MOSFET驱(qu)动方式
信息来源：本站 日期：2017-04-10
MOSFET驱动方式：
驱动方式是对简易方式的一种初步改进,它不但能降低TTL器件的功率耗散,也能保证较高的开通速度。驱动方式可进一步改善驱动性能,不但关断时间可以进一步缩短,开通时间与关断时间的差别也通过互补电路而消除。同时,在这种驱动方式中的两个外接晶体管起着射极跟随器的作用,因而功率MOSFET永远不会被驱动到饱和区。由于互补方式增加了驱动功率,这种方式更适合于大功率MOSFET的驱动。
而这种(zhong)方(fang)(fang)式(shi)可以产生足够高的(de)(de)栅压使器件充分导通,并保证较高的(de)(de)关(guan)断速度。由于(yu)外接负(fu)载电(dian)(dian)阻(zu)RL须(xu)有一定大(da)小(xiao),以限(xian)制(zhi)TTL的(de)(de)低电(dian)(dian)平输出晶体管的(de)(de)功率耗散,因而这种(zhong)驱(qu)动方(fang)(fang)式(shi)的(de)(de)开通速度不够高。不过,对感(gan)性(xing)负(fu)载的(de)(de)开关(guan)电(dian)(dian)路来说,出于(yu)对动态损(sun)耗的(de)(de)考虑(lv),关(guan)断速度的(de)(de)重(zhong)要(yao)性(xing)就(jiu)是要(yao)强一些。
MOSFET注意要点：
驱动电路的(de)(de)(de)有关(guan)问题MOSFET管工(gong)作(zuo)在(zai)高频(pin)时,为了防(fang)止振荡(dang),有两点(dian)必须(xu)注意:第一,尽可能减(jian)少MOSFET各端点(dian)的(de)(de)(de)连接线(xian)长度,特别是栅(zha)极(ji)(ji)引(yin)线(xian),如果(guo)无(wu)法(fa)使(shi)引(yin)线(xian)缩(suo)短,则可按图(tu)1所(suo)示,靠近栅(zha)极(ji)(ji)处串联一个小电阻(zu)(zu)以(yi)便(bian)控制寄(ji)生(sheng)振荡(dang);第二,由于MOSFET的(de)(de)(de)输入阻(zu)(zu)抗高,驱动电源(yuan)的(de)(de)(de)阻(zu)(zu)抗必须(xu)比较低,以(yi)避免正(zheng)反馈(kui)所(suo)引(yin)起的(de)(de)(de)振荡(dang),特别是MOSFET的(de)(de)(de)直流输入阻(zu)(zu)抗非常(chang)高,但它的(de)(de)(de)交流输入阻(zu)(zu)抗是随频(pin)率而改变的(de)(de)(de),因此MOSFET的(de)(de)(de)驱动波形的(de)(de)(de)上升和(he)下降时间与驱动脉冲发生(sheng)器阻(zu)(zu)抗有关(guan)。另外(wai),MOSFET的(de)(de)(de)栅(zha)—源(yuan)极(ji)(ji)间的(de)(de)(de)硅氧化层的(de)(de)(de)耐压。
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