常(chang)用逆(ni)(ni)变(bian)器MOS管(guan)选型表 封装、型号(hao)齐全-逆(ni)(ni)变(bian)器MOS管(guan)原理及电路-KIA MOS管(guan)
信息来源：本站 日期：2018-12-10
这里(li)主要是讲述逆变(bian)(bian)(bian)器是由MOS场(chang)效应管，普通电(dian)源变(bian)(bian)(bian)压(ya)器构成。其输出功率取决于MOS场(chang)效应管和电(dian)源变(bian)(bian)(bian)压(ya)器的(de)功率，免(mian)除(chu)了烦琐的(de)变(bian)(bian)(bian)压(ya)器绕制，适合电(dian)子爱(ai)好者业(ye)余(yu)制作(zuo)中采用。下面介绍该逆变(bian)(bian)(bian)器的(de)工作(zuo)原理及制作(zuo)过程。
这里采用六反相器(qi)CD4069构成(cheng)(cheng)方波信号发(fa)生器(qi)。电(dian)(dian)路中R1是补(bu)偿(chang)电(dian)(dian)阻(zu)，用于改善由于电(dian)(dian)源电(dian)(dian)压(ya)的变(bian)化(hua)而引起的振(zhen)荡(dang)频(pin)率(lv)(lv)不稳。电(dian)(dian)路的振(zhen)荡(dang)是通过电(dian)(dian)容C1充放电(dian)(dian)完成(cheng)(cheng)的。其(qi)振(zhen)荡(dang)频(pin)率(lv)(lv)为f=1/2.2RC.图示电(dian)(dian)路的最大频(pin)率(lv)(lv)为：fmax=1/2.2×3.3×103×2.2×10-6=62.6Hz;最小频(pin)率(lv)(lv)fmin=1/2.2×4.3×103×2.2×10-6=48.0Hz.由于元件(jian)的误差(cha)，实际值会(hui)略有差(cha)异(yi)。其(qi)它(ta)多余的反相器(qi)，输入端(duan)接地避(bi)免影响其(qi)它(ta)电(dian)(dian)路。
逆变(bian)器(qi)用的(de)(de)变(bian)压(ya)器(qi)采(cai)用次(ci)级(ji)为(wei)(wei)12V、电(dian)(dian)(dian)流(liu)为(wei)(wei)10A、初级(ji)电(dian)(dian)(dian)压(ya)为(wei)(wei)220V的(de)(de)废品电(dian)(dian)(dian)源变(bian)压(ya)器(qi)。P沟道(dao)MOS场(chang)效应(ying)(ying)管（2SJ471）最(zui)大漏(lou)极(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)流(liu)为(wei)(wei)30A，在场(chang)效应(ying)(ying)管导(dao)通(tong)时(shi)(shi)(shi)，漏(lou)-源极(ji)(ji)间电(dian)(dian)(dian)阻为(wei)(wei)25毫欧。此(ci)时(shi)(shi)(shi)假如经过(guo)10A电(dian)(dian)(dian)流(liu)时(shi)(shi)(shi)会有(you)2.5W的(de)(de)功率耗(hao)费(fei)。N沟道(dao)MOS场(chang)效应(ying)(ying)（2SK2956）最(zui)大漏(lou)极(ji)(ji)电(dian)(dian)(dian)流(liu)为(wei)(wei)50A，场(chang)效应(ying)(ying)管导(dao)通(tong)时(shi)(shi)(shi)，漏(lou)-源极(ji)(ji)间电(dian)(dian)(dian)阻为(wei)(wei)7毫欧，此(ci)时(shi)(shi)(shi)假如经过(guo)10A电(dian)(dian)(dian)流(liu)时(shi)(shi)(shi)耗(hao)费(fei)的(de)(de)功率为(wei)(wei)0.7W.由(you)此(ci)我们(men)也可知在同(tong)样的(de)(de)工作电(dian)(dian)(dian)流(liu)状况下，2SJ471的(de)(de)发热量(liang)约为(wei)(wei)2SK2956的(de)(de)4倍。所以在思索(suo)散热器(qi)时(shi)(shi)(shi)应(ying)(ying)留(liu)意这点。图(tu)8展现(xian)本文引(yin)见的(de)(de)逆变(bian)
器场效应管在(zai)散热器（100mm×100mm×17mm）上的(de)位置(zhi)散布和接法。虽(sui)然场效应管工作于开(kai)关(guan)状(zhuang)态时发热量不会很大，出(chu)于安全思考(kao)这里选用的(de)散热器稍(shao)偏大。
1：逆变器电路(lu)板(ban)
2：逆变器所用元器件
3：逆变器(qi)位置分布与接法
（一）在进(jin)行电源(yuan)设计(ji)时，效率与可(ke)(ke)靠性(xing)都是设计(ji)者(zhe)首先考(kao)虑的因(yin)素(su)，在设计(ji)逆变电源(yuan)时更是如此(ci)。逆变电源(yuan)可(ke)(ke)靠性(xing)的提升对(dui)于(yu)新手们来说(shuo)是一个较为(wei)头(tou)疼(teng)的问题，虽然有资料(liao)可(ke)(ke)供参考(kao)，但其中值给出(chu)了部分方法，却没有给出(chu)一些技巧或原(yuan)理(li)上的讲解(jie)。
MOS管不同的封装形式对于(yu)原(yuan)器件的参数设(she)定与选型一样会影响(xiang)到(dao)产品的可(ke)靠性,需要(yao)谨(jin)慎对待(dai)。电源逆变器MOS管(guan)常用型号是需要按照输(shu)入(ru)或输(shu)出(chu)电压的不同来(lai)选择不同BVDSS电压的MOS管(guan)。
（二）KIA产品特点：1、高频特性(xing)、高温特性(xing)、高压(ya)(ya)特性(xing)； 2：碳化硅(gui)器件(jian)是同等(deng)硅(gui)器件(jian)耐(nai)压(ya)(ya)的10倍； 3：碳化硅(gui)肖(xiao)特基管(guan)耐(nai)压(ya)(ya)可(ke)达2400V； 4：碳化硅(gui)场效应管(guan)耐(nai)压(ya)(ya)可(ke)达数万伏(fu)。且通态电阻小。
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