800V高压MOS管 10N80 10A/800V原厂供(gong)货-货源稳(wen)定 免费送样(yang)-KIA MOS管
信息来(lai)源：本站 日期：2019-01-09
KIA半导体(ti)将推荐一(yi)款800V的(de)高(gao)压MOS管给大家，下文将会有它的(de)具(ju)体(ti)参数、封(feng)装等详细资料。
KIA半导体(ti)也(ye)一(yi)直执(zhi)行全(quan)面质(zhi)(zhi)量管(guan)理体(ti)系(xi)，是(shi)将所有(you)产(chan)品质(zhi)(zhi)量从(cong)芯片设计开始，一(yi)直贯彻到客户使用的全(quan)过程质(zhi)(zhi)量跟(gen)踪和监控(kong)。我们确定在(zai)这一(yi)质(zhi)(zhi)量控(kong)制体(ti)系(xi)下生(sheng)产(chan)的产(chan)品，在(zai)相关环节的质(zhi)(zhi)量状态和信(xin)息都是(shi)有(you)效控(kong)制，确保提供给客户的产(chan)品是(shi)安全(quan)可靠的。
这(zhei)个功(gong)率(lv)MOSFET是用起(qi)亚公司先(xian)进(jin)(jin)的(de)平面条纹数字多用表（DMOS）技术生产的(de)先(xian)进(jin)(jin)的(de)特(te)别为最小化通态电(dian)阻，提供优良的(de)切换性能，并能承受雪崩和(he)整流模式下的(de)高能脉冲。这(zhei)些(xie)器件适(shi)用于高效率(lv)开(kai)关电(dian)源，有源功(gong)率(lv)因数校正，基于半桥拓扑。
RDS（on）=0.85ω@VGS=10V
低栅电荷（典型的63nC）
高(gao)韧性
快速交换(huan)能(neng)力
指(zhi)定的雪崩(beng)能量
改进的dv/dt能力
ESD改善能力(li)
型(xing)号(hao)：KIA10N80H
工作方式：10A/800V
漏(lou)源(yuan)极电压：800V
栅源电(dian)压：±25V
漏电(dian)流脉冲:40A
二极(ji)管峰值恢复(fu):4.5v/ns
查看(kan)详(xiang)情，请点击下图有PDF详(xiang)细资料。
联(lian)系方式：邹先生
联(lian)系电话：0755-83888366-8022
手(shou)机(ji)：18123972950
QQ：2880195519
联系(xi)地址：深圳市(shi)福田(tian)区车公(gong)庙天安数码城(cheng)天吉大厦CD座(zuo)5C1
请搜微信公众号(hao):“KIA半导体”或扫一扫下图(tu)“关注”官(guan)方(fang)微信公众号(hao)
请“关注(zhu)”官方(fang)微(wei)信(xin)公(gong)众号:提供 MOS管 技术帮助
