电子元(yuan)件(jian)概述-各种电子元(yuan)件(jian)基(ji)础(chu)知(zhi)识、检验要求(qiu)与方法详解-KIA MOS管
信息来(lai)源(yuan)：本站 日期：2018-12-29
电(dian)(dian)(dian)子元(yuan)(yuan)件(jian)(jian)（electronic component），是(shi)电(dian)(dian)(dian)子电(dian)(dian)(dian)路中的(de)(de)基本元(yuan)(yuan)素，通常是(shi)个(ge)别(bie)封装(zhuang)，并具(ju)有(you)两个(ge)或(huo)以上(shang)的(de)(de)引线(xian)或(huo)金属接(jie)点。电(dian)(dian)(dian)子元(yuan)(yuan)件(jian)(jian)须(xu)相(xiang)互连接(jie)以构成一个(ge)具(ju)有(you)特定功能的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)子电(dian)(dian)(dian)路，例(li)如(ru)：放(fang)大(da)器(qi)(qi)、无(wu)线(xian)电(dian)(dian)(dian)接(jie)收机、振(zhen)荡器(qi)(qi)等(deng)，连接(jie)电(dian)(dian)(dian)子元(yuan)(yuan)件(jian)(jian)常见的(de)(de)方(fang)(fang)式之(zhi)一是(shi)焊接(jie)到印刷电(dian)(dian)(dian)路板上(shang)。电(dian)(dian)(dian)子元(yuan)(yuan)件(jian)(jian)也(ye)许是(shi)单独的(de)(de)封装(zhuang)（电(dian)(dian)(dian)阻器(qi)(qi)、电(dian)(dian)(dian)容器(qi)(qi)、电(dian)(dian)(dian)感(gan)器(qi)(qi)、晶体(ti)管(guan)、二极管(guan)等(deng)），或(huo)是(shi)各(ge)种不同复杂(za)度的(de)(de)群组(zu)，例(li)如(ru)：集(ji)成电(dian)(dian)(dian)路（运算放(fang)大(da)器(qi)(qi)、排阻、逻辑门等(deng)）。本文主要是(shi)讲(jiang)各(ge)种电(dian)(dian)(dian)子元(yuan)(yuan)件(jian)(jian)检验要求与(yu)方(fang)(fang)法大(da)全，希(xi)望能对大(da)家有(you)帮助。
1、直标(biao)法：用数字和单位符号在电阻(zu)器(qi)表面标(biao)出阻(zu)值，其允许误差(cha)直接用百(bai)分数表示，若电阻(zu)上未注(zhu)偏(pian)差(cha)，则(ze)均为±20%。
2、文字(zi)(zi)(zi)符(fu)(fu)号(hao)法：用阿拉伯(bo)数(shu)字(zi)(zi)(zi)和(he)文字(zi)(zi)(zi)符(fu)(fu)号(hao)两者(zhe)有规律的(de)(de)组合来表(biao)示(shi)(shi)标称阻(zu)(zu)值(zhi)，其允(yun)许(xu)(xu)偏差也用文字(zi)(zi)(zi)符(fu)(fu)号(hao)表(biao)示(shi)(shi)。符(fu)(fu)号(hao)前面(mian)的(de)(de)数(shu)字(zi)(zi)(zi)表(biao)示(shi)(shi)整(zheng)数(shu)阻(zu)(zu)值(zhi)，后面(mian)的(de)(de)数(shu)字(zi)(zi)(zi)依次表(biao)示(shi)(shi)第(di)一位小数(shu)阻(zu)(zu)值(zhi)和(he)第(di)二(er)位小数(shu)阻(zu)(zu)值(zhi)。表(biao)示(shi)(shi)允(yun)许(xu)(xu)误差的(de)(de)文字(zi)(zi)(zi)符(fu)(fu)号(hao)文字(zi)(zi)(zi)符(fu)(fu)号(hao)：DFGJKM允(yun)许(xu)(xu)偏差分别为：±0.5%±1%±2%±5%±10%±20%
3、数(shu)(shu)(shu)码(ma)法(fa)(fa)：在(zai)电阻器上(shang)用三位(wei)数(shu)(shu)(shu)码(ma)表示标(biao)称值的(de)标(biao)志方法(fa)(fa)。数(shu)(shu)(shu)码(ma)从左到右，第一、二位(wei)为(wei)有效值，第三位(wei)为(wei)指数(shu)(shu)(shu)，即零的(de)个数(shu)(shu)(shu)，单(dan)位(wei)为(wei)欧。偏(pian)差通常采用文字符号表示。
4、色(se)标法：用不(bu)同颜(yan)色(se)的(de)带或点在电阻器表面标出标称阻值和允(yun)许偏差。国(guo)外电阻大部分采(cai)用色(se)标法。
黑-0、棕-1、红-2、橙(cheng)-3、黄-4、绿-5、蓝(lan)-6、紫-7、灰-8、白-9、金-±5%、银-±10%、无色(se)-±20%
当电(dian)阻为(wei)四环时，最后(hou)一环必为(wei)金色或银色，前(qian)两位(wei)(wei)为(wei)有效数字，第(di)三位(wei)(wei)为(wei)乘方数，第(di)四位(wei)(wei)为(wei)偏(pian)差(cha)。
当电阻为(wei)五(wu)环(huan)(huan)时，最(zui)後一环(huan)(huan)与(yu)前面(mian)四环(huan)(huan)距离较(jiao)大(da)。前三位为(wei)有效数(shu)字，第(di)四位为(wei)乘方(fang)数(shu)，第(di)五(wu)位为(wei)偏差。
在(zai)通常的(de)贴(tie)片电阻电阻表面都(dou)标识数字(zi)，或用字(zi)母(mu)来表示(shi)，阻值数法如(ru)下。
1．第一、二位数代表(biao)的(de)是电阻的(de)实数。
2．第三位开始的数字如是0就代(dai)表几十(shi)欧（10~99欧之间）列：100就为10欧的电阻、990为99欧的电阻
3．第三位(wei)开(kai)始的数字如是1就(jiu)代表几百欧（100~999欧之间）例(li)：101为100欧、151为150欧、951为950欧
4．第三位(wei)开(kai)始的数字如是2就代表几千欧（1000~9999欧之间）例：102为1K、152为1.5K、992为9.9K
5．第三位开(kai)始的(de)数字如是3就代表几十K（10K~99K之间(jian)）例：103为(wei)10K、223为(wei)22K、993为(wei)99K
6．第三位开始的数字如是(shi)4就代表几百K（100K~999K之间）例：104为100K、204为200K、854为850K
7．第(di)三位开始的数字如是5就代表几M（1M~9.9之间(jian)）例：105为(wei)1M、155为(wei)1.5M\955为(wei)9.5M
8．第三位开始的数字如(ru)是6就代表(biao)十M（100K~999K之间(jian)）例：106为(wei)10M\566为(wei)56M
9．对于四个数字的标法就是(shi)前三位为(wei)实数,第(di)四位为(wei)倍数.1001为(wei)1K、1002为(wei)10K、1005为(wei)10M。
电(dian)(dian)(dian)(dian)容：是(shi)表(biao)征电(dian)(dian)(dian)(dian)容器(qi)容纳电(dian)(dian)(dian)(dian)荷的(de)(de)本领的(de)(de)物理量。我们把电(dian)(dian)(dian)(dian)容器(qi)的(de)(de)两极(ji)板间的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)势差增(zeng)加1伏所(suo)需的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)量，叫做电(dian)(dian)(dian)(dian)容器(qi)的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)容。电(dian)(dian)(dian)(dian)容的(de)(de)符号是(shi)C。电(dian)(dian)(dian)(dian)容是(shi)电(dian)(dian)(dian)(dian)子设备中大量使用的(de)(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)子元件之一，广(guang)泛应用于隔(ge)直，耦合，旁路(lu)(lu)，滤波，调(diao)谐回路(lu)(lu)，能量转(zhuan)换(huan)，控制电(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)等方(fang)面。用C表(biao)示电(dian)(dian)(dian)(dian)容，电(dian)(dian)(dian)(dian)容单位有(you)法(fa)(fa)拉(la)（F）、微法(fa)(fa)拉(la)（uF）、皮法(fa)(fa)拉(la)（pF）,1F=10*6uF=10*12pF
1法(fa)拉（F）=1000000微法(fa)（μF）1微法(fa)（μF）=1000纳法(fa)（nF）=1000000皮法(fa)（pF）
国产电容(rong)器(qi)的型号一般(ban)由(you)四部分(fen)组成(cheng)（不适用于(yu)压敏、可变、真空电容(rong)器(qi)）。依次分(fen)别(bie)代表名称、材料、分(fen)类和序号。
用万用表(biao)测(ce)量就可以(yi)了，先把电(dian)(dian)(dian)(dian)解电(dian)(dian)(dian)(dian)容放电(dian)(dian)(dian)(dian)，然后将表(biao)笔接到两端，摆动大的那次就对(dui)了，但要注(zhu)意：指针表(biao)的正(zheng)极对(dui)的是电(dian)(dian)(dian)(dian)容的负极，数字表(biao)相反，而(er)且(qie)，两次测(ce)量之间，电(dian)(dian)(dian)(dian)容必须放电(dian)(dian)(dian)(dian)。（2）用引脚(jiao)(jiao)(jiao)长短(duan)(duan)来(lai)区别正(zheng)负极长脚(jiao)(jiao)(jiao)为正(zheng)，短(duan)(duan)脚(jiao)(jiao)(jiao)为负；电(dian)(dian)(dian)(dian)容上(shang)(shang)面(mian)有标志的黑块为负极。在PCB上(shang)(shang)电(dian)(dian)(dian)(dian)容位置上(shang)(shang)有两个半(ban)(ban)圆，涂颜色的半(ban)(ban)圆对(dui)应(ying)的引脚(jiao)(jiao)(jiao)为负极。
按照(zhao)其极性分(fen)为二(er)大(da)类(lei)：有极性电(dian)容器（如电(dian)解电(dian)容）和无极性电(dian)容器。
按(an)照结构分三大类：固定(ding)电(dian)容(rong)(rong)器、可变电(dian)容(rong)(rong)器和(he)微调电(dian)容(rong)(rong)器。
按(an)电(dian)解(jie)质(zhi)(zhi)分类有：有机(ji)介(jie)质(zhi)(zhi)电(dian)容(rong)(rong)器(qi)、无机(ji)介(jie)质(zhi)(zhi)电(dian)容(rong)(rong)器(qi)、电(dian)解(jie)电(dian)容(rong)(rong)器(qi)和空气介(jie)质(zhi)(zhi)电(dian)容(rong)(rong)器(qi)等。
按用途分有：高频(pin)(pin)旁(pang)路、低频(pin)(pin)旁(pang)路、滤(lv)波(bo)、调谐、高频(pin)(pin)耦(ou)(ou)合、低频(pin)(pin)耦(ou)(ou)合、小型电容器。
1、直(zhi)标法(fa)：用(yong)数字和单位符号直(zhi)接标出。如01uF表(biao)示(shi)0.01微法(fa)，有些电容(rong)用(yong)“R”表(biao)示(shi)小(xiao)数点，如R56表(biao)示(shi)0.56微法(fa)。
2、文(wen)字(zi)符号法：用数字(zi)和文(wen)字(zi)符号有(you)规律的组(zu)合来(lai)表示(shi)(shi)容量。如(ru)p10表示(shi)(shi)0.1pF,1p0表示(shi)(shi)1pF,6P8表示(shi)(shi)6.8pF,2u2表示(shi)(shi)2.2uF.
3、色(se)标法(fa)：用(yong)色(se)环或色(se)点表示电容器(qi)的(de)主要参数。电容器(qi)的(de)色(se)标法(fa)与电阻相同(tong)。
电容器(qi)偏(pian)差标志符号
+100%-0--H、+100%-10%--R、+50%-10%--T、+30%-10%--Q、+50%-20%--S、+80%-20%--Z。
铝电(dian)(dian)解(jie)电(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)器(qi)(qi)(qi)、钽电(dian)(dian)解(jie)电(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)器(qi)(qi)(qi)、薄膜电(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)器(qi)(qi)(qi)、瓷介电(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)器(qi)(qi)(qi)、独石电(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)器(qi)(qi)(qi)、纸质(zhi)电(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)器(qi)(qi)(qi)、微调电(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)器(qi)(qi)(qi)、陶瓷电(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)器(qi)(qi)(qi)、玻璃釉(you)电(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)器(qi)(qi)(qi)、云母和聚苯乙烯介质(zhi)电(dian)(dian)容(rong)(rong)(rong)器(qi)(qi)(qi)。
电(dian)(dian)感(gan)(gan)器：电(dian)(dian)感(gan)(gan)线圈(quan)是(shi)由导线一圈(quan)*一圈(quan)地绕在绝(jue)缘(yuan)管上，导线彼此互(hu)相绝(jue)缘(yuan)，而绝(jue)缘(yuan)管可以是(shi)空心的，也可以包含铁芯或磁粉芯，简称电(dian)(dian)感(gan)(gan)。在电(dian)(dian)子制作(zuo)中(zhong)虽然(ran)使用(yong)得不是(shi)很(hen)多，但它(ta)们在电(dian)(dian)路中(zhong)同(tong)样重要。电(dian)(dian)感(gan)(gan)器和电(dian)(dian)容器一样，也是(shi)一种(zhong)储能(neng)(neng)元件(jian)，它(ta)能(neng)(neng)把电(dian)(dian)能(neng)(neng)转变为磁场(chang)能(neng)(neng)，并(bing)在磁场(chang)中(zhong)储存能(neng)(neng)量。电(dian)(dian)感(gan)(gan)器用(yong)符号L表示，它(ta)的基本单(dan)位(wei)是(shi)亨(heng)利（H），常用(yong)毫亨(heng)（mH）为单(dan)位(wei)。
按电感形式(shi)分类：固定电感、可变电感。
按绕线(xian)(xian)结构(gou)分类：单(dan)层线(xian)(xian)圈、多层线(xian)(xian)圈、蜂(feng)房式线(xian)(xian)圈。
按导(dao)磁体性质(zhi)分类(lei)：空芯线(xian)圈、铁氧(yang)体线(xian)圈、铁芯线(xian)圈、铜芯线(xian)圈。
按(an)工作性(xing)质分类：天线(xian)(xian)线(xian)(xian)圈(quan)(quan)、振荡线(xian)(xian)圈(quan)(quan)、扼流线(xian)(xian)圈(quan)(quan)、陷波线(xian)(xian)圈(quan)(quan)、偏(pian)转线(xian)(xian)圈(quan)(quan)。
电(dian)(dian)感(gan)器作用特(te)(te)性(xing)(xing)(xing)：它(ta)经常(chang)和(he)电(dian)(dian)容(rong)器一(yi)起工(gong)作，构成(cheng)LC滤波器、LC振(zhen)荡器等。另外(wai)，人们还利(li)用电(dian)(dian)感(gan)的(de)特(te)(te)性(xing)(xing)(xing)，制造了(le)阻流(liu)圈(quan)、变压(ya)器、继电(dian)(dian)器等；电(dian)(dian)感(gan)器的(de)特(te)(te)性(xing)(xing)(xing)恰恰与(yu)电(dian)(dian)容(rong)的(de)特(te)(te)性(xing)(xing)(xing)相(xiang)反(fan)，它(ta)具有(you)阻止交流(liu)电(dian)(dian)通过(guo)(guo)而让直流(liu)电(dian)(dian)通过(guo)(guo)的(de)特(te)(te)性(xing)(xing)(xing)。
收音机上(shang)(shang)(shang)就有(you)不少电(dian)感线(xian)(xian)圈，几乎都是用(yong)漆包线(xian)(xian)绕(rao)(rao)成的(de)空(kong)心线(xian)(xian)圈或(huo)在骨架磁(ci)芯、铁(tie)芯上(shang)(shang)(shang)绕(rao)(rao)制(zhi)而成的(de)。有(you)天线(xian)(xian)线(xian)(xian)圈（它是用(yong)漆包线(xian)(xian)在磁(ci)棒(bang)上(shang)(shang)(shang)绕(rao)(rao)制(zhi)而成的(de)）、中(zhong)频变压器（俗称中(zhong)周）、输入(ru)输出变压器等等。
常用电感(gan)器(qi)：单层线(xian)圈(quan)、蜂房式线(xian)圈(quan)、铁氧体磁芯(xin)(xin)和铁粉芯(xin)(xin)线(xian)圈(quan)、铜芯(xin)(xin)线(xian)圈(quan)、色码电感(gan)器(qi)、阻流(liu)圈(quan)（扼流(liu)圈(quan)）、偏(pian)转(zhuan)线(xian)圈(quan)。
是由铁芯和绕(rao)(rao)在(zai)绝(jue)缘(yuan)(yuan)骨(gu)(gu)架(jia)上(shang)的(de)(de)铜(tong)线(xian)圈(quan)(quan)线(xian)构成(cheng)的(de)(de)。绝(jue)缘(yuan)(yuan)铜(tong)线(xian)绕(rao)(rao)在(zai)塑(su)料骨(gu)(gu)架(jia)上(shang)，每个骨(gu)(gu)架(jia)需绕(rao)(rao)制输(shu)入(ru)和输(shu)出两组线(xian)圈(quan)(quan)。线(xian)圈(quan)(quan)中(zhong)间用绝(jue)缘(yuan)(yuan)纸(zhi)隔离。绕(rao)(rao)好后(hou)将许多铁芯薄片插在(zai)塑(su)料骨(gu)(gu)架(jia)的(de)(de)中(zhong)间。这样就(jiu)能够使线(xian)圈(quan)(quan)的(de)(de)电感(gan)量显著增(zeng)大(da)。变(bian)(bian)压(ya)器(qi)利(li)用电磁感(gan)应原理(li)从它的(de)(de)一个绕(rao)(rao)组向另儿(er)个绕(rao)(rao)组传输(shu)电能量。变(bian)(bian)压(ya)器(qi)在(zai)电路中(zhong)具有重要(yao)的(de)(de)功(gong)能：耦合交流信(xin)号而(er)阻隔直流信(xin)号，并可以改变(bian)(bian)输(shu)入(ru)输(shu)出的(de)(de)电压(ya)比(bi)；利(li)用变(bian)(bian)压(ya)器(qi)使电路两端(duan)的(de)(de)阻抗得到良好匹配，以获得最大(da)限度的(de)(de)传送信(xin)号功(gong)率。
就是(shi)电(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)机(ji)械开(kai)(kai)关，它是(shi)用漆包铜线在一个(ge)(ge)(ge)圆铁(tie)(tie)芯(xin)(xin)(xin)上绕几(ji)百(bai)圈(quan)至几(ji)千(qian)圈(quan)，当(dang)线圈(quan)中流(liu)(liu)过电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)时，圆铁(tie)(tie)芯(xin)(xin)(xin)产生(sheng)了(le)磁场，把圆铁(tie)(tie)芯(xin)(xin)(xin)上边(bian)的(de)带有接(jie)(jie)触(chu)(chu)(chu)片的(de)铁(tie)(tie)板吸(xi)住，使(shi)之断开(kai)(kai)第一个(ge)(ge)(ge)触(chu)(chu)(chu)点而(er)接(jie)(jie)通(tong)第二(er)个(ge)(ge)(ge)开(kai)(kai)关触(chu)(chu)(chu)点。当(dang)线圈(quan)断电(dian)(dian)(dian)(dian)时，铁(tie)(tie)芯(xin)(xin)(xin)失去磁性，由于接(jie)(jie)触(chu)(chu)(chu)铜片的(de)弹性作(zuo)用，使(shi)铁(tie)(tie)板离开(kai)(kai)铁(tie)(tie)芯(xin)(xin)(xin)，恢复(fu)与第一个(ge)(ge)(ge)触(chu)(chu)(chu)点的(de)接(jie)(jie)通(tong)。因此，可以(yi)用很小的(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)去控制其他电(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)的(de)开(kai)(kai)关。整个(ge)(ge)(ge)继电(dian)(dian)(dian)(dian)器由塑(su)料或(huo)有机(ji)玻璃(li)防(fang)尘罩保护着，有的(de)还是(shi)全密(mi)封的(de)，以(yi)防(fang)触(chu)(chu)(chu)电(dian)(dian)(dian)(dian)氧(yang)化。
是一(yi)种具(ju)有特殊(shu)性质(zhi)的物质(zhi)，它(ta)不像(xiang)导体一(yi)样能够完全导电，又不像(xiang)绝缘体那(nei)样不能导电，它(ta)介于两者(zhe)之间，所以称(cheng)为半导体。半导体最重要的两种元素是硅（读“gui”）和锗(zhe)（读“zhe”）。
半导(dao)体主要分为二(er)极管(guan)、三极管(guan)、可控硅、集成(cheng)电(dian)路(lu)。
用于(yu)(yu)稳(wen)压的稳(wen)压二(er)(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)，用于(yu)(yu)数字电路的开关二(er)(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)，用于(yu)(yu)调(diao)谐的变容二(er)(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)，以及(ji)光电二(er)(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)等，最常看见的是发(fa)光二(er)(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)、整流(liu)二(er)(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)……二(er)(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)在电路中用“D”表(biao)(biao)示(shi)(shi)(shi)；发(fa)光二(er)(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)用“LED”表(biao)(biao)示(shi)(shi)(shi)；稳(wen)压二(er)(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)用“Z”表(biao)(biao)示(shi)(shi)(shi)。
（1）普通二(er)(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)：一般把极(ji)(ji)性标(biao)示在二(er)(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)的(de)外壳上(shang)。大(da)(da)多(duo)数(shu)用(yong)一个不同颜色(se)的(de)环来(lai)表(biao)示负(fu)极(ji)(ji)，有的(de)直接标(biao)上(shang)“-”号(hao)。（2）发(fa)光(guang)(guang)二(er)(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)的(de)极(ji)(ji)性判(pan)别(bie)可以(yi)从(cong)管(guan)(guan)脚(jiao)和管(guan)(guan)子内部(bu)结构来(lai)判(pan)别(bie)，如果管(guan)(guan)脚(jiao)不是(shi)(shi)被剪(jian)过的(de)，目前普遍(bian)认为(wei)发(fa)光(guang)(guang)二(er)(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)的(de)长管(guan)(guan)脚(jiao)是(shi)(shi)正极(ji)(ji)，短管(guan)(guan)脚(jiao)是(shi)(shi)负(fu)极(ji)(ji)，和立式电解电容的(de)极(ji)(ji)性辨别(bie)是(shi)(shi)一致的(de)。从(cong)管(guan)(guan)芯(xin)内部(bu)结构来(lai)看，管(guan)(guan)芯(xin)是(shi)(shi)由大(da)(da)小瓣两部(bu)分组成，大(da)(da)瓣上(shang)有一圆锥坑以(yi)便聚(ju)光(guang)(guang)提高亮度，中间通过一细金属线将(jiang)两瓣连(lian)在一起，与管(guan)(guan)芯(xin)小瓣部(bu)分相(xiang)接的(de)是(shi)(shi)长脚(jiao)正极(ji)(ji)，与管(guan)(guan)芯(xin)大(da)(da)瓣部(bu)分相(xiang)接是(shi)(shi)短脚(jiao)负(fu)极(ji)(ji)。（3）万用(yong)表(biao)欧(ou)姆档来(lai)判(pan)断,当正向(xiang)导通时电阻(zu)值(zhi)小，用(yong)黑表(biao)笔连(lian)接的(de)就(jiu)是(shi)(shi)二(er)(er)极(ji)(ji)管(guan)(guan)的(de)正极(ji)(ji)。顺口溜(liu)叫“黑小正、红大(da)(da)负(fu)”。
二极管的极性(xing)通常在管壳上注(zhu)有标记(ji)，如(ru)无标记(ji)，可(ke)用(yong)万用(yong)表电阻档测量(liang)其正反向(xiang)电阻来判(pan)断（一般用(yong)R×100或×1K档）
（1）利用具有×10kΩ挡(dang)的(de)指针式万(wan)用表(biao)可以大致判断发光二(er)(er)极管(guan)的(de)好坏。正常(chang)时，二(er)(er)极管(guan)正向电阻(zu)阻(zu)值为几十至200kΩ,反向电阻(zu)的(de)值为∝。如果正向电阻(zu)值为0或为∞，反向电阻(zu)值很小(xiao)或为0，则易损坏。这种检测方(fang)法，不(bu)(bu)能实地(di)看到发光管(guan)的(de)发光情况，因为×10kΩ挡(dang)不(bu)(bu)能向LED提供较大正向电流(liu)。
（2）用3V稳压源(yuan)或两节(jie)串联(lian)的(de)干电(dian)池(chi)及万用表（指针式(shi)或数字式(shi)皆可(ke)(ke)）可(ke)(ke)以(yi)较准确测(ce)量(liang)发(fa)光(guang)二极管(guan)(guan)的(de)光(guang)、电(dian)特(te)性。为此可(ke)(ke)按图10所示连接电(dian)路即可(ke)(ke)。如(ru)果测(ce)得VF在1.4～3V之间(jian)，且(qie)发(fa)光(guang)亮度正(zheng)常，可(ke)(ke)以(yi)说(shuo)明(ming)发(fa)光(guang)正(zheng)常。如(ru)果测(ce)得VF=0或VF≈3V，且(qie)不发(fa)光(guang)，说(shuo)明(ming)发(fa)光(guang)管(guan)(guan)已坏。
红外(wai)(wai)发(fa)(fa)(fa)光(guang)二(er)(er)极(ji)管的(de)(de)(de)(de)检(jian)测(ce)：由(you)于红外(wai)(wai)发(fa)(fa)(fa)光(guang)二(er)(er)极(ji)管，它发(fa)(fa)(fa)射(she)1～3μm的(de)(de)(de)(de)红外(wai)(wai)光(guang)，人眼(yan)看不到。通常单只(zhi)红外(wai)(wai)发(fa)(fa)(fa)光(guang)二(er)(er)极(ji)管发(fa)(fa)(fa)射(she)功(gong)率只(zhi)有(you)数mW，不同型(xing)(xing)号(hao)的(de)(de)(de)(de)红外(wai)(wai)LED发(fa)(fa)(fa)光(guang)强度角分布也不相同。红外(wai)(wai)LED的(de)(de)(de)(de)正(zheng)向(xiang)压(ya)降一(yi)般为1.3～2.5V。正(zheng)是(shi)(shi)(shi)由(you)于其(qi)发(fa)(fa)(fa)射(she)的(de)(de)(de)(de)红外(wai)(wai)光(guang)人眼(yan)看不见，所以利用上述可见光(guang)LED的(de)(de)(de)(de)检(jian)测(ce)法只(zhi)能(neng)判定(ding)其(qi)PN结(jie)正(zheng)、反向(xiang)电(dian)(dian)学特性是(shi)(shi)(shi)否(fou)(fou)正(zheng)常，而(er)无(wu)法判定(ding)其(qi)发(fa)(fa)(fa)光(guang)情况正(zheng)常否(fou)(fou)。为此，最好准备一(yi)只(zhi)光(guang)敏器(qi)件（如2CR、2DR型(xing)(xing)硅光(guang)电(dian)(dian)池）作(zuo)接收器(qi)。用万用表测(ce)光(guang)电(dian)(dian)池两端电(dian)(dian)压(ya)的(de)(de)(de)(de)变化情况。来判断红外(wai)(wai)LED加上适当正(zheng)向(xiang)电(dian)(dian)流后是(shi)(shi)(shi)否(fou)(fou)发(fa)(fa)(fa)射(she)红外(wai)(wai)光(guang)。其(qi)测(ce)量(liang)电(dian)(dian)路如下图所示(shi)。
三极(ji)(ji)管就是由二(er)个(ge)PN结构成三个(ge)极(ji)(ji)的电(dian)子元件，基极(ji)(ji)（B）集电(dian)极(ji)(ji)（C）、发射极(ji)(ji)（E）。
三极管在电路(lu)中主(zhu)要(yao)起(qi)电流放大和开(kai)关作(zuo)用；也(ye)起(qi)隔离作(zuo)用。
中国半导体器件(jian)型号命名方(fang)法：
半导(dao)体(ti)器(qi)件型号由五部(bu)分(fen)（场效应器(qi)件、半导(dao)体(ti)特殊(shu)器(qi)件、复合管、PIN型管、激(ji)光器(qi)件的型号命名只有第三、四、五部(bu)分(fen)）组成。
第一(yi)部(bu)分：用数字表示(shi)半导体器(qi)件(jian)有效电极数目。2-二(er)极管、3-三极管
第二部分：用汉(han)语拼音字母(mu)表示(shi)半(ban)导体器件的材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)和极(ji)性(xing)。表示(shi)二极(ji)管(guan)时(shi)(shi)：A-N型(xing)(xing)(xing)锗材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)、B-P型(xing)(xing)(xing)锗材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)、C-N型(xing)(xing)(xing)硅(gui)(gui)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)、D-P型(xing)(xing)(xing)硅(gui)(gui)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)。表示(shi)三(san)极(ji)管(guan)时(shi)(shi)：A-PNP型(xing)(xing)(xing)锗材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)、B-NPN型(xing)(xing)(xing)锗材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)、C-PNP型(xing)(xing)(xing)硅(gui)(gui)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)、D-NPN型(xing)(xing)(xing)硅(gui)(gui)材(cai)(cai)(cai)料(liao)(liao)(liao)(liao)。
第三部(bu)分：用汉语拼音字母表示半导体器(qi)(qi)件(jian)的内型。P-普(pu)通管(guan)(guan)、V-微(wei)波管(guan)(guan)、W-稳(wen)压管(guan)(guan)、C-参量管(guan)(guan)、Z-整流(liu)(liu)管(guan)(guan)、L-整流(liu)(liu)堆、S-隧道管(guan)(guan)、N-阻尼(ni)管(guan)(guan)、U-光电器(qi)(qi)件(jian)、K-开关管(guan)(guan)、X-低(di)频(pin)(pin)小功(gong)率(lv)(lv)管(guan)(guan)(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频(pin)(pin)小功(gong)率(lv)(lv)管(guan)(guan)（f>3MHz,Pc<1W）、D-低(di)频(pin)(pin)大功(gong)率(lv)(lv)管(guan)(guan)（f<3MHz,Pc>1W）、A-高频(pin)(pin)大功(gong)率(lv)(lv)管(guan)(guan)（f>3MHz,Pc>1W）、T-半导体晶闸(zha)管(guan)(guan)（可控整流(liu)(liu)器(qi)(qi)）、Y-体效(xiao)应器(qi)(qi)件(jian)、B-雪崩管(guan)(guan)、J-阶跃恢复(fu)管(guan)(guan)、CS-场效(xiao)应管(guan)(guan)、BT-半导体特(te)殊器(qi)(qi)件(jian)、FH-复(fu)合(he)管(guan)(guan)、PIN-PIN型管(guan)(guan)、JG-激光器(qi)(qi)件(jian)。
第(di)四(si)部分(fen)：用(yong)数字表示序号(hao)第(di)五部分(fen)：用(yong)汉语拼音(yin)字母表示规格(ge)号(hao)
1)按(an)材料(liao)和极性分有硅/锗材料(liao)的NPN与PNP三极管(guan)。
2)按功(gong)率(lv)分(fen)有小(xiao)功(gong)率(lv)三(san)(san)极(ji)管(guan)、中功(gong)率(lv)三(san)(san)极(ji)管(guan)、大功(gong)率(lv)三(san)(san)极(ji)管(guan)。
3)按用(yong)途(tu)分有高(gao)、中频放大管(guan)(guan)(guan)、低频放大管(guan)(guan)(guan)、低噪声放大管(guan)(guan)(guan)、光电(dian)管(guan)(guan)(guan)、开关管(guan)(guan)(guan)、高(gao)反(fan)压管(guan)(guan)(guan)、达林(lin)顿管(guan)(guan)(guan)、带阻尼(ni)的(de)三极(ji)管(guan)(guan)(guan)等(deng)。
4)按工作频(pin)(pin)率分(fen)有低频(pin)(pin)三(san)(san)极(ji)(ji)管(guan)、高频(pin)(pin)三(san)(san)极(ji)(ji)管(guan)和(he)超高频(pin)(pin)三(san)(san)极(ji)(ji)管(guan)。5)按制作工艺分(fen)有平面(mian)型三(san)(san)极(ji)(ji)管(guan)、合金型三(san)(san)极(ji)(ji)管(guan)、扩散型三(san)(san)极(ji)(ji)管(guan)。
6)按外形封(feng)(feng)装(zhuang)的不同可分为金属封(feng)(feng)装(zhuang)三(san)(san)(san)极(ji)(ji)管(guan)、玻璃封(feng)(feng)装(zhuang)三(san)(san)(san)极(ji)(ji)管(guan)、陶瓷(ci)封(feng)(feng)装(zhuang)三(san)(san)(san)极(ji)(ji)管(guan)、塑料(liao)封(feng)(feng)装(zhuang)三(san)(san)(san)极(ji)(ji)管(guan)等。
插件引脚(jiao)(jiao)(jiao)图(tu)示（1），贴件引脚(jiao)(jiao)(jiao)图(tu)示（2）下图(tu)为9014。般(ban)中小功(gong)率的三极管都(dou)是遵守左(zuo)向右(you)依(yi)次为ebc（条件是中小功(gong)率塑料三极管按图(tu)使其平(ping)面朝(chao)(chao)向自己，三个引脚(jiao)(jiao)(jiao)朝(chao)(chao)下放(fang)置(zhi)，则(ze)从(cong)左(zuo)到(dao)右(you)依(yi)次为ebc）
MOS场(chang)(chang)效(xiao)应管即金属(shu)-氧化物-半导体型(xing)场(chang)(chang)效(xiao)应管，英文(wen)缩写为MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor），属(shu)于绝缘栅型(xing)。
金属氧化(hua)物(wu)半(ban)导体(ti)场效应三极(ji)管的(de)基本工作原理是靠半(ban)导体(ti)表面(mian)(mian)的(de)电(dian)场效应，在半(ban)导体(ti)中感生出导电(dian)沟道来进行工作的(de)。当(dang)栅G电(dian)压(ya)VG增大时，p型(xing)半(ban)导体(ti)表面(mian)(mian)的(de)多数(shu)载流子棗(zao)空穴逐渐(jian)减少、耗尽，而电(dian)子逐渐(jian)积累到反型(xing)。当(dang)表面(mian)(mian)达到反型(xing)时，电(dian)子积累层(ceng)将在n+源区(qu)S和n+漏区(qu)D之间形成导电(dian)沟道。
当VDS≠0时，源(yuan)(yuan)(yuan)漏(lou)电(dian)(dian)极(ji)之间(jian)有(you)较(jiao)大(da)的(de)电(dian)(dian)流IDS流过(guo)。使半导体表面达到强(qiang)反(fan)型时所需加的(de)栅源(yuan)(yuan)(yuan)电(dian)(dian)压(ya)称为阈值(zhi)电(dian)(dian)压(ya)VT。当VGS>VT并(bing)取不同数值(zhi)时，反(fan)型层(ceng)的(de)导电(dian)(dian)能力(li)将改变(bian)，在相同的(de)VDS下也将产生不同的(de)IDS,实现(xian)栅源(yuan)(yuan)(yuan)电(dian)(dian)压(ya)VGS对源(yuan)(yuan)(yuan)漏(lou)电(dian)(dian)流IDS的(de)控制。
场效应(ying)(ying)管(guan)主要有结型(xing)场效应(ying)(ying)管(guan)（JFET）和绝缘(yuan)栅型(xing)场效应(ying)(ying)管(guan)（IGFET）。绝缘(yuan)栅型(xing)场效应(ying)(ying)管(guan)的衬底（B）与源析（S）连在一(yi)起，它(ta)的三(san)个(ge)极分别(bie)为栅极（G）、漏极（D）和源极（S）。晶体管(guan)分NPN和PNP管(guan)，它(ta)的三(san)个(ge)极分别(bie)为基极（b）、集电(dian)极（c）、发(fa)射极（e）。
场(chang)效应(ying)(ying)(ying)管(guan)(guan)(guan)的(de)G、D、S极(ji)与(yu)晶体管(guan)(guan)(guan)的(de)b、c、e极(ji)有相(xiang)似(si)的(de)功(gong)能。绝缘栅(zha)型(xing)效应(ying)(ying)(ying)管(guan)(guan)(guan)和结型(xing)场(chang)效应(ying)(ying)(ying)管(guan)(guan)(guan)的(de)区别在于它们(men)的(de)导电(dian)机构和电(dian)流(liu)控制(zhi)原理(li)根(gen)本不同，结型(xing)管(guan)(guan)(guan)是利用耗尽区的(de)宽(kuan)度变化来(lai)(lai)改(gai)变导电(dian)沟(gou)道的(de)宽(kuan)窄以便控制(zhi)漏极(ji)电(dian)流(liu)，绝缘栅(zha)型(xing)场(chang)效应(ying)(ying)(ying)管(guan)(guan)(guan)则(ze)是用半导体表面(mian)的(de)电(dian)场(chang)效应(ying)(ying)(ying)、电(dian)感应(ying)(ying)(ying)电(dian)荷的(de)多少去改(gai)变导电(dian)沟(gou)道来(lai)(lai)控制(zhi)电(dian)流(liu)。它们(men)性质(zhi)的(de)差(cha)异使结型(xing)场(chang)效应(ying)(ying)(ying)管(guan)(guan)(guan)往往运用在功(gong)放输入级(ji)（前级(ji)），绝缘栅(zha)型(xing)场(chang)效应(ying)(ying)(ying)管(guan)(guan)(guan)则(ze)用在功(gong)放末(mo)级(ji)（输出级(ji)）。场(chang)效应(ying)(ying)(ying)管(guan)(guan)(guan)的(de)工作原理(li)和三极(ji)管(guan)(guan)(guan)其本一(yi)(yi)样(yang)，只是他们(men)一(yi)(yi)个(ge)是压控型(xing)元(yuan)件，一(yi)(yi)个(ge)是电(dian)流(liu)控制(zhi)元(yuan)件，场(chang)效应(ying)(ying)(ying)管(guan)(guan)(guan)只有一(yi)(yi)个(ge)PN结，如下图(tu)。
MOS场效应(ying)管(guan)(guan)比较(jiao)“娇气”。这是由(you)于它的(de)输入(ru)电(dian)(dian)(dian)阻很高，而栅-源极(ji)间电(dian)(dian)(dian)容(rong)又非常小(xiao)(xiao)，极(ji)易受外界电(dian)(dian)(dian)磁场或(huo)静(jing)(jing)电(dian)(dian)(dian)的(de)感应(ying)而带电(dian)(dian)(dian)，而少(shao)量(liang)电(dian)(dian)(dian)荷(he)就可在(zai)(zai)(zai)极(ji)间电(dian)(dian)(dian)容(rong)上形(xing)成相当高的(de)电(dian)(dian)(dian)压（U=Q/C），将管(guan)(guan)子损坏(huai)。因此(ci)出厂时各管(guan)(guan)脚都绞合在(zai)(zai)(zai)一起，或(huo)装在(zai)(zai)(zai)金属箔(bo)内，使G极(ji)与S极(ji)呈(cheng)等(deng)电(dian)(dian)(dian)位(wei)，防止积累(lei)静(jing)(jing)电(dian)(dian)(dian)荷(he)。管(guan)(guan)子不(bu)用时，全(quan)部引(yin)线(xian)也(ye)应(ying)短(duan)接(jie)。在(zai)(zai)(zai)测量(liang)时应(ying)格外小(xiao)(xiao)心，并(bing)采(cai)取相应(ying)的(de)防静(jing)(jing)电(dian)(dian)(dian)感措施。测量(liang)之前，先(xian)把(ba)人(ren)体对地短(duan)路(lu)后，才能(neng)摸触MOSFET的(de)管(guan)(guan)脚。最好在(zai)(zai)(zai)手(shou)腕上接(jie)一条(tiao)导线(xian)与大地连(lian)通，使人(ren)体与大地保持(chi)等(deng)电(dian)(dian)(dian)位(wei)。再把(ba)管(guan)(guan)脚分开(kai)，然后拆掉(diao)导线(xian)。将万(wan)用表拨于R×100档，首先(xian)确定栅极(ji)。
若某脚(jiao)与其它脚(jiao)的(de)电阻都是(shi)无穷大，证明此脚(jiao)就是(shi)栅极(ji)(ji)G。交换表(biao)(biao)笔(bi)重测量(liang)，S-D之间(jian)的(de)电阻值应(ying)为几百欧(ou)至几千欧(ou)，其中(zhong)阻值较小的(de)那一次(ci)，黑(hei)表(biao)(biao)笔(bi)接(jie)(jie)的(de)为D极(ji)(ji)，红表(biao)(biao)笔(bi)接(jie)(jie)的(de)是(shi)S极(ji)(ji)。日(ri)本生产的(de)3SK系列产品，S极(ji)(ji)与管(guan)壳接(jie)(jie)通，据此很容易确定(ding)S极(ji)(ji)。将G极(ji)(ji)悬空(kong)，黑(hei)表(biao)(biao)笔(bi)接(jie)(jie)D极(ji)(ji)，红表(biao)(biao)笔(bi)接(jie)(jie)S极(ji)(ji)，然后用手指触(chu)摸G极(ji)(ji)，表(biao)(biao)针应(ying)有较大的(de)偏转(zhuan)。双栅MOS场(chang)效应(ying)管(guan)有两个栅极(ji)(ji)G1、G2。为区分(fen)之，可用手分(fen)别(bie)触(chu)摸G1、G2极(ji)(ji)，其中(zhong)表(biao)(biao)针向左(zuo)侧偏转(zhuan)幅度较大的(de)为G2极(ji)(ji)。目前有的(de)MOSFET管(guan)在G-S极(ji)(ji)间(jian)增加了(le)保护二极(ji)(ji)管(guan)，平时就不(bu)需要(yao)把各管(guan)脚(jiao)短路了(le)。对(dui)于其它相关认识(shi)，我不(bu)做细(xi)说，只(zhi)要(yao)大家能认识(shi)就行(xing)了(le)。
集(ji)成电(dian)路是一(yi)种采(cai)用特殊工艺，将晶体(ti)管、电(dian)阻、电(dian)容等(deng)元件集(ji)成在(zai)硅基片上而(er)形(xing)成的(de)具(ju)有一(yi)定功能(neng)的(de)器件，英文为(wei)缩(suo)写为(wei)IC，也俗称芯片。在(zai)电(dian)路中(zhong)用“U”表示。
集成电(dian)路(lu)分(fen)类(lei)(lei)：集成电(dian)路(lu)根据(ju)不同的功(gong)能用(yong)(yong)途分(fen)为(wei)模(mo)(mo)拟和(he)数(shu)字(zi)两大(da)派别，而具体功(gong)能更是数(shu)不胜数(shu)，其应用(yong)(yong)遍(bian)及人类(lei)(lei)生活的方方面面。集成电(dian)路(lu)根据(ju)内部(bu)的集成度分(fen)为(wei)大(da)规(gui)模(mo)(mo)中规(gui)模(mo)(mo)小(xiao)规(gui)模(mo)(mo)三类(lei)(lei)。其封(feng)装(zhuang)(zhuang)又有(you)许多(duo)形式。“双列(lie)直插”和(he)“单列(lie)直插”的最为(wei)常见。消费类(lei)(lei)电(dian)子产品中用(yong)(yong)软封(feng)装(zhuang)(zhuang)的IC，精密(mi)产品中用(yong)(yong)贴片封(feng)装(zhuang)(zhuang)的IC等(deng)。
大部份IC采(cai)用(yong)(yong)CMOS元件(jian)为核心集成；对于CMOS型IC，特(te)别要注意(yi)防止静电(dian)(dian)击穿IC，最好(hao)也(ye)(ye)不(bu)要用(yong)(yong)未接(jie)地的电(dian)(dian)烙铁焊接(jie)。使(shi)用(yong)(yong)IC也(ye)(ye)要注意(yi)其参数，如工作(zuo)电(dian)(dian)压，散热(re)等。数字IC多用(yong)(yong)＋5V的工作(zuo)电(dian)(dian)压，模拟(ni)IC工作(zuo)电(dian)(dian)压各异。
集成(cheng)电路(lu)(lu)有(you)各种型号(hao)，其命名也(ye)有(you)一(yi)定规律(lv)。一(yi)般是由前缀(zhui)、数字编号(hao)、后(hou)(hou)缀(zhui)组(zu)成(cheng)。前缀(zhui)表示集成(cheng)电路(lu)(lu)的(de)生产(chan)厂(chang)家及(ji)类别(bie)，后(hou)(hou)缀(zhui)一(yi)般用来表示集成(cheng)电路(lu)(lu)的(de)封装(zhuang)形(xing)式、版本代号(hao)等。常(chang)用的(de)集成(cheng)电路(lu)(lu)如小功率音频放大器(qi)LM386就因(yin)为后(hou)(hou)缀(zhui)不同而有(you)许多种。LM386N是美国国家半导体公司(si)的(de)产(chan)品，LM代表线(xian)性电路(lu)(lu)，N代表塑料(liao)双列直插(cha)。具体封装(zhuang)这不多作解说，我(wo)们只要能认识就OK。其它筒单集成(cheng)电路(lu)(lu)：稳压(ya)IC、音乐IC、语音IC。
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