一(yi)种利用开关电源详细(xi)讲解
信息(xi)来(lai)源(yuan)：本站 日期：2017-04-19
MOS场效应管也被称为MOSFET，即Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor(金属氧化物半导体场效应管)的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压(或称场电压)控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。
对于场效应管，在栅极没有电压时，有前面的分析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处于截止状态。当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上时，由于电场的作用，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中，从而形成电流，使源极和漏极之间导通。我们也可以想象为两个N型半导体之间为一条沟，栅极电压的建立相当于为他们之间搭了一座桥梁，该桥梁的大小由栅压决定。下面简述一下用C—MOS场效应管(增强型MOS场效应管)组成的应用电路的工作过程。电路将一个增强型P沟道MOS场校官和一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起使用。当输入端为底电平时，P沟道MOS场效应管导通，输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时，N沟道MOS场(chang)效应(ying)管(guan)导通(tong)(tong)(tong)，输出(chu)端与电(dian)(dian)源(yuan)(yuan)地接通(tong)(tong)(tong)。在(zai)该电(dian)(dian)路中，P沟(gou)道MOS场(chang)效应(ying)管(guan)和N沟(gou)道场(chang)效应(ying)管(guan)总(zong)是在(zai)相反的状态下(xia)工(gong)作，其(qi)相位输入端和输出(chu)端相反。通(tong)(tong)(tong)过这种工(gong)作方(fang)式我们(men)可以获(huo)得较大的电(dian)(dian)流输出(chu)。同(tong)时(shi)由于(yu)漏电(dian)(dian)流的影(ying)响，使(shi)得栅压(ya)在(zai)还没有(you)(you)到(dao)0V，通(tong)(tong)(tong)常(chang)在(zai)栅极(ji)电(dian)(dian)压(ya)小(xiao)于(yu)1V到(dao)2V时(shi)，MOS场(chang)效应(ying)管(guan)即被关断。不同(tong)场(chang)效应(ying)管(guan)关断电(dian)(dian)压(ya)略有(you)(you)不同(tong)。也以为(wei)如此，使(shi)得该电(dian)(dian)路不会因为(wei)两管(guan)同(tong)时(shi)导通(tong)(tong)(tong)而造成电(dian)(dian)源(yuan)(yuan)短路。
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