极(ji)管的传导损耗(只(zhi)针对非同步Buck)

VFD为续流二极(ji)管(guan)的正向(xiang)导(dao)通压(ya)降。

3）、电感(gan)损耗

请注(zhu)意，该功(gong)率损耗并不(bu)取(qu)决于占(zhan)空比，因为电感总是进行传导(dao)。

（三）、其它损耗的分析

MOSFET除了(le)开关和传导损(sun)(sun)之外，还有少(shao)量(liang)损(sun)(sun)耗由于(yu)其它因素引起的，因为所(suo)占比(bi)重较低，所(suo)以在非精确计算时一般被忽(hu)略。

1）、对栅极寄生(sheng)电容充电引起(qi)的损耗(hao)，上下臂MOSFET的计(ji)算方式一致，公式如(ru)下：

2）、同(tong)步Buck的下(xia)臂MOSFET的体二极管的反(fan)向恢复损耗：

3）、每个开关(guan)周期对(dui)上(shang)下臂MOSFET的(de)输(shu)出电容Coss（Cgd+Cds)进行充电引(yin)起的(de)损耗：

4）、当同(tong)步降压转换器中的(de)两个开(kai)关均关闭(bi)时，下桥臂(bei) MOSFET 的(de)体(ti)二极(ji)(ji)管将开(kai)启(qi)。在此期(qi)间（称为死区(qu)（Dead Time，DT）），体(ti)二极(ji)(ji)管中将出现传导损耗。这些损耗可以描述(shu)为：

请注(zhu)意，该(gai)公式中(zhong)的(de) DT 包含上升沿和下降沿之和。

5）、芯片本身损耗

三、黑盒和白盒的协同

白盒和黑盒两(liang)种计(ji)算方(fang)式(shi)各有千(qian)秋，黑盒方(fang)式(shi)虽(sui)简单粗(cu)暴但(dan)是有效，白盒方(fang)式(shi)虽(sui)精(jing)打细算但(dan)是很多参数(shu)无(wu)法精(jing)确(que)获得(de)。譬如 RDS(ON) 取决于器件(jian)的(de)(de)结温(wen)，而损耗会使(shi)结温(wen)升高(gao)，为了得(de)到精(jing)确(que)的(de)(de)结果，需要进行迭代(dai)计(ji)算，这些迭代(dai)必须执行到器件(jian)的(de)(de)结温(wen)稳定（通常(chang)到 < 1%）为止，这无(wu)疑增加了计(ji)算的(de)(de)复杂(za)性和难度。

在(zai)工(gong)程应用(yong)(yong)中，我们需要(yao)避免(mian)复(fu)杂的计(ji)算公式(shi)，所以(yi)比较(jiao)简(jian)便实用(yong)(yong)的方式(shi)是(shi)先用(yong)(yong)黑盒(he)的方式(shi)计(ji)算得(de)到电(dian)源的整体耗(hao)(hao)散功(gong)率，然后(hou)使(shi)用(yong)(yong)白盒(he)方式(shi)计(ji)算外围(wei)关键器(qi)件的耗(hao)(hao)散功(gong)率，两者相减就(jiu)是(shi)在(zai)芯片上耗(hao)(hao)散的功(gong)率，然后(hou)再根据热电(dian)阻等参数进(jin)行热耗(hao)(hao)分析(xi)。开关电(dian)源的关键外围(wei)器(qi)件一般就(jiu)是(shi)电(dian)感、续(xu)流二极管或MOSFET，所以(yi)计(ji)算比较(jiao)简(jian)单。

四、热耗分析

耗散功率的计算最(zui)后需(xu)要换算为(wei)热耗才会有(you)实际意(yi)义，这是(shi)是(shi)否需(xu)要额外增加散热措施的参(can)考依(yi)据。

耗散功率与热耗之间(jian)的(de)联(lian)系纽带是热阻(zu)，如(ru)图1.7与1.8所示。

图1.7 无散热(re)片的热(re)阻(zu)

图1.8 带散热片(pian)的热阻计算(suan)

在进(jin)行热耗(hao)分析时,根据(ju)内核(he)至环境的(de)热阻Rja及芯片(pian)(pian)的(de)耗(hao)散(san)功率Pd可(ke)估算出芯片(pian)(pian)在特定的(de)环境温度(du)(du)Ta下的(de)内核(he)温度(du)(du)Tj，以(yi)芯片(pian)(pian)的(de)内核(he)温度(du)(du)Tj是否超过了(le)极值(zhi)Tjmax作为判断芯片(pian)(pian)是否安(an)全的(de)依据(ju)。计算公式如下：

开关电源主要用途

开关电源产(chan)品(pin)广泛应(ying)用于工业自动(dong)化控(kong)制、军工设(she)(she)备(bei)、科研(yan)设(she)(she)备(bei)、LED照明、工控(kong)设(she)(she)备(bei)、通(tong)讯(xun)设(she)(she)备(bei)、电力(li)设(she)(she)备(bei)、仪器(qi)仪表、医疗设(she)(she)备(bei)、半(ban)导体制冷制热、空气净化器(qi)，电子冰箱，液晶显(xian)示器(qi)，LED灯(deng)具，通(tong)讯(xun)设(she)(she)备(bei)，视听产(chan)品(pin)，安防监控(kong)，LED灯(deng)带，电脑(nao)机箱，数码产(chan)品(pin)和仪器(qi)类(lei)等领域(yu)。

开关电源基本组成部分

开(kai)关电(dian)(dian)源大(da)致由(you)主电(dian)(dian)路(lu)、制(zhi)电(dian)(dian)路(lu)、检测电(dian)(dian)路(lu)、辅助电(dian)(dian)源四大(da)部份组成(cheng)。

1、主电路

冲(chong)击电(dian)流(liu)限(xian)幅：限(xian)制接通(tong)电(dian)源瞬(shun)间输入侧(ce)的(de)冲(chong)击电(dian)流(liu)。

输入滤波(bo)器：其作(zuo)用是(shi)过滤电(dian)网(wang)存(cun)在的(de)杂波(bo)及阻碍本机产生的(de)杂波(bo)反馈(kui)回电(dian)网(wang)。

整(zheng)(zheng)流与滤波：将电网交流电源(yuan)直接整(zheng)(zheng)流为较平(ping)滑(hua)的直流电。

逆变：将整流后(hou)的直流电(dian)(dian)(dian)变为高(gao)频交流电(dian)(dian)(dian)，这是高(gao)频开关电(dian)(dian)(dian)源(yuan)的核心部分。

输出整(zheng)流与滤波：根据(ju)负载需要，提供稳定可靠的直流电源。

2、控(kong)制电(dian)路

一方面从输出端(duan)取样，与(yu)设定值进行比(bi)较，然后去控制逆变器，改(gai)变其脉宽或脉频，使输出稳定，另一方面，根据(ju)测试电(dian)路提供的数据(ju)，经保(bao)护(hu)电(dian)路鉴别，提供控制电(dian)路对(dui)电(dian)源进行各种保(bao)护(hu)措施。

3、检测电路

提供保护(hu)电(dian)路中(zhong)正在(zai)运行中(zhong)各种(zhong)参数(shu)和各种(zhong)仪表数(shu)据。

4、辅助电源

实现(xian)电(dian)源的软(ruan)件（远程）启动，为(wei)保护电(dian)路和控制电(dian)路（PWM等芯片(pian)）工作供电(dian)。

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