利盈娱乐(中国)创新平台有限公司

MOS管散热片

大功(gong)(gong)(gong)率逆变(bian)器(qi)(qi)(qi)MOS管(guan)，工作(zuo)的(de)时(shi)候，发热(re)(re)量非常大，如果MOS管(guan)散热(re)(re)效果不好，温度过(guo)高就可(ke)能(neng)(neng)导(dao)(dao)致MOS管(guan)的(de)烧毁(hui)，进而可(ke)能(neng)(neng)导(dao)(dao)致整个电(dian)路板的(de)损(sun)毁(hui)。传统大功(gong)(gong)(gong)率逆变(bian)器(qi)(qi)(qi)MOS管(guan)散热(re)(re)，大功(gong)(gong)(gong)率逆变(bian)器(qi)(qi)(qi)MOS管(guan)设置于电(dian)路板，同时(shi)散热(re)(re)器(qi)(qi)(qi)也(ye)设置于电(dian)路板，MOS管(guan)与散热(re)(re)器(qi)(qi)(qi)接触，当(dang)电(dian)路工作(zuo)的(de)时(shi)候，MOS管(guan)散发的(de)热(re)(re)量由散热(re)(re)器(qi)(qi)(qi)迅速散发出去。

如果在电路功(gong)率大(da)的(de)(de)(de)(de)时(shi)候，MOS管(guan)的(de)(de)(de)(de)数量会(hui)比较多(duo)，按照目前这种MOS管(guan)散(san)(san)(san)热结(jie)构，只能增(zeng)加(jia)散(san)(san)(san)热器和电路板的(de)(de)(de)(de)长度来(lai)供所有MOS管(guan)散(san)(san)(san)热，这样(yang)就会(hui)增(zeng)加(jia)机(ji)箱 的(de)(de)(de)(de)体积，同(tong)时(shi)这种散(san)(san)(san)热结(jie)构，风(feng)量发散(san)(san)(san)，散(san)(san)(san)热效(xiao)果不(bu)好。有些大(da)功(gong)率逆变器MOS管(guan)会(hui)安(an)装通(tong)(tong)风(feng)纸(zhi)来(lai)散(san)(san)(san)热，但是安(an)装通(tong)(tong)风(feng)纸(zhi)很(hen)麻烦。 所以(yi)MOS管(guan)对(dui)散(san)(san)(san)热的(de)(de)(de)(de)要求很(hen)高，散(san)(san)(san)热条件(jian)分(fen)为最低和最高，即在运行中(zhong)的(de)(de)(de)(de)散(san)(san)(san)热情况的(de)(de)(de)(de)上下(xia)浮动(dong)范(fan)围(wei)。一般在选(xuan)购的(de)(de)(de)(de)时(shi)候通(tong)(tong)常(chang)采(cai)用最差的(de)(de)(de)(de)散(san)(san)(san)热条件(jian)为标准，这样(yang)在使用的(de)(de)(de)(de)时(shi)候就可(ke)以(yi)留出最大(da)的(de)(de)(de)(de)安(an)全余量，即使在高温中(zhong)也(ye)能确保(bao)系统的(de)(de)(de)(de)正常(chang)运行。

MOS管散热片的作用

mos散热(re)片(pian)是(shi)一种(zhong)给电(dian)器(qi)中的(de)(de)(de)易发热(re)电(dian)子元件散热(re)的(de)(de)(de)装置，多由铝(lv)合(he)金，黄铜或(huo)青铜做(zuo)成板状(zhuang)，片(pian)状(zhuang)，多片(pian)状(zhuang)等，如电(dian)脑中CPU中央处(chu)理器(qi)要使用相当大的(de)(de)(de)散热(re)片(pian)，电(dian)视机中电(dian)源管，行管，功(gong)放器(qi)中的(de)(de)(de)功(gong)放管都要使用散热(re)片(pian)。一般散热(re)片(pian)在(zai)使用中要在(zai)电(dian)子元件与散热(re)片(pian)接(jie)触面涂上(shang)一层导热(re)硅脂，使元器(qi)件发出(chu)的(de)(de)(de)热(re)量更有效地传导到散热(re)片(pian)上(shang)，再(zai)经散热(re)片(pian)散发到周(zhou)围空气中去(qu)。

MOS管散热片检测处理方式

1.多铺铜，增加散热过孔。

2.贴散(san)热(re)胶(jiao)。通常采用(yong)(yong)(yong)散(san)热(re)器加导热(re)硅(gui)(gui)胶(jiao)的设计直接接触散(san)热(re)，如果(guo)MOS管外(wai)壳不能接地，可(ke)以(yi)采用(yong)(yong)(yong)绝缘垫片(pian)隔离后再用(yong)(yong)(yong)导热(re)硅(gui)(gui)脂散(san)热(re)。也可(ke)以(yi)选用(yong)(yong)(yong)硅(gui)(gui)胶(jiao)片(pian)，硅(gui)(gui)胶(jiao)覆盖MOS管，除了散(san)热(re)还可(ke)以(yi)起到防止(zhi)静电损坏(huai)的作用(yong)(yong)(yong)。

在上述(shu)两种方法中有(you)一(yi)帖散(san)(san)(san)热(re)(re)(re)(re)(re)(re)胶为(wei)较常用(yong)的方法，其中常用(yong)的散(san)(san)(san)热(re)(re)(re)(re)(re)(re)材(cai)料包(bao)括导(dao)(dao)热(re)(re)(re)(re)(re)(re)硅(gui)(gui)(gui)脂、导(dao)(dao)热(re)(re)(re)(re)(re)(re)双(shuang)面(mian)(mian)胶和(he)导(dao)(dao)热(re)(re)(re)(re)(re)(re)硅(gui)(gui)(gui)胶片(pian)。导(dao)(dao)热(re)(re)(re)(re)(re)(re)硅(gui)(gui)(gui)脂俗称散(san)(san)(san)热(re)(re)(re)(re)(re)(re)膏，导(dao)(dao)热(re)(re)(re)(re)(re)(re)硅(gui)(gui)(gui)脂以(yi)有(you)机硅(gui)(gui)(gui)酮为(wei)主要原料，是一(yi)种高导(dao)(dao)热(re)(re)(re)(re)(re)(re)绝缘有(you)机硅(gui)(gui)(gui)材(cai)料，几(ji)乎永远不固(gu)化，可在-50℃—+230℃的温度(du)下长期保持使用(yong)。导(dao)(dao)热(re)(re)(re)(re)(re)(re)双(shuang)面(mian)(mian)胶常用(yong)于LED等(deng)功率器件(jian)(jian)的散(san)(san)(san)热(re)(re)(re)(re)(re)(re)，其导(dao)(dao)热(re)(re)(re)(re)(re)(re)系数通常大(da)于1.5W/(M.K)；导(dao)(dao)热(re)(re)(re)(re)(re)(re)硅(gui)(gui)(gui)胶片(pian)起到导(dao)(dao)热(re)(re)(re)(re)(re)(re)作用(yong)，在发热(re)(re)(re)(re)(re)(re)体(ti)与(yu)散(san)(san)(san)热(re)(re)(re)(re)(re)(re)器件(jian)(jian)之间(jian)形成良好的导(dao)(dao)热(re)(re)(re)(re)(re)(re)通路，与(yu)散(san)(san)(san)热(re)(re)(re)(re)(re)(re)片(pian)，结构固(gu)定件(jian)(jian)（风(feng)扇）等(deng)一(yi)起组(zu)成散(san)(san)(san)热(re)(re)(re)(re)(re)(re)模组(zu)。

为(wei)大功(gong)率MSO管(guan)加(jia)装散热(re)(re)片(pian)(pian)(pian)(pian)和导(dao)热(re)(re)硅(gui)(gui)(gui)胶(jiao)片(pian)(pian)(pian)(pian)时(shi)(shi)，尽(jin)量减少开关管(guan)集(ji)电极(ji)和散热(re)(re)片(pian)(pian)(pian)(pian)之间(jian)的(de)(de)耦(ou)合电容Ci，同(tong)时(shi)(shi)也(ye)要(yao)保(bao)(bao)证(zheng)导(dao)热(re)(re)效果。以Laird的(de)(de)导(dao)热(re)(re)硅(gui)(gui)(gui)胶(jiao)片(pian)(pian)(pian)(pian)安(an)(an)装为(wei)例(li)，安(an)(an)装时(shi)(shi)首先要(yao)保(bao)(bao)持与导(dao)热(re)(re)硅(gui)(gui)(gui)胶(jiao)片(pian)(pian)(pian)(pian)接触面的(de)(de)干净，预防导(dao)热(re)(re)硅(gui)(gui)(gui)胶(jiao)片(pian)(pian)(pian)(pian)黏上污秽(hui)，安(an)(an)装时(shi)(shi)可以采用撕去另(ling)一面保(bao)(bao)护(hu)膜(mo)，放(fang)入散热(re)(re)器，再撕去最后一面保(bao)(bao)护(hu)膜(mo)的(de)(de)方式安(an)(an)装，同(tong)时(shi)(shi)注意力度要(yao)小，避免拉伤或拉起导(dao)热(re)(re)硅(gui)(gui)(gui)胶(jiao)片(pian)(pian)(pian)(pian)。

如何正确给MOS管加散热片

在(zai)电(dian)子(zi)电(dian)路设计当(dang)中，很多情况下都要考虑EMC的(de)(de)问题(ti)。在(zai)设计中使用MOS管时(shi)(shi)，在(zai)添加散(san)热片(pian)时(shi)(shi)可能会出现一种比较纠结的(de)(de)情况。当(dang)MOS管的(de)(de)EMC通过(guo)时(shi)(shi)，散(san)热片(pian)需要接地，而在(zai)散(san)热片(pian)不接地的(de)(de)情况下，EMC是无法通过(guo)的(de)(de)。那么为何会出现这(zhei)种现象呢？

简单来(lai)说，针对传导可以将一(yi)些开关辐射通过散热器传导到大地回路，减弱了(le)走传输线(xian)，让流通的(de)路径(jing)更多了(le)。

针对辐射(she)，没(mei)(mei)接(jie)地(di)的(de)散热器(qi)不仅没(mei)(mei)好处，反而(er)是辐射(she)发(fa)射(she)源，对EMC坏处更大，同时接(jie)地(di)了，能起(qi)到一定的(de)屏蔽(bi)效果，所(suo)以(yi)布板时，将(jiang)大电(dian)解(jie)电(dian)容(rong)用来(lai)做屏蔽(bi)用，将(jiang)IC放在大电(dian)解(jie)电(dian)容(rong)下面防(fang)止干扰都是这个道理。

共模干扰

骚扰通过MOS管(guan)(guan)与(yu)散热片(pian)寄生电容、LISN、以及L、N线(xian)返(fan)回到(dao)源。如果MOS管(guan)(guan)接地的话，在骚扰电压一定的情况下，阻(zu)抗很低，骚扰电流很大，导致(zhi)CE测试失效(xiao)。

开(kai)(kai)关管由(you)导(dao)通切换为(wei)关断状态时(shi)，脉(mai)冲变压(ya)器(qi)分(fen)布(bu)电(dian)(dian)感(gan)储存的(de)(de)能量，将(jiang)与C1产(chan)生(sheng)振(zhen)荡，导(dao)致开(kai)(kai)关管C、E之(zhi)间的(de)(de)电(dian)(dian)压(ya)迅速上(shang)升达500V左右，形(xing)成浪涌电(dian)(dian)压(ya)。并产(chan)生(sheng)按开(kai)(kai)关频率工(gong)作的(de)(de)脉(mai)冲串电(dian)(dian)流，经集电(dian)(dian)极和散热器(qi)之(zhi)间的(de)(de)分(fen)布(bu)电(dian)(dian)容Ci及变压(ya)器(qi)初(chu)，次级(ji)之(zhi)间的(de)(de)分(fen)布(bu)电(dian)(dian)容Cd返回AC线形(xing)成共模骚扰电(dian)(dian)流。

开关(guan)管由关(guan)断切(qie)换为导通(tong)状态(tai)时(shi)，C1通(tong)过开关(guan)管放(fang)电形成(cheng)浪涌(yong)电流产生差模骚(sao)扰。

图1

如图(tu)1所示，减少开(kai)关管(guan)集电(dian)(dian)极和散(san)热(re)片之间的(de)耦合电(dian)(dian)容Ci。可(ke)以选用(yong)低介电(dian)(dian)常数的(de)材料作绝(jue)缘(yuan)垫(dian)(dian)，加厚(hou)垫(dian)(dian)片的(de)厚(hou)度。也可(ke)以用(yong)静(jing)电(dian)(dian)屏(ping)蔽的(de)方(fang)法。例(li)如，在集电(dian)(dian)极和散(san)热(re)片之间垫(dian)(dian)上一层夹心绝(jue)缘(yuan)物，即绝(jue)缘(yuan)物中间夹一层铜箔，作为静(jing)电(dian)(dian)屏(ping)蔽层，并接(jie)在输(shu)入直流OV地上，散(san)热(re)片仍接(jie)机(ji)壳地，这层静(jing)电(dian)(dian)屏(ping)蔽层将大大减小集电(dian)(dian)极和散(san)热(re)片之间的(de)电(dian)(dian)场耦合。

图2

如图2所示(shi)，即将共模干扰转化为差模，回流的源中(zhong)，不通(tong)过LISN。

联(lian)系方式：邹(zou)先生

联系(xi)电(dian)话：0755-83888366-8022

手(shou)机：18123972950

QQ：2880195519

联(lian)系地(di)址：深圳市福田区车公庙天(tian)安数码城天(tian)吉大厦(sha)CD座5C1

请搜(sou)微(wei)信(xin)公(gong)众号(hao)(hao):“KIA半导体(ti)”或扫(sao)一扫(sao)下图“关注”官方微(wei)信(xin)公(gong)众号(hao)(hao)

请(qing)“关注”官方微信(xin)公(gong)众号(hao):提供(gong) MOS管 技术帮助