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晶体管和mos管区别
什么是MOS管

mos管是(shi)金属(shu)(metal)—氧化物(oxide)—半(ban)导体(ti)(ti)(semiconductor)场效应晶体(ti)(ti)管，或者称是(shi)金属(shu)—绝缘体(ti)(ti)(insulator)—半(ban)导体(ti)(ti)。MOS管的(de)(de)(de)source和drain是(shi)可以对(dui)调的(de)(de)(de)，他们都是(shi)在P型backgate中形成的(de)(de)(de)N型区。在多数情(qing)况下，这个两(liang)个区是(shi)一样的(de)(de)(de)，即(ji)使两(liang)端对(dui)调也不会影响器件的(de)(de)(de)性能。这样的(de)(de)(de)器件被(bei)认(ren)为是(shi)对(dui)称的(de)(de)(de)。

什么是晶体管

严格(ge)意义上(shang)讲(jiang)，晶体(ti)管(guan)泛指(zhi)一(yi)切以半导体(ti)材(cai)料为基础的单一(yi)元件，包括各种半导体(ti)材(cai)料制成的二极管(guan)、三(san)极管(guan)、场(chang)效应管(guan)、可控硅等。晶体(ti)管(guan)有时多指(zhi)晶体(ti)三(san)极管(guan)。

晶(jing)体(ti)管主(zhu)要(yao)分为两(liang)大(da)类：双极性晶(jing)体(ti)管（BJT）和场效应(ying)晶(jing)体(ti)管（FET）。

晶(jing)体管(guan)有三个极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)；双极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)性晶(jing)体管(guan)的三个极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)，分别(bie)由N型跟P型组成发射极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)（Emitter）、基极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(Base) 和集电(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)（Collector）;场效(xiao)应(ying)晶(jing)体管(guan)的三个极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)，分别(bie)是源(yuan)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)（Source）、栅(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)（Gate）和漏极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)（Drain）。

晶体管(guan)因为有(you)三(san)种(zhong)极(ji)性，所以也有(you)三(san)种(zhong)的使用方(fang)式，分别是发(fa)射极(ji)接地(di)(di)（又(you)称(cheng)共射放大(da)、CE组(zu)态(tai)）、基(ji)极(ji)接地(di)(di)（又(you)称(cheng)共基(ji)放大(da)、CB组(zu)态(tai)）和(he)集电极(ji)接地(di)(di)（又(you)称(cheng)共集放大(da)、CC组(zu)态(tai)、发(fa)射极(ji)随(sui)耦器(qi)）。

晶体管分类

材料

按晶(jing)(jing)(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)使用的(de)半(ban)导体(ti)(ti)材料可(ke)(ke)分为(wei)(wei)硅(gui)(gui)材料晶(jing)(jing)(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)和锗材料晶(jing)(jing)(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)。按晶(jing)(jing)(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)的(de)极(ji)性可(ke)(ke)分为(wei)(wei)锗NPN型晶(jing)(jing)(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)、锗PNP晶(jing)(jing)(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)、硅(gui)(gui)NPN型晶(jing)(jing)(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)和硅(gui)(gui)PNP型晶(jing)(jing)(jing)体(ti)(ti)管(guan)(guan)。

工艺

晶(jing)体管按其结构及(ji)制造工艺可分为扩散型晶(jing)体管、合(he)金型晶(jing)体管和平面型晶(jing)体管。

电流容量

晶(jing)体(ti)(ti)管按(an)电(dian)流容量可(ke)分为小功率晶(jing)体(ti)(ti)管、中功率晶(jing)体(ti)(ti)管和大功率晶(jing)体(ti)(ti)管。

工作频率

晶(jing)体管(guan)按工作频(pin)(pin)率可(ke)分为(wei)低(di)频(pin)(pin)晶(jing)体管(guan)、高频(pin)(pin)晶(jing)体管(guan)和超高频(pin)(pin)晶(jing)体管(guan)等。

封装结构

晶(jing)体(ti)管(guan)(guan)按封(feng)(feng)(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)结构可分为金(jin)(jin)属封(feng)(feng)(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)（简(jian)称(cheng)金(jin)(jin)封(feng)(feng)(feng)(feng)）晶(jing)体(ti)管(guan)(guan)、塑料封(feng)(feng)(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)（简(jian)称(cheng)塑封(feng)(feng)(feng)(feng)）晶(jing)体(ti)管(guan)(guan)、玻(bo)璃壳封(feng)(feng)(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)（简(jian)称(cheng)玻(bo)封(feng)(feng)(feng)(feng)）晶(jing)体(ti)管(guan)(guan)、表面封(feng)(feng)(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)（片状）晶(jing)体(ti)管(guan)(guan)和陶(tao)瓷封(feng)(feng)(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)晶(jing)体(ti)管(guan)(guan)等。其封(feng)(feng)(feng)(feng)装(zhuang)(zhuang)外形多(duo)种多(duo)样。

按功能和用途

晶(jing)体(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)管按功(gong)能和(he)用(yong)途(tu)可分(fen)为(wei)低噪声(sheng)放(fang)大晶(jing)体(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)管、中高频(pin)(pin)放(fang)大晶(jing)体(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)管、低频(pin)(pin)放(fang)大晶(jing)体(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)管、开(kai)关(guan)晶(jing)体(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)管、达林顿(dun)晶(jing)体(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)管、高反压(ya)晶(jing)体(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)管、带阻晶(jing)体(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)管、带阻尼晶(jing)体(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)管、微波晶(jing)体(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)管、光(guang)敏(min)晶(jing)体(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)管和(he)磁敏(min)晶(jing)体(ti)(ti)(ti)(ti)(ti)管等多种类型(xing)。

晶体管种类分析

半导体三极管

是(shi)(shi)(shi)内部含有(you)两(liang)个PN结，外部通常为三(san)个引出电(dian)(dian)(dian)(dian)极(ji)的(de)半导(dao)体(ti)器件。它对电(dian)(dian)(dian)(dian)信(xin)号(hao)有(you)放(fang)大和(he)开关(guan)等(deng)作用，应(ying)用十分广泛。输(shu)入级和(he)输(shu)出级都(dou)采用晶(jing)体(ti)管(guan)的(de)逻辑电(dian)(dian)(dian)(dian)路，叫(jiao)做晶(jing)体(ti)管(guan)－晶(jing)体(ti)管(guan)逻辑电(dian)(dian)(dian)(dian)路，书刊和(he)实用中都(dou)简称为TTL电(dian)(dian)(dian)(dian)路，它属于半导(dao)体(ti)集成(cheng)电(dian)(dian)(dian)(dian)路的(de)一种，其中用得最普遍(bian)的(de)是(shi)(shi)(shi)TTL与非门。TTL与非门是(shi)(shi)(shi)将若干个晶(jing)体(ti)管(guan)和(he)电(dian)(dian)(dian)(dian)阻元件组成(cheng)的(de)电(dian)(dian)(dian)(dian)路系统集中制造(zao)在(zai)一块很小的(de)硅片上，封装成(cheng)一个独(du)立的(de)元件。半导(dao)体(ti)三(san)极(ji)管(guan)是(shi)(shi)(shi)电(dian)(dian)(dian)(dian)路中应(ying)用最广泛的(de)器件之(zhi)一，在(zai)电(dian)(dian)(dian)(dian)路中用“V”或“VT”（旧文字符号(hao)为“Q”、“GB”等(deng)）表示。

电力晶体管

电力晶(jing)(jing)体(ti)(ti)管按英(ying)文Giant Transistor直译为(wei)巨型(xing)晶(jing)(jing)体(ti)(ti)管，是一种耐高电压、大电流的双极结(jie)型(xing)晶(jing)(jing)体(ti)(ti)管（Bipolar Junction Transistor—BJT），所以有时也称为(wei)Power BJT；其特性有：耐压高，电流大，开关特性好，但驱(qu)动电路复杂，驱(qu)动功率大；GTR和普通双极结(jie)型(xing)晶(jing)(jing)体(ti)(ti)管的工(gong)作原理是一样的。

光晶体管

光(guang)晶(jing)体(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)（phototransistor）由双极(ji)型晶(jing)体(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)或(huo)场(chang)效应(ying)(ying)(ying)晶(jing)体(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)等三(san)端(duan)(duan)器(qi)(qi)(qi)(qi)件(jian)构成(cheng)的光(guang)电(dian)器(qi)(qi)(qi)(qi)件(jian)。光(guang)在这类器(qi)(qi)(qi)(qi)件(jian)的有源区内被吸收，产(chan)生光(guang)生载流(liu)子(zi)，通过内部电(dian)放(fang)大机构，产(chan)生光(guang)电(dian)流(liu)增(zeng)益(yi)。光(guang)晶(jing)体(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)三(san)端(duan)(duan)工(gong)作，故容易实现电(dian)控或(huo)电(dian)同步。光(guang)晶(jing)体(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)所用(yong)材料通常(chang)是(shi)砷化镓(jia)（GaAs），主(zhu)要(yao)分为(wei)双极(ji)型光(guang)晶(jing)体(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)、场(chang)效应(ying)(ying)(ying)光(guang)晶(jing)体(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)及其相关(guan)器(qi)(qi)(qi)(qi)件(jian)。双极(ji)型光(guang)晶(jing)体(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)通常(chang)增(zeng)益(yi)很高，但(dan)速(su)(su)度不太(tai)快(kuai)，对于GaAs-GaAlAs，放(fang)大系数可(ke)大于1000，响(xiang)应(ying)(ying)(ying)时(shi)间(jian)大于纳秒(miao)，常(chang)用(yong)于光(guang)探(tan)测器(qi)(qi)(qi)(qi)，也可(ke)用(yong)于光(guang)放(fang)大。场(chang)效应(ying)(ying)(ying)光(guang)晶(jing)体(ti)(ti)(ti)管(guan)(guan)响(xiang)应(ying)(ying)(ying)速(su)(su)度快(kuai)（约为(wei)50皮秒(miao)），但(dan)缺点是(shi)光(guang)敏面积小，增(zeng)益(yi)小（放(fang)大系数可(ke)大于10），常(chang)用(yong)作极(ji)高速(su)(su)光(guang)探(tan)测器(qi)(qi)(qi)(qi)。与此相关(guan)还有许多其他平面型光(guang)电(dian)器(qi)(qi)(qi)(qi)件(jian)，其特点均是(shi)速(su)(su)度快(kuai)（响(xiang)应(ying)(ying)(ying)时(shi)间(jian)几(ji)十皮秒(miao)）、适于集成(cheng)。这类器(qi)(qi)(qi)(qi)件(jian)可(ke)望在光(guang)电(dian)集成(cheng)中得到应(ying)(ying)(ying)用(yong)。

双极晶体管

双(shuang)极(ji)晶(jing)体(ti)管(guan)（bipolar transistor）指在音频(pin)电路中使用得(de)非常普遍的(de)一种晶(jing)体(ti)管(guan)。双(shuang)极(ji)则源(yuan)于电流系(xi)在两种半导(dao)体(ti)材料中流过(guo)的(de)关系(xi)。双(shuang)极(ji)晶(jing)体(ti)管(guan)根据工作电压的(de)极(ji)性(xing)而可(ke)分为(wei)NPN型或PNP型。

双极结型

“双(shuang)(shuang)极(ji)(ji)”的(de)(de)含义是(shi)指其工(gong)作时(shi)电(dian)子(zi)和(he)空穴这两种载流子(zi)都同时(shi)参与运动。双(shuang)(shuang)极(ji)(ji)结(jie)型晶体(ti)管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又称为半导(dao)体(ti)三极(ji)(ji)管，它是(shi)通过一(yi)定的(de)(de)工(gong)艺将两个(ge)PN结(jie)结(jie)合在一(yi)起(qi)的(de)(de)器件，有PNP和(he)NPN两种组合结(jie)构；外(wai)部引(yin)出(chu)三个(ge)极(ji)(ji)：集(ji)(ji)电(dian)极(ji)(ji)，发射(she)(she)极(ji)(ji)和(he)基极(ji)(ji)，集(ji)(ji)电(dian)极(ji)(ji)从(cong)(cong)集(ji)(ji)电(dian)区(qu)引(yin)出(chu)，发射(she)(she)极(ji)(ji)从(cong)(cong)发射(she)(she)区(qu)引(yin)出(chu)，基极(ji)(ji)从(cong)(cong)基区(qu)引(yin)出(chu)（基区(qu)在中间）；

BJT有放(fang)大(da)(da)作用，重要(yao)依靠它的(de)发(fa)射(she)极(ji)电流能够(gou)通过基(ji)(ji)区(qu)传输到达集电区(qu)而实现(xian)的(de)，为了保证这一传输过程，一方面要(yao)满足内部条(tiao)(tiao)件，即(ji)要(yao)求发(fa)射(she)区(qu)杂质浓(nong)度要(yao)远大(da)(da)于基(ji)(ji)区(qu)杂质浓(nong)度，同时(shi)基(ji)(ji)区(qu)厚度要(yao)很小(xiao)，另一方面要(yao)满足外部条(tiao)(tiao)件，即(ji)发(fa)射(she)结(jie)要(yao)正(zheng)(zheng)向偏置(zhi)(zhi)（加正(zheng)(zheng)向电压）、集电结(jie)要(yao)反偏置(zhi)(zhi)；BJT种类很多，按(an)(an)照频率分，有高频管，低频管，按(an)(an)照功(gong)率分，有小(xiao)、中、大(da)(da)功(gong)率管，按(an)(an)照半导体材料分，有硅管和锗管等；其构成(cheng)的(de)放(fang)大(da)(da)电路形式有：共发(fa)射(she)极(ji)、共基(ji)(ji)极(ji)和共集电极(ji)放(fang)大(da)(da)电路。

场效应晶体管

“场(chang)(chang)效应”的(de)(de)含义是(shi)(shi)这种(zhong)晶体(ti)管的(de)(de)工作原理是(shi)(shi)基(ji)于半导体(ti)的(de)(de)电场(chang)(chang)效应的(de)(de)。

场(chang)(chang)效(xiao)应晶(jing)体(ti)(ti)管（field effect transistor）利用场(chang)(chang)效(xiao)应原理工作的晶(jing)体(ti)(ti)管，英文简称FET。场(chang)(chang)效(xiao)应晶(jing)体(ti)(ti)管又包含两(liang)种主(zhu)要类型(xing)：结型(xing)场(chang)(chang)效(xiao)应管（Junction FET，缩写为(wei)JFET)和(he)金(jin)属-氧化物(wu)半导体(ti)(ti)场(chang)(chang)效(xiao)应管（Metal-Oxide Semiconductor FET，缩写为(wei)MOS-FET）。与BJT不同的是(shi)，FET只由一种载流子（多数载流子）参与导电，因此(ci)也称为(wei)单(dan)极型(xing)晶(jing)体(ti)(ti)管。它属于电压控制(zhi)型(xing)半导体(ti)(ti)器件，具有输入(ru)电阻(zu)高、噪声(sheng)小、功耗低(di)、动态范围(wei)大、易(yi)于集成(cheng)、没(mei)有二次击穿现象、安全工作区域(yu)宽等(deng)优点。

静电感应

静电(dian)(dian)感(gan)应(ying)(ying)晶体管SIT(Static Induction Transistor)诞生于1970年，实际上是(shi)一种结(jie)(jie)型场效应(ying)(ying)晶体管。将用于信(xin)息处理的小功(gong)(gong)(gong)率SIT器件的横向(xiang)导(dao)电(dian)(dian)结(jie)(jie)构(gou)改为垂直(zhi)导(dao)电(dian)(dian)结(jie)(jie)构(gou)，即可制成大(da)(da)功(gong)(gong)(gong)率的SIT器件。SIT是(shi)一种多(duo)子导(dao)电(dian)(dian)的器MOSFET相当，甚至(zhi)超(chao)过电(dian)(dian)力(li)MOSFET，而(er)功(gong)(gong)(gong)率容量也比电(dian)(dian)力(li)MOSFET大(da)(da)，因而(er)适(shi)用于高频(pin)大(da)(da)功(gong)(gong)(gong)率场合，目(mu)前已在雷达通信(xin)设备、超(chao)声波(bo)功(gong)(gong)(gong)率放(fang)大(da)(da)、脉冲功(gong)(gong)(gong)率放(fang)大(da)(da)和(he)高频(pin)感(gan)应(ying)(ying)加热等某些专业(ye)领域(yu)获得(de)了(le)较多(duo)的应(ying)(ying)用。

单电子晶体管

用一个(ge)(ge)或者少量电子(zi)就能记录信号的晶体管。随着半导体刻蚀(shi)技术和工艺的发(fa)(fa)展(zhan)，大规模(mo)集成电路(lu)的集成度(du)越来越高。以动态随机(ji)存(cun)储器(DRAM)为例，它的集成度(du)差(cha)不(bu)多以每(mei)两年增加(jia)四倍(bei)的速(su)度(du)发(fa)(fa)展(zhan)，预计(ji)单电子(zi)晶体管将是(shi)最终的目标(biao)。目前一般的存(cun)储器每(mei)个(ge)(ge)存(cun)储元(yuan)包(bao)含了20万个(ge)(ge)电子(zi)，而单电子(zi)晶体管每(mei)个(ge)(ge)存(cun)储元(yuan)只包(bao)含了一个(ge)(ge)或少量电子(zi)，因此它将大大降低功耗，提高集成电路(lu)的集成度(du)。1989年斯(si)各特(J.H. F.Scott-Thomas)等人在实验上发(fa)(fa)现(xian)了库仑阻塞现(xian)象。

IGBT

绝缘栅双极晶体(ti)管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）综合了电力晶体(ti)管（Giant Transistor—GTR）和(he)电力场(chang)效应晶体(ti)管（Power MOSFET）的(de)优点(dian)，具有良好的(de)特性，应用领域很广泛；IGBT也是三端器(qi)件：栅极，集电极和(he)发射极。

晶体管的主要参数指标

放大系数

直流电(dian)流放大(da)系数也称静(jing)态电(dian)流放大(da)系数或(huo)直流放大(da)倍数，是指在静(jing)态无变化信号输入时，晶体管集电(dian)极(ji)电(dian)流IC与基极(ji)电(dian)流IB的比值，一般用(yong)hFE或(huo)β表示。

耗散功率

耗散功(gong)率也称集(ji)电极(ji)最大允(yun)许(xu)耗散功(gong)率PCM，是指晶(jing)体管(guan)参(can)数变(bian)化不(bu)超过规定允(yun)许(xu)值(zhi)时的最大集(ji)电极(ji)耗散功(gong)率。

特征频(pin)率(lv)fT　晶体(ti)管的(de)工作频(pin)率(lv)超过截止频(pin)率(lv)fβ或(huo)fα时(shi)，其电流放大系(xi)数β值将随着频(pin)率(lv)的(de)升高(gao)而(er)下降(jiang)。特征频(pin)率(lv)是(shi)指β值降(jiang)为1时(shi)晶体(ti)管的(de)工作频(pin)率(lv)。

最高频率fM

最(zui)高振荡频(pin)率是指(zhi)晶体管(guan)的功(gong)率增益降为1时所对应的频(pin)率。

最大电流

集电极(ji)(ji)最大电流（ICM）是指晶(jing)体(ti)管集电极(ji)(ji)所(suo)允(yun)许通过的最大电流。当晶(jing)体(ti)管的集电极(ji)(ji)电流IC超过ICM时，晶(jing)体(ti)管的β值等参数(shu)将发(fa)生(sheng)明显变化，影响(xiang)其正常工作，甚至还会损坏(huai)。

最大反向电压

最大反(fan)向(xiang)电(dian)压(ya)(ya)是(shi)指晶(jing)体(ti)管在工作(zuo)时所允许施加(jia)的最高工作(zuo)电(dian)压(ya)(ya)。它(ta)包括集电(dian)极(ji)—发射极(ji)反(fan)向(xiang)击(ji)穿(chuan)电(dian)压(ya)(ya)、集电(dian)极(ji)—基极(ji)反(fan)向(xiang)击(ji)穿(chuan)电(dian)压(ya)(ya)和(he)发射极(ji)—基极(ji)反(fan)向(xiang)击(ji)穿(chuan)电(dian)压(ya)(ya)。

MOS管的主要特性

导通电阻的降低

INFINEON的(de)内建横向(xiang)电(dian)场的(de)MOSFET，耐压600V和800V，与常(chang)规MOSFET器件相(xiang)比，相(xiang)同的(de)管芯面(mian)积，导通(tong)(tong)电(dian)阻分别下(xia) 降(jiang)(jiang)到(dao)(dao)常(chang)规MOSFET的(de)1/5， 1/10；相(xiang)同的(de)额定电(dian)流，导通(tong)(tong)电(dian)阻分别下(xia)降(jiang)(jiang)到(dao)(dao)1/2和约(yue)1/3。在额定结温、额定电(dian)流条件下(xia)，导通(tong)(tong)电(dian)压分别从12.6V，19.1V下(xia)降(jiang)(jiang)到(dao)(dao) 6.07V，7.5V；导通(tong)(tong)损耗下(xia)降(jiang)(jiang)到(dao)(dao)常(chang)规MOSFET的(de)1/2和1/3。由于导通(tong)(tong)损耗的(de)降(jiang)(jiang)低，发(fa)热减少(shao)，器件相(xiang)对较凉，故称(cheng)COOLMOS。

封装的减小和热阻的降低

相(xiang)同额定电流的(de)COOLMOS的(de)管(guan)芯(xin)(xin)较常(chang)规(gui)MOSFET减小到(dao)(dao)1/3和1/4，使(shi)封装(zhuang)减小两个管(guan)壳规(gui)格。由于COOLMOS管(guan)芯(xin)(xin)厚度(du)仅为常(chang)规(gui)MOSFET的(de)1/3，使(shi)TO-220封装(zhuang)RTHJC从(cong)常(chang)规(gui)1℃/W降到(dao)(dao)0.6℃/W；额定功率从(cong)125W上升到(dao)(dao)208W，使(shi)管(guan)芯(xin)(xin)散热能力提高。

开关特性的改善

COOLMOS的(de)栅(zha)极(ji)电荷(he)与开(kai)关参数均优于(yu)常规(gui)MOSFET，很明显，由(you)于(yu)QG，特别(bie)是QGD的(de)减(jian)少，使COOLMOS的(de)开(kai)关时间约为常 规(gui)MOSFET的(de)1/2；开(kai)关损耗(hao)降(jiang)低约50%。关断时间的(de)下降(jiang)也与COOLMOS内部低栅(zha)极(ji)电阻(＜1Ω＝有关。

抗雪崩击穿能力与SCSOA

目(mu)前(qian)，新(xin)型的(de)MOSFET无(wu)一例(li)外地具有抗(kang)雪(xue)崩(beng)击(ji)穿(chuan)能力(li)。COOLMOS同(tong)样具有抗(kang)雪(xue)崩(beng)能力(li)。在(zai)相同(tong)额(e)定电流(liu) 下，COOLMOS的(de)IAS与(yu)ID25℃相同(tong)。但由于(yu)管芯面(mian)积(ji)的(de)减(jian)小(xiao)(xiao)，IAS小(xiao)(xiao)于(yu)常规(gui)MOSFET，而具有相同(tong)管芯面(mian)积(ji)时，IAS和EAS则均大于(yu)常规(gui) MOSFET。

COOLMOS的(de)最大特点之一就是它具有短(duan)路安全工作(zuo)区（SCSOA），而常规MOS不具备(bei)这个特性。 

COOLMOS的(de)(de)(de)(de)SCSOA的(de)(de)(de)(de)获得主(zhu)要是(shi)由于转移特(te)性(xing)的(de)(de)(de)(de)变化和管芯(xin)热阻降(jiang)低。COOLMOS的(de)(de)(de)(de)转移特(te)性(xing)如图所示。从图可以看到(dao)，当VGS＞8V 时，COOLMOS的(de)(de)(de)(de)漏极(ji)电(dian)(dian)流(liu)不(bu)再(zai)增加，呈恒流(liu)状(zhuang)态(tai)(tai)。特(te)别是(shi)在结温(wen)升高时，恒流(liu)值下降(jiang)，在最高结温(wen)时，约为ID25℃的(de)(de)(de)(de)2倍(bei)，即正常工(gong)作电(dian)(dian)流(liu)的(de)(de)(de)(de)3-3.5 倍(bei)。在短路状(zhuang)态(tai)(tai)下，漏极(ji)电(dian)(dian)流(liu)不(bu)会(hui)因栅极(ji)的(de)(de)(de)(de)15V驱动电(dian)(dian)压而上(shang)升到(dao)不(bu)可容(rong)忍的(de)(de)(de)(de)十几倍(bei)的(de)(de)(de)(de)ID25℃，使COOLMOS在短路时所耗散的(de)(de)(de)(de)功率限(xian)制(zhi)在 350V×2ID25℃，尽(jin)可能(neng)地减少(shao)短路时管芯(xin)发热。

管芯(xin)热阻降低可(ke)使管芯(xin)产生的(de)热量(liang)迅速地散(san)发(fa)到管壳，抑制了管芯(xin)温(wen)度(du)的(de)上(shang)升速度(du)。因(yin) 此，COOLMOS可(ke)在(zai)正(zheng)常栅(zha)极电压驱动，在(zai)0.6VDSS电源电压下承受(shou)10ΜS短路冲击，时(shi)间间隔(ge)大于1S，1000次(ci)不(bu)损坏(huai)，使COOLMOS可(ke)像(xiang) IGBT一样，在(zai)短路时(shi)得到有(you)效的(de)保护。

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