login_门徒娱乐「一家用心的游戏平台」常用场效应管贴片封装大全-场效应管贴片管脚图及种类-KIA MOS管

常(chang)用场效(xiao)应管贴(tie)片封(feng)装大全-场效(xiao)应管贴(tie)片管脚图及(ji)种类-KIA MOS管

信息来源(yuan)：本站　日期：2018-12-14　

分(fen)享(xiang)到(dao)：

场效应管贴片封装形式

MOSFET芯片在制作(zuo)完成之后,需要给MOSFET芯片加上一(yi)个外壳(qiao),即MOS管(guan)封(feng)装。MOSFET芯片的(de)外壳(qiao)具有(you)支撑、保护、冷却的(de)作(zuo)用,同时还为(wei)芯片提供电气连接和隔(ge)离,以便MOSFET器件与其它元件构成完整(zheng)的(de)电路。按(an)照安装在PCB 方式(shi)(shi)(shi)来区分,MOS管(guan)封(feng)装主(zhu)要有(you)两(liang)大类:插入式(shi)(shi)(shi)(Through Hole)和表(biao)面(mian)贴(tie)装式(shi)(shi)(shi)(Surface Mount)。插入式(shi)(shi)(shi)就是MOSFET的(de)管(guan)脚穿过PCB的(de)安装孔焊(han)接在PCB 上。表(biao)面(mian)贴(tie)裝则是MOSFET的(de)管(guan)脚及散热法兰焊(han)接在PCB表(biao)面(mian)的(de)焊(han)盘上。

场效应管贴片封装

场效应管贴片封装规格为TO封装

TO（Transistor Out-line）的中文意思是“晶体(ti)管(guan)外形”。这是早期的封装(zhuang)规格，例如TO-92，TO-92L，TO-220，TO-252等等都(dou)是插(cha)入式封装(zhuang)设计。近年来表面(mian)贴(tie)装(zhuang)市场需求(qiu)量增大，TO封装(zhuang)也进展到表面(mian)贴(tie)装(zhuang)式封装(zhuang)。

TO252和TO263就是表面贴装封装。其(qi)中TO-252又称之为D-PAK，TO-263又称之为D2PAK。

D-PAK封装的(de)(de)MOSFET有3个电极(ji)，栅极(ji)（G）、漏(lou)极(ji)（D）、源极(ji)（S）。其中(zhong)漏(lou)极(ji)（D）的(de)(de)引脚被剪断不(bu)用(yong)，而是使(shi)用(yong)背面(mian)的(de)(de)散热板(ban)作漏(lou)极(ji)（D），直接焊接在PCB上，一方面(mian)用(yong)于输出(chu)大电流，一方面(mian)通(tong)过PCB散热。所(suo)以PCB的(de)(de)D-PAK焊盘有三处，漏(lou)极(ji)（D）焊盘较大。

贴片封装TO-252引脚图

场效应管贴(tie)片封(feng)装(zhuang)流行的还是双(shuang)列(lie)直(zhi)(zhi)插(cha)封(feng)装(zhuang)，简称DIP(Dual ln-line Package)。DIP封(feng)装(zhuang)在(zai)当时(shi)具(ju)有适合PCB(印刷电(dian)路板)的穿孔安装(zhuang)，具(ju)有比TO型(xing)封(feng)装(zhuang)易于(yu)对PCB布线以及操作(zuo)较为方便等(deng)一些特点，其(qi)封(feng)装(zhuang)的结构(gou)形式(shi)(shi)也(ye)很多，包括多层陶瓷双(shuang)列(lie)直(zhi)(zhi)插(cha)式(shi)(shi)DIP，单层陶瓷双(shuang)列(lie)直(zhi)(zhi)插(cha)式(shi)(shi)DIP，引线框(kuang)架式(shi)(shi)DIP等(deng)等(deng)。常(chang)用于(yu)功率晶体管、稳压芯片的封(feng)装(zhuang)。

场效应管贴片

SOT封装

SOT（Small Out-Line Transistor）小(xiao)外(wai)形晶体管封(feng)(feng)装(zhuang)。这种封(feng)(feng)装(zhuang)就是贴片(pian)型小(xiao)功(gong)率晶体管封(feng)(feng)装(zhuang)，比TO封(feng)(feng)装(zhuang)体积小(xiao)，一般用于小(xiao)功(gong)率MOSFET。常见的规格如(ru)上。

主板上常(chang)用四端引脚(jiao)的(de)SOT-89 MOSFET。

场效应管贴片

SOT-23封装

场效应管贴片

SOP封装

SOP（Small Out-Line Package）的(de)中文意思是(shi)“小外形封(feng)装(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)”。SOP是(shi)表(biao)面贴装(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)型(xing)封(feng)装(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)之一(yi)，引(yin)脚(jiao)(jiao)从封(feng)装(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)两侧引(yin)出呈海(hai)鸥翼状（L 字(zi)(zi)形）。材料(liao)(liao)有(you)塑料(liao)(liao)和陶(tao)瓷两种。SOP也叫SOL 和DFP。SOP封(feng)装(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)标准(zhun)有(you)SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等等，SOP后面的(de)数(shu)字(zi)(zi)表(biao)示引(yin)脚(jiao)(jiao)数(shu)。MOSFET的(de)SOP封(feng)装(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)多(duo)数(shu)采用SOP-8规格(ge)，业界(jie)往往把(ba)“P”省(sheng)略，叫SO（Small Out-Line ）。

SO-8采用(yong)塑料封装，没有散热底板，散热不良(liang)，一般用(yong)于小功率(lv)MOSFET。

SO-8是PHILIP公司(si)首先开发的，以后逐渐派生出TSOP（薄小(xiao)外(wai)形封装(zhuang)）、VSOP（甚小(xiao)外(wai)形封装(zhuang)）、SSOP（缩小(xiao)型(xing)SOP）、TSSOP（薄的缩小(xiao)型(xing)SOP）等标准规格。

这些派(pai)生的(de)几种(zhong)封装(zhuang)规格(ge)中(zhong)，TSOP和TSSOP常(chang)用(yong)于MOSFET封装(zhuang)。

QFN-56封装

场效应管贴片

QFN（Quad Flat Non-leaded package）是(shi)表面(mian)贴(tie)装(zhuang)(zhuang)(zhuang)型封装(zhuang)(zhuang)(zhuang)之(zhi)一(yi)，中文(wen)叫做四边无引线扁平封装(zhuang)(zhuang)(zhuang)，是(shi)一(yi)种焊盘尺寸小、体积小、以塑料作为密封材料的(de)新兴(xing)表面(mian)贴(tie)装(zhuang)(zhuang)(zhuang)芯片封装(zhuang)(zhuang)(zhuang)技术。现在多称(cheng)为LCC。QFN是(shi)日(ri)本电子机械工业会规(gui)定的(de)名(ming)称(cheng)。

封装(zhuang)四边配置有电极(ji)接(jie)点(dian)，由于无引线(xian)，贴装(zhuang)占有面(mian)积比QFP小，高度比QFP低。这种(zhong)封装(zhuang)也(ye)称为LCC、PCLC、P－LCC等。QFN本来用于集成电路的(de)封装(zhuang)，MOSFET不会采用的(de)。Intel提出的(de)整合驱动与(yu)MOSFET的(de)DrMOS采用QFN-56封装(zhuang)，56是(shi)指在芯(xin)片(pian)背面(mian)有56个(ge)连接(jie)Pin。

场效应管贴片管脚图

部(bu)分贴片场(chang)(chang)效应(ying)管(guan)(guan)的管(guan)(guan)脚(jiao)排列如下图(tu)。此外，我(wo)们(men)］可(ke)利用万用表(biao)(biao)(biao)Rx1k档判别(bie)结型(xing)场(chang)(chang)效应(ying)管(guan)(guan)电极(ji)，黑表(biao)(biao)(biao)笔(bi)(bi)碰触(chu)一个(ge)电极(ji)，红表(biao)(biao)(biao)笔(bi)(bi)依次碰触(chu)另外两个(ge)电极(ji)，若两次测出的阻值都很(hen)大，则是P沟道且黑表(biao)(biao)(biao)笔(bi)(bi)接的是栅(zha)极(ji)。反之(zhi)，两次阻值均很(hen)小，则是N沟道，黑表(biao)(biao)(biao)笔(bi)(bi)接的也是栅(zha)极(ji)，但此法(fa)不能用于测绝缘栅(zha)场(chang)(chang)效应(ying)管(guan)(guan)。

场效应管贴片

部分场效应管(guan)管(guan)脚排列(lie)

另外(wai)，还(hai)可(ke)(ke)用万(wan)用表(biao)估测(ce)(ce)(ce)结型场效(xiao)应(ying)管的(de)放大(da)(da)能力，如下(xia)图。手捏(nie)住(zhu)栅极后，表(biao)针会向左摆动(dong)（或向右），但只要有明显摆动(dong)说明此管有放大(da)(da)能力，摆动(dong)小，放大(da)(da)能力弱。由于测(ce)(ce)(ce)量(liang)进g-结电窄上充(chong)有少(shao)量(liang)电荷，每次测(ce)(ce)(ce)量(liang)后要将g-s间(jian)短路(lu)一下(xia)，否则再次测(ce)(ce)(ce)可(ke)(ke)能表(biao)针不动(dong)。

对于大(da)功率场效应管，如下(xia)(xia)图(tu)（a）所(suo)示(shi)(shi)，从左至(zhi)右，管脚(jiao)排列基本为G、D、S极(ji)（散(san)热片(pian)接D极(ji)）：采用(yong)绝缘(yuan)底板模(mo)块封装的(de)特(te)种场效应管通(tong)常有四个(ge)管脚(jiao)，如下(xia)(xia)图(tu)示(shi)(shi)，上面(mian)的(de)两个(ge)通(tong)常为两个(ge)S极(ji)（相(xiang)连），下(xia)(xia)面(mian)的(de)两个(ge)分别为G、D极(ji)；采用(yong)贴片(pian)封装的(de)场效应管，如下(xia)(xia)图(tu)示(shi)(shi)，散(san)热片(pian)是D极(ji)，下(xia)(xia)面(mian)的(de)三(san)个(ge)脚(jiao)分别是G、D、S极(ji)。

场效应管贴片