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：场效应管由多数载流子参与导电,称为单极型晶体管.它也属于电压控制型半导体器件.具有输入电阻高（108~109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.它有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。场效应管可应用于放大。由于放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器，很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换，可以常用于多级放大器的输入级作阻抗变换，允许方便地用作恒流源、允许用作可变电阻、允许用作电子开关。

的管脚识别(bie)：

场效应管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)栅(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)相当于(yu)晶(jing)体(ti)管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)基极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)，源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)和(he)(he)漏极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)分(fen)别(bie)对(dui)应于(yu)晶(jing)体(ti)管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)发射极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)和(he)(he)集(ji)电(dian)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)。将万用(yong)表(biao)置于(yu)R×1k档，用(yong)两(liang)表(biao)笔分(fen)别(bie)测(ce)量每两(liang)个(ge)(ge)(ge)(ge)管(guan)(guan)(guan)脚间(jian)的(de)(de)正、反(fan)向(xiang)(xiang)电(dian)阻。当某两(liang)个(ge)(ge)(ge)(ge)管(guan)(guan)(guan)脚间(jian)的(de)(de)正、反(fan)向(xiang)(xiang)电(dian)阻相等(deng)，均为数KΩ时，则(ze)这(zhei)两(liang)个(ge)(ge)(ge)(ge)管(guan)(guan)(guan)脚为漏极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)D和(he)(he)源极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)S（可(ke)互(hu)换），余下的(de)(de)一个(ge)(ge)(ge)(ge)管(guan)(guan)(guan)脚即为栅(zha)极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)G。对(dui)于(yu)有4个(ge)(ge)(ge)(ge)管(guan)(guan)(guan)脚的(de)(de)结型，另外一极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)是屏蔽极(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)（使(shi)用(yong)中接(jie)地(di)）。

用一句话说，就是"漏(lou)极(ji)(ji)(ji)-源极(ji)(ji)(ji)间(jian)走过(guo)沟道的(de)(de)(de)(de)(de)ID,用以电极(ji)(ji)(ji)与沟道间(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)pn构造(zao)成(cheng)的(de)(de)(de)(de)(de)反偏(pian)偏(pian)的(de)(de)(de)(de)(de)电极(ji)(ji)(ji)电压掌握ID".更(geng)准(zhun)确地说，ID走过(guo)电路的(de)(de)(de)(de)(de)幅(fu)度(du)(du)，即(ji)(ji)沟道截(jie)面积，它是由(you)pn结反偏(pian)偏(pian)的(de)(de)(de)(de)(de)变迁(qian)，发生耗尽层扩(kuo)大变迁(qian)掌握的(de)(de)(de)(de)(de)来由(you)。正在(zai)VGS=0的(de)(de)(de)(de)(de)非饱满海(hai)域，示意的(de)(de)(de)(de)(de)过(guo)渡(du)层的(de)(de)(de)(de)(de)扩(kuo)大由(you)于没(mei)有很大，依据漏(lou)极(ji)(ji)(ji)-源极(ji)(ji)(ji)间(jian)所加(jia)VDS的(de)(de)(de)(de)(de)磁场，源极(ji)(ji)(ji)海(hai)域的(de)(de)(de)(de)(de)某些电子(zi)被漏(lou)极(ji)(ji)(ji)拉去，即(ji)(ji)从漏(lou)极(ji)(ji)(ji)向(xiang)源极(ji)(ji)(ji)有直流电ID活动。从门极(ji)(ji)(ji)向(xiang)漏(lou)极(ji)(ji)(ji)扩(kuo)大的(de)(de)(de)(de)(de)适(shi)度(du)(du)层将(jiang)沟道的(de)(de)(de)(de)(de)一全(quan)体(ti)形成(cheng)阻(zu)塞型，ID饱满。将(jiang)这(zhei)种形态称为(wei)夹断。这(zhei)象(xiang)征(zheng)着(zhe)过(guo)渡(du)层将(jiang)沟道的(de)(de)(de)(de)(de)一全(quan)体(ti)阻(zu)挠(nao)，并没(mei)有是直流电被切断。

正(zheng)在过渡层因(yin)为没(mei)有(you)电(dian)子、空(kong)穴的(de)自正(zheng)在挪动，正(zheng)在现(xian)实形态下简直存正(zheng)在绝缘特点，一般直流(liu)电(dian)也(ye)难活动。然而这(zhei)时漏极(ji)-源(yuan)极(ji)间的(de)磁(ci)场，实践上(shang)是(shi)两个过渡层接(jie)触漏极(ji)与门极(ji)下部左近，因(yin)为漂移磁(ci)场拉(la)去的(de)高速电(dian)子经过过渡层。因(yin)漂移磁(ci)场的(de)强度简直没(mei)有(you)变发生ID的(de)饱满(man)景象(xiang)。其次(ci)，VGS向负(fu)的(de)位置(zhi)变迁，让(rang)VGS=VGS（off），这(zhei)时过渡层大(da)体变化遮(zhe)盖全海域(yu)的(de)形态。并且VDS的(de)磁(ci)场大(da)全体加到(dao)过渡层上(shang)，将电(dian)子拉(la)向漂移位置(zhi)的(de)磁(ci)场，只要接(jie)近源(yuan)极(ji)的(de)很短(duan)全体，这(zhei)更使直流(liu)电(dian)没(mei)有(you)能(neng)呆滞。

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