各种场效应管放大(da)电路图原(yuan)理-场效应管放大(da)电路识(shi)图方法(fa)详解-KIA MOS管
信息来(lai)源：本站 日期：2018-10-09
图3-26所示是一种超小型收音机电路，它采用两(liang)只晶体管(guan)，这种电路具有(you)较高(gao)的灵(ling)敏度。
该电(dian)(dian)路(lu)中，电(dian)(dian)池作为(wei)直流电(dian)(dian)源通过负(fu)(fu)载(zai)(zai)电(dian)(dian)阻器(qi)(qi)R1为(wei)场(chang)效应管漏(lou)极(ji)(ji)提供(gong)偏(pian)置电(dian)(dian)压(ya)，使(shi)其工作在(zai)放(fang)大(da)(da)状(zhuang)态。由(you)外(wai)接天线(xian)接收天空(kong)中的(de)各(ge)种信号(hao)(hao)，交流信号(hao)(hao)通过C1，进入LC谐(xie)振电(dian)(dian)路(lu)。LC谐(xie)振电(dian)(dian)路(lu)是由(you)磁棒线(xian)圈(quan)和(he)电(dian)(dian)容(rong)器(qi)(qi)组(zu)成的(de)，谐(xie)振电(dian)(dian)路(lu)选频(pin)后，经C4耦合至(zhi)场(chang)效应管VT的(de)栅(zha)极(ji)(ji)，与栅(zha)极(ji)(ji)负(fu)(fu)偏(pian)压(ya)叠加(jia)，加(jia)到场(chang)效应管栅(zha)极(ji)(ji)上(shang)，使(shi)场(chang)效应管的(de)漏(lou)极(ji)(ji)电(dian)(dian)流ID相(xiang)应变化，并在(zai)负(fu)(fu)载(zai)(zai)电(dian)(dian)阻器(qi)(qi)R1上(shang)产生压(ya)降，经C5隔离直流后输(shu)出，在(zai)输(shu)出端即(ji)得到放(fang)大(da)(da)了的(de)信号(hao)(hao)电(dian)(dian)压(ya)。放(fang)大(da)(da)后的(de)信号(hao)(hao)送入三极(ji)(ji)管的(de)基极(ji)(ji)，由(you)三极(ji)(ji)管放(fang)大(da)(da)后输(shu)出较纯净的(de)音频(pin)信号(hao)(hao)送到耳机。
图(tu)3-27所示是(shi)FM收音机(ji)调(diao)谐电(dian)路，它是(shi)由高(gao)频放大器(qi)(qi)(qi)VT1、混(hun)(hun)频器(qi)(qi)(qi)VT3和(he)本(ben)(ben)机(ji)振荡器(qi)(qi)(qi)VT2等(deng)部分构成的。天线(xian)感应的FM调(diao)频广播(bo)信(xin)号(hao)，经输(shu)入变(bian)压器(qi)(qi)(qi)L1加到(dao)VT1晶体管(guan)的栅极，VT1为高(gao)频放大器(qi)(qi)(qi)主要器(qi)(qi)(qi)件(jian)，它将FM高(gao)频信(xin)号(hao)放大后经变(bian)压器(qi)(qi)(qi)L2加到(dao)混(hun)(hun)频电(dian)路VT3的栅极，VT2和(he)LC谐振电(dian)路构成本(ben)(ben)机(ji)振荡器(qi)(qi)(qi)，振荡信(xin)号(hao)由振荡变(bian)压器(qi)(qi)(qi)的次级送(song)往(wang)混(hun)(hun)频电(dian)路VT3的源极。混(hun)(hun)频电(dian)路VT3由漏极输(shu)出(chu)(chu)，经中(zhong)频变(bian)压器(qi)(qi)(qi)IFT（L4）输(shu)出(chu)(chu)10.7MHz中(zhong)频信(xin)号(hao)。
与双极(ji)型晶(jing)体管一样，场(chang)效AM29LV017D-70EC应管也有三种基本(ben)接(jie)法(fa)(fa)(fa)：共(gong)源(yuan)、共(gong)漏和共(gong)栅(zha)极(ji)接(jie)法(fa)(fa)(fa)，其中，共(gong)源(yuan)相(xiang)(xiang)当于(yu)(yu)共(gong)发射极(ji)接(jie)法(fa)(fa)(fa)；共(gong)漏相(xiang)(xiang)当于(yu)(yu)共(gong)集电极(ji)接(jie)法(fa)(fa)(fa)；共(gong)栅(zha)相(xiang)(xiang)当于(yu)(yu)共(gong)基极(ji)接(jie)法(fa)(fa)(fa)。
共源极电(dian)(dian)路(lu)，如图4-19（a）所示，相当于双(shuang)极晶体管的共发射极电(dian)(dian)路(lu)。当交(jiao)流信(xin)号Ui经C，加到(dao)栅(zha)一源极时，使(shi)栅(zha)极偏压(ya)随信(xin)号而变(bian)，于是控制了ID的变(bian)化，在RL上产(chan)生(sheng)压(ya)降，通过C2将放大了的信(xin)号电(dian)(dian)压(ya)输出。
如果用Rc;表示场效应管的栅极(ji)偏置电(dian)阻(zu)(zu)，用R喁表示场效应管的栅一(yi)源间电(dian)阻(zu)(zu)，则共源电(dian)路的输入电(dian)阻(zu)(zu)R，=Rc／／Rcs≈Rc（因(yin)Rcs》Rc）。
如果用(yong)rDS来表示(shi)场效应管的漏一源(yuan)间电(dian)阻，用(yong)RL来表示(shi)共源(yuan)电(dian)路的负载电(dian)阻，则共源(yuan)电(dian)路的输出电(dian)阻R。=RDS//RL～RL（因RDS》RL）。
共源(yuan)电(dian)路的(de)电(dian)压(ya)放大(da)倍数：K一-gmRL，式中，gm为场效(xiao)应管(guan)的(de)跨导，相当于晶(jing)体管(guan)的(de)放大(da)系(xi)数口，RL为负载电(dian)阻。
由于共源极电路输入电阻高(gao)，电压增(zeng)益大，故应(ying)用最(zui)广，但它的截止频率较低(di)，在(zai)高(gao)频工作时受到一些限制。
共漏极电(dian)路(lu)，如图4-19（b）所示，与晶(jing)体管共集电(dian)路(lu)相似。同(tong)共源极电(dian)路(lu)一样(yang)，其输(shu)入(ru)(ru)电(dian)阻(zu)也取决于(yu)外加偏置电(dian)阻(zu)，即R，=Ri∥R2，电(dian)压放大倍(bei)数(shu)K≈1，且输(shu)入(ru)(ru)、输(shu)出电(dian)压同(tong)相，故也叫傲源极跟随器。由(you)于(yu)这种电(dian)路(lu)输(shu)入(ru)(ru)电(dian)阻(zu)高、输(shu)出电(dian)阻(zu)低，且有(you)良好(hao)的电(dian)压跟随特(te)性(xing)，因而常用(yong)作缓冲放大器，起(qi)到(dao)隔离、阻(zu)抗变换的作用(yong)。
共栅极电路，如图4-19（c）所示(shi)，它与(yu)晶体(ti)管共基电路相近。其输入电阻极低（Ri≈l／gm），输出电阻较高R。≈R。，有良好的(de)电压放大特性(xing)，因而常(chang)用(yong)于高频电压放大。
场效应管单管甲类前级放大器见图(tu)1。Tn源极电(dian)位(wei)实测(ce)为0.5V，漏极电(dian)位(wei)为5.0V，漏极电(dian)流IDSS等于1.25mA。根据2SK30AMT出厂说明书(shu)载明的相关(guan)内容，该(gai)工作点(dian)的线性最好。
该级放(fang)(fang)大(da)(da)(da)(da)器放(fang)(fang)大(da)(da)(da)(da)倍(bei)数依(yi)据公(gong)式Au=-gmRf3计算(suan)，式中gm——场效应管(guan)的跨(kua)导。2SK30AMT在VDs=10V，VGS=0V时的最小(xiao)跨(kua)导gm=1.2ms。那么该级放(fang)(fang)大(da)(da)(da)(da)器放(fang)(fang)大(da)(da)(da)(da)倍(bei)数为6.72。音(yin)量调节(jie)通过进(jin)阶(jie)开(kai)关加11个(ge)固定电阻进(jin)行，每个(ge)电阻10k。这(zhei)样(yang)做的好处是既经济，质量又好。音(yin)量调节(jie)实为10级，听音(yin)效果十分理(li)想(xiang)。
第(di)二级(ji)放(fang)大(da)电(dian)路作源(yuan)(yuan)极(ji)输(shu)出器(qi)(qi)(qi)，旨在(zai)(zai)匹配电(dian)路，提(ti)高前级(ji)的(de)负载能(neng)力，放(fang)大(da)倍(bei)数近(jin)似为1。静(jing)态工作点仍然十分(fen)重要(yao)，Tf2源(yuan)(yuan)极(ji)电(dian)位(wei)实(shi)测(ce)(ce)为5.5V，位(wei)于(yu)电(dian)源(yuan)(yuan)电(dian)压(ya)的(de)中值附近(jin)，很好(hao)。在(zai)(zai)该级(ji)上(shang)，同样可算出漏(lou)极(ji)电(dian)流2.75mA，也要(yao)满足甲(jia)类放(fang)大(da)器(qi)(qi)(qi)对静(jing)态的(de)要(yao)求。隔直电(dian)容(rong)C17，C18对音质的(de)好(hao)坏影(ying)响较大(da)，选(xuan)用(yong)进口名牌WIMA电(dian)容(rong)。后级(ji)放(fang)大(da)电(dian)路仍采用(yong)推(tui)挽式(shi)、甲(jia)乙类放(fang)大(da)器(qi)(qi)(qi)对称放(fang)大(da)电(dian)路所用(yong)元件要(yao)检测(ce)(ce)其(qi)静(jing)态特性。功(gong)率放(fang)大(da)电(dian)路如图2所示。
以Tm1和Tm3为(wei)(wei)例，其检测参数主(zhu)要是IDDS，即当VGS=0时的漏极电流。在VGS=0时，测出(chu)(chu)IDDS，其值相近为(wei)(wei)宜。同样地，Tm2和Tm4也要与Tm1或Tm3静态(tai)值相差(cha)无(wu)几，或相近。只有这(zhei)4个场(chang)效应管静态(tai)值大(da)致(zhi)相同，才有可(ke)能做出(chu)(chu)优质的放大(da)器(qi)来。成批生产的放大(da)器(qi)价(jia)格很高，正是这(zhei)些(xie)电路(lu)中使用的元件匹配(pei)困难，造(zao)成制(zhi)造(zao)成本高，制(zhi)约了该技术的推广应用。
场(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)与(yu)晶(jing)体(ti)管(guan)一样，也(ye)具有放大作(zuo)用，但与(yu)普通晶(jing)体(ti)管(guan)是电流控制型器(qi)件(jian)相反(fan)，场(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)是电压(ya)控制型器(qi)件(jian)。它具有输入阻抗高、噪(zao)声低的特点。
场效应(ying)管(guan)(guan)的(de)(de)3个电极(ji)(ji)，即栅(zha)极(ji)(ji)、源(yuan)极(ji)(ji)和漏极(ji)(ji)分别相(xiang)(xiang)当于晶(jing)(jing)体管(guan)(guan)的(de)(de)基(ji)极(ji)(ji)、发射极(ji)(ji)和集(ji)电极(ji)(ji)。图(tu)5-21所(suo)(suo)示(shi)(shi)(shi)是(shi)场效应(ying)管(guan)(guan)的(de)(de)3种组态电路(lu)，即共(gong)(gong)源(yuan)极(ji)(ji)、共(gong)(gong)漏极(ji)(ji)和共(gong)(gong)栅(zha)极(ji)(ji)放(fang)(fang)大(da)(da)器(qi)(qi)(qi)。图(tu)5-21（a）所(suo)(suo)示(shi)(shi)(shi)是(shi)共(gong)(gong)源(yuan)极(ji)(ji)放(fang)(fang)大(da)(da)器(qi)(qi)(qi)，它相(xiang)(xiang)当于晶(jing)(jing)体管(guan)(guan)共(gong)(gong)发射极(ji)(ji)放(fang)(fang)大(da)(da)器(qi)(qi)(qi)，是(shi)一种最常用(yong)的(de)(de)电路(lu)。图(tu)5-21（b）所(suo)(suo)示(shi)(shi)(shi)是(shi)共(gong)(gong)漏极(ji)(ji)放(fang)(fang)大(da)(da)器(qi)(qi)(qi)，相(xiang)(xiang)当于晶(jing)(jing)体管(guan)(guan)共(gong)(gong)集(ji)电极(ji)(ji)放(fang)(fang)大(da)(da)器(qi)(qi)(qi)，输(shu)入信号(hao)从漏极(ji)(ji)与(yu)栅(zha)极(ji)(ji)之间输(shu)入，输(shu)出(chu)信号(hao)从源(yuan)极(ji)(ji)与(yu)漏极(ji)(ji)之间输(shu)出(chu)，这种电路(lu)又称为(wei)源(yuan)极(ji)(ji)输(shu)出(chu)器(qi)(qi)(qi)或源(yuan)极(ji)(ji)跟随器(qi)(qi)(qi)。图(tu)5-21（c）所(suo)(suo)示(shi)(shi)(shi)是(shi)共(gong)(gong)栅(zha)极(ji)(ji)放(fang)(fang)大(da)(da)器(qi)(qi)(qi)，它相(xiang)(xiang)当于晶(jing)(jing)体管(guan)(guan)共(gong)(gong)基(ji)极(ji)(ji)放(fang)(fang)大(da)(da)器(qi)(qi)(qi)，输(shu)入信号(hao)从栅(zha)极(ji)(ji)与(yu)源(yuan)极(ji)(ji)之间输(shu)入，输(shu)出(chu)信号(hao)从漏极(ji)(ji)与(yu)栅(zha)极(ji)(ji)之间输(shu)出(chu)，这种放(fang)(fang)大(da)(da)器(qi)(qi)(qi)的(de)(de)高频特性比较好。
（1）固(gu)定式偏置电路
在(zai)场(chang)效应管放大器中(zhong)，有时需要(yao)外加栅极直(zhi)流偏(pian)置电源(yuan)，这种(zhong)方式(shi)被称为固定式(shi)偏(pian)置电路，如图5-22所示(shi)。
C1和(he)C2分(fen)别是输入端(duan)耦(ou)合电(dian)容和(he)输出端(duan)耦(ou)合电(dian)容。+UCC通过漏极(ji)(ji)负载电(dian)阻R2加到(dao)VT的(de)漏极(ji)(ji)，VT的(de)源极(ji)(ji)接地。-UCC是栅(zha)(zha)极(ji)(ji)专用偏(pian)置(zhi)直流电(dian)源，为负极(ji)(ji)性电(dian)源，它通过栅(zha)(zha)极(ji)(ji)偏(pian)置(zhi)电(dian)阻R1加到(dao)VT1的(de)栅(zha)(zha)极(ji)(ji)，使栅(zha)(zha)极(ji)(ji)电(dian)压(ya)低于源极(ji)(ji)电(dian)压(ya)，这样就建立了VT的(de)正常偏(pian)置(zhi)电(dian)压(ya)。
在(zai)电(dian)路中(zhong)，输入信号Ui经C1耦合(he)至场(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)VT的(de)(de)栅(zha)极，与原来的(de)(de)栅(zha)极负偏压(ya)叠加。场(chang)效(xiao)应(ying)管(guan)受到(dao)栅(zha)极的(de)(de)作用，其漏极电(dian)流(liu)I2相应(ying)变化，并在(zai)负载电(dian)阻R2上产生(sheng)压(ya)降，经C2隔离直流(liu)后输出(chu)，在(zai)输出(chu)端即(ji)得到(dao)放(fang)大了(le)的(de)(de)信号电(dian)压(ya)Uo。I2与Ui同相，Uo与Ui反相。
这种偏置电路(lu)的(de)(de)优点是VT的(de)(de)工作(zuo)点可(ke)以任(ren)意选择，不受其(qi)他因(yin)素(su)的(de)(de)制(zhi)约(yue)，也充分利用(yong)了漏(lou)极直流(liu)电源(yuan)+UCC，所(suo)以可(ke)以用(yong)于低压供电放大器。其(qi)缺点是需要两个直流(liu)电源(yuan)。
图(tu)(tu)5-23所示是典型的(de)自(zi)给偏压共(gong)源(yuan)(yuan)极(ji)(ji)放大电路(lu)。图(tu)(tu)中C1和C2分别是输(shu)(shu)入、输(shu)(shu)出(chu)耦合电容(rong)，起通交(jiao)流、隔直流的(de)作用(yong)；+UCC为漏(lou)极(ji)(ji)直流电压源(yuan)(yuan)，为放大电路(lu)提(ti)(ti)供能(neng)源(yuan)(yuan)；RD是漏(lou)极(ji)(ji)电阻，它能(neng)把漏(lou)极(ji)(ji)电流的(de)变化转变为电压的(de)变化，以便输(shu)(shu)出(chu)信(xin)号(hao)电压；RS是源(yuan)(yuan)极(ji)(ji)电阻，其作用(yong)是产生一(yi)个源(yuan)(yuan)极(ji)(ji)到地(di)的(de)电压降(jiang)，以提(ti)(ti)供源(yuan)(yuan)极(ji)(ji)偏压，建立静态偏置，同时具有电流负反(fan)馈(kui)(kui)的(de)作用(yong)；CS是源(yuan)(yuan)极(ji)(ji)旁路(lu)电容(rong)，给源(yuan)(yuan)极(ji)(ji)交(jiao)流信(xin)号(hao)提(ti)(ti)供一(yi)条通路(lu)，以免交(jiao)流信(xin)号(hao)在RS上(shang)产生负反(fan)馈(kui)(kui)。
由(you)于场效应(ying)管在漏极(ji)电(dian)流较大时，具有温度上升(sheng)、漏极(ji)电(dian)流就减(jian)小的(de)特点，因而热稳定(ding)性(xing)好，故源极(ji)仅(jin)需设置自偏(pian)压电(dian)路就十(shi)分(fen)稳定(ding)了。
“自(zi)给偏(pian)(pian)(pian)压(ya)(ya)”指的(de)(de)是由场效(xiao)应管(guan)自(zi)身的(de)(de)电(dian)流产(chan)生(sheng)偏(pian)(pian)(pian)置(zhi)(zhi)(zhi)电(dian)压(ya)(ya)。N沟(gou)道结(jie)型场效(xiao)应管(guan)正(zheng)(zheng)常(chang)工(gong)作时(shi)，栅(zha)极(ji)(ji)、源极(ji)(ji)之(zhi)间需(xu)要(yao)加一(yi)个负偏(pian)(pian)(pian)置(zhi)(zhi)(zhi)电(dian)压(ya)(ya)，这一(yi)点与晶体管(guan)的(de)(de)发射结(jie)需(xu)要(yao)正(zheng)(zheng)偏(pian)(pian)(pian)置(zhi)(zhi)(zhi)电(dian)压(ya)(ya)是相反的(de)(de)。为了(le)使栅(zha)极(ji)(ji)、源极(ji)(ji)之(zhi)间获得所需(xu)负偏(pian)(pian)(pian)压(ya)(ya)，设置(zhi)(zhi)(zhi)了(le)自(zi)生(sheng)偏(pian)(pian)(pian)压(ya)(ya)电(dian)阻RS。当源极(ji)(ji)电(dian)流流过(guo)(guo)RS时(shi)，将会在RS两端(duan)产(chan)生(sheng)上正(zheng)(zheng)下负的(de)(de)电(dian)压(ya)(ya)降(jiang)US。由于栅(zha)极(ji)(ji)通(tong)过(guo)(guo)RG接地，所以(yi)栅(zha)极(ji)(ji)为零电(dian)位。这样(yang)，RS产(chan)生(sheng)的(de)(de)US就(jiu)能(neng)使栅(zha)极(ji)(ji)、源极(ji)(ji)之(zhi)间获得所需(xu)的(de)(de)负偏(pian)(pian)(pian)压(ya)(ya)UGS，这就(jiu)是自(zi)给偏(pian)(pian)(pian)压(ya)(ya)共源极(ji)(ji)放(fang)大(da)电(dian)路的(de)(de)工(gong)作原(yuan)理。
图5-24所示为分(fen)压式自偏压电(dian)(dian)(dian)路，又称栅极接正电(dian)(dian)(dian)位偏置(zhi)电(dian)(dian)(dian)路。它是在自给偏压共(gong)源极放大电(dian)(dian)(dian)路的(de)基础上(shang)(shang)，加上(shang)(shang)分(fen)压电(dian)(dian)(dian)阻Rf1和Rf2构成的(de)。
图中，电(dian)(dian)(dian)源(yuan)+UDD、输(shu)入耦合(he)电(dian)(dian)(dian)容C1、输(shu)出耦合(he)电(dian)(dian)(dian)容C2、漏极(ji)电(dian)(dian)(dian)阻RD、源(yuan)极(ji)电(dian)(dian)(dian)阻RS、源(yuan)极(ji)旁(pang)路电(dian)(dian)(dian)容CS的(de)(de)作用(yong)均与自给(ji)偏(pian)压共源(yuan)极(ji)放大电(dian)(dian)(dian)路相同。Rf1和(he)Rf2是分压偏(pian)置(zhi)电(dian)(dian)(dian)阻，Rf1与Rf2的(de)(de)接点通过(guo)大电(dian)(dian)(dian)阻RG与场效应(ying)(ying)(ying)管的(de)(de)栅(zha)极(ji)相连。由(you)于栅(zha)极(ji)绝缘(yuan)无电(dian)(dian)(dian)流(liu)，所(suo)以Rf1与Rf2的(de)(de)分压点A与场效应(ying)(ying)(ying)管的(de)(de)栅(zha)极(ji)同电(dian)(dian)(dian)位。由(you)于该电(dian)(dian)(dian)路既有(you)“分压偏(pian)置(zhi)”又有(you)“自给(ji)偏(pian)置(zhi)”，所(suo)以又称为组(zu)合(he)偏(pian)置(zhi)电(dian)(dian)(dian)路。这种偏(pian)置(zhi)电(dian)(dian)(dian)路既可用(yong)于耗尽(jin)型(xing)场效应(ying)(ying)(ying)管，也可用(yong)于增强型(xing)场效应(ying)(ying)(ying)管。
（1）源极接地放大器(qi)
源极接地放(fang)大(da)器(qi)是场效应管放(fang)大(da)器(qi)最重要的(de)(de)(de)电(dian)路(lu)形式，其工(gong)作原理如图(tu)(tu)5-25所示。图(tu)(tu)中，交(jiao)流输入(ru)电(dian)压(ya)Ui在(zai)1/4周(zhou)期内(nei)处(chu)于增(zeng)大(da)的(de)(de)(de)趋(qu)势，因此(ci)(ci)在(zai)这段时间内(nei)漏极电(dian)流ID增(zeng)大(da)。ID的(de)(de)(de)增(zeng)大(da)使负载上的(de)(de)(de)压(ya)降(jiang)增(zeng)大(da)，UDS就下降(jiang)；当(dang)Ui在(zai)2/4周(zhou)期内(nei)时，处(chu)于减(jian)(jian)小状态，UGS增(zeng)大(da)，ID则减(jian)(jian)小，而(er)ID的(de)(de)(de)减(jian)(jian)小使负载上的(de)(de)(de)压(ya)降(jiang)减(jian)(jian)小，UDS就上升。以此(ci)(ci)类推(tui)，其输入(ru)与(yu)输出信号(hao)的(de)(de)(de)波形如图(tu)(tu)中所示。Ui和ID的(de)(de)(de)相位(wei)相同，与(yu)输出信号(hao)电(dian)压(ya)UDS的(de)(de)(de)相位(wei)相反。
（2）栅极接地放大器
栅极接地放大器适用于高频宽带放大器，其基(ji)本(ben)连(lian)接方式如图(tu)5-26所示。
（3）漏极接地放(fang)大器
漏极(ji)接地放大器也称为源(yuan)(yuan)极(ji)跟随器或源(yuan)(yuan)极(ji)输(shu)出器，相当于双极(ji)型(xing)晶体管的(de)集电极(ji)接地电路。图(tu)5-27为其基本连接图(tu)。源(yuan)(yuan)极(ji)跟随器最(zui)主要的(de)特(te)点是输(shu)出阻抗(kang)低。由于场效应管的(de)输(shu)入阻抗非常(chang)高，也(ye)就是(shi)输(shu)入电流极小，它常(chang)用于收音(yin)机电路(lu)中作为(wei)微弱信号的(de)放大器(qi)。
① 源极接地放大(da)器(qi)与(yu)射极跟(gen)随器(qi)（共集电极晶体(ti)管放大(da)器(qi)）的(de)组合。
如图5-28所示，VT1为(wei)源极接地场(chang)效应管(guan)放(fang)大(da)器(qi)(qi)，VT2为(wei)共(gong)集(ji)电(dian)(dian)极晶体管(guan)放(fang)大(da)器(qi)(qi)。若电(dian)(dian)路(lu)中没有设(she)置VT2，而是将数千欧的(de)(de)(de)负(fu)载RL直接作为(wei)VT1的(de)(de)(de)负(fu)载，其电(dian)(dian)压增益(yi)就相当(dang)小。通过源极接地放(fang)大(da)器(qi)(qi)与(yu)低输出阻抗的(de)(de)(de)射极跟随器(qi)(qi)进行组合，就可获得较高的(de)(de)(de)电(dian)(dian)压增益(yi)，这是该电(dian)(dian)路(lu)的(de)(de)(de)主要特征。
② 源极(ji)接地放大器(qi)与共(gong)发(fa)射极(ji)放大器(qi)的组合(he)。
共发射极放大器(qi)(qi)的(de)输(shu)入阻抗在103Ω的(de)范围内，很难由场效应管(guan)直(zhi)接驱(qu)动，但是(shi)(shi)，若通过一级射极跟(gen)随(sui)器(qi)(qi)，将其作为图(tu)(tu)5-25中的(de)负载RL接在共发射极放大器(qi)(qi)之前，就(jiu)很容易驱(qu)动了(le)，如图(tu)(tu)5-29所示。该(gai)电路在输(shu)出级的(de)前面加入了(le)一级射极跟(gen)随(sui)器(qi)(qi)，以(yi)获得大电流增(zeng)益，这是(shi)(shi)典型(xing)的(de)低(di)输(shu)出阻抗实(shi)例。
③ 将源极(ji)接地(di)放大(da)器与共基极(ji)放大(da)器组合成级联(lian)式(shi)放大(da)器。
图5-30所(suo)示是将场效(xiao)应(ying)管的(de)低噪(zao)声性与共基(ji)极放(fang)大器(qi)对高(gao)频(pin)放(fang)大的(de)适(shi)应(ying)性相结合(he)而(er)产生的(de)级联式放(fang)大器(qi)，常作为宽频(pin)带低噪(zao)声的(de)前置放(fang)大器(qi)。
联(lian)系方式：邹先生
联(lian)系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址(zhi)：深圳(zhen)市福(fu)田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座(zuo)5C1
请搜(sou)微(wei)(wei)信(xin)公(gong)众(zhong)号:“KIA半(ban)导体”或扫(sao)一扫(sao)下图“关注”官方微(wei)(wei)信(xin)公(gong)众(zhong)号
请“关(guan)注”官方(fang)微信公(gong)众号:提供(gong) MOS管 技术(shu)帮助
